Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Кладько Василь Петрович

Васи́ль Петро́вич Кладько́ Член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р., Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2017 р.

Дата та місце народження: 12 січня 1957 р. у с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область.

Освіта:

1964—1974 — Озерська середня школа (золота медаль);
1974—1979 — студент Чернівецького Державного Університету, фізичний факультет (з відзнакою);
1982—1985 — аспірант Інституту Напівпровідників АН УРСР.
1998—2000 — докторант Інституту Фізики Напівпровідників НАН України.

Наукові ступені та звання:

1986 — Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07-фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді К.016.37.01 Інституту металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України (04.06.1986 р.);
1995 — Старший науковий співробітник (01.04.07-фізика твердого тіла);
2000 — Доктор фізико-математичних наук (01.04.07-фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д 26.001.23 Київського Національного Університету імені Тараса Шевченка (22.05.2000 р.);
2007 — Професор (спеціальність 01.04.07-фізика твердого тіла).
2015 — Член-кореспондент НАН України (спеціальність «Кореляційна оптика») (обраний 06.03.2015 р.).

Кар’єра:

1974—1979 — Студент фізичного факультету Чернівецького державного університету;
1979—1982 — Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету;
1982—1985 — Аспірант Інституту Напівпровідників;
1985—1988 — Молодший науковий співробітник;
1988—2000 — Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників;
2000—2004 — Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників;
2004 дотепер — завідувач відділу «Структурного аналізу матеріалів і систем напівпровідників» Інституту Фізики Напівпровідників НАН, Київ, Україна ;
2013 дотепер — заступник директора Інституту Фізики Напівпровідників НАНУ з наукової роботи, Київ, Україна.

Наукова діяльність

головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів;
інші напрями: фізика напівпровідників, дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів;
поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів.

Стажування за кордоном Університет м. Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)

Нагороди, Членство в Товариствах

Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.;
Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України (За видатні роботи в галузі фізики напівпровідників та напівпровідникового приладобудування) 2017 р.;
Пам'ятна відзнака Національної Академії Наук України (2018 р.);
Подяка Президії НАН України (2010 р.);
Подяка від Київського міського голови (2005 р.);
Винахідник СРСР (1986 р.);
член Українського Фізичного Товариства;
член Міжнародного союзу кристалографів;
заступник головного редактора журналу «Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics»
редактор тематичного розділу журналу «Український фізичний журнал»
член редколегії наукового журналу «Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології»

Публікації

    Загальна кількість статей в реферованих журналах: 456
    Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 195
    Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 780 (h-index = 13)
    Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1492 (h-index = 20)
    Кількість конференцій: 211
    Монографії: 8   
    Авторські свідоцтва: 5
    Патенти: 6

Педагогічна діяльність
У вiддiлi пiд керiвництвом доктора фiз.-мат. наук, професора Кладька В.П. у 2006 р. захищенi дисертацiї кандидата фiз.-мат.наук аспiрантами А.В. Кучуком та О.М. Єфановим, у 2007 р. - м.н.с. Корчовим А.А., у 2009 р. - наук. співроб. М.В. Слободяном, у 2012 р. - аспіранткою Сафрюк Н.В. та н.с. Гудименком О.Й., 2016 р. - аспірантом Станчу Г.В. 2017 р. - аспірантом Кривим С.Б., а у 2019 р. аспірантом Любченком О.І., н.с. Максименко З.В. та м.н.с. Поліщук Ю.О.


Список публікацій:

  1. XVis: educational open source program for demonstration of reciprocal space construction and diffraction principles
    O. Yefanov, V. Kladko, M. Slobodyan, Yu. Polischuk // Journal of Applied Crystallography, 2008. V.41. Part 3. P.647-652. doi:10.1107/S0021889808008625

    Download: [pdf]

  2. Long-term stability of Ni-silicide ohmic contact to n-type 4H-SiC
    Kuchuk A.V., Guziewicz M., Ratajczak R., Wzorek M., Kladko V.P., Piotrowska A.  // Microelectronic Engineering. 2008, V.85. Issue 10. P.2142-2145. (Cited 17 times)

    Download: [pdf]

  3. Engineering of 3D self-directed QD ordering in multi-layer InGaAs/GaAs nanostructures by flux gas composition.
    P.M. Lytvyn, Yu.I. Mazur, Jr.E. Marega, V.G. Dorogan, V.P. Kladko, M.V. Slobodian, V.V. Strelchuk, M.L. Hussein, M.E. Ware and Gregory J. Salamo // Nanotechnology, 2008. V.19. No 50. 505605 (7pp.). doi: 10.1088/0957-4484/19/50/505605 (Cited 3 times)

    Download: [pdf]

  4. Механизм термостабильности Si большого диаметра, полученного методом Чохральского.
    Литовченко В.Г., Лісовський І.П., Кладько В.П., Ефремов А.А., Злобін С.О., Слободян Н.В.  // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2008, №3, С.37-42.

    Download: [pdf]

  5. Heat-resistant barrier and ohmic contacts based on TiBx and ZrBx interstitial phases to microwave diode structures.
    Belyaev A.E., Boltovets N.S., Ivanov V.N., Kladko V.P., Konakova R.V., Kudryk Ya.Ya., Milenin V.V., Sheremet V.N.  // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2008. V. 11, No 3. P.209-216. (Cited 3 times)

    Download: [pdf]

  6. Вплив опромінення високоенергетичними електронами на дефектну структуру монокристалів Cz-Si згідно високороздільної трикристальної Х-променевої дифрактометрії.
    І.М. Фодчук, В.В. Довганюк, В.П. Кладько, М.В. Слободян, Т.В. Литвинчук, Свянтек З. // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика. 2008, Вип.420, С.40-44.

    Download: [pdf]

  7. О механизме токопереноса обусловленном дислокациями в нитрид-галлиевых диодах Шоттки.
    Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Иванов В.Н., Кладько В.П., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Кучук А.В., Миленин В.В., Свешников Ю.Н. // Физика и Техника Полупроводников. 2008, Т.42, вып.6, P.706-710. (Cited 20 times)

    Download: [pdf]

  8. Динамічна дифракція Х-променів в багатошарових структурах. (X-ray dynamical diffraction in multilayers)
    Єфанов О.М., Кладько В.П., Мачулін В.Ф., Молодкін В.Ю., (Yefanov O.M., Kladko V.P., Machulin V.F., Molodkin V.B. (in Ukrainian))  // (монографія) Київ, 2008 р. Наукова думка, – 219 с. http://x-ray.net.ua/print/books/ (Cited 7 times)

  9. Peculiarities of the Defect Formation in the Near-surface Layers of Si Single Crystals under Acoustostimulated Implantation of Ions of Boron and Arsenic
    O.I. Gudymenko, V.P. Kladko, V.P. Melnik, Ya.M. Olikh, V.G. Popov, B.N. Romanyuk, M.V. Slobodian, P.P. Kogutyuk // Ukrainian Journal of Physics, 2008, V.53, Issue 2, P.140-145.

    Download: [pdf]

  10. Investigation of defect structure of InGaNAsSb/GaAs quantum wells
    L. Borkovska, N. Korsunska, V. Kladko, T. Kryshtab, V. Kushnirenko, M. Slobodyan, O. Yefanov, Ye. Venger, S. Johnson, Yu. Sadofyev, Y.-H. Zhang // Materials Science and Engineering C 27 (2007) 1038–1042

    Download: [pdf]


 
© 2006-2019