Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Кладько Василь Петрович


Кладько Василь - член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки

Адреса:
Інститут Фізики Напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, Національна Академія Наук України.
03028 Київ, пр. Науки 45, УКРАЇНА

Дата і місце народження: 12  січня 1957 р., с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область
Національність: Українець

Освіта:
1964 – 1974 – Озерська середня школа (з золотою медаллю);
1974 – 1979 – Чернівецький Державний Університет, фізичний факультет (з відзнакою);
1982 – 1985 – аспірантура Інституту Напівпровідників АН УРСР

Наукові ступені та звання: 
1986 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді К.016.37.01 Інституту металофізики ім. Г.В.Курдюмова НАН України (04.06.1986 р.). 
1995 – Старший науковий співробітник (01.04.07–фізика твердого тіла)
2000 – Доктор фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д26.001.23 Київського Національного Університету імені Тараса Шевченка (22.05.2000 р.).
2007– Професор (зі спеціальності 01.04.07–фізика твердого тіла)
2015 – Член-кореспондент НАН України (зі спеціальності "Кореляційна оптика") (обраний 06.03.2015).

Кар’єра:
1979-1982 - Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету
1982-1985 - Аспірант Інституту Напівпровідників
1985-1988 – Молодший науковий співробітник
1988-2000 – Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників,
2000-2004 – Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників
2004 дотепер – завідувач відділу cтруктурного аналізу матеріалів і систем Інституту фізики напівпровідників НАН України, Київ, Україна                                                                 
2013 дотепер – заступник директора з наукової роботи в Інституті Фізики Напівпровідників НАН України, Київ, Україна

Наукова спеціалізація:
(i) головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів
(іі) інші напрями: фізика напівпровідників,  дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів
(iii) поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів

Стажування за кордоном:
Університет м.Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці) 

Нагороди, Членство в Товариствах:
- Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.
- Подяка Президії НАН України (2010 р.)
- Подяка від Київського міського голови (2005 р.)
- Винахідник СРСР (1986 р.)
- член Українського Фізичного Товариства
- член Міжнародного союзу кристалографів

Науково-організаційна робота:

- заступник головного редактора журналу "Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics";
- асоційований редактор журналу "Nanotechnology and Nanomaterials" (Хорватія) (2014 Impact Factor: 0.857);
- головний редактор тематичного розділу "Українського фізичного журналу";
- член редколегії наукового журналу "Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології";
- член редколегії наукового журналу "Складні системи і процеси".
- член спеціалізованої вченої ради Д26.199.02 при Інституті фізики напівпровідників НАН України.
- член експертної ради ДАК МОН України,
- керівник секції "Напівпровідникове матеріалознавство" Наукової ради з проблеми "Фізика напівпровідників і напівпровідникових пристроїв" при ВФА НАН України,
- член секції "Фізичні основи діагностики матеріалів" Наукової ради з проблеми "Фізика металічного стану" при ВФА НАН України.

Публікації:

- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 413 
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 170
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 530 (h-index = 11)
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1040 (h-index = 16)
- Кількість конференцій: 141
- Кількість монографій: 8 (див. в розділі публікації)
- Авторські свідоцтва: 5
- Патенти: 4

Педагогічна діяльність:
Підготував 8 кандидатів фізико-математичних наук (Кучук А.В., Єфанов О.М., Корчовий А.А., Слободян М.В., Сафрюк Н.В., Гудименко О.Й.,  Станчу Г.В., Кривий С.Б. - спеціальність 01.04.07 – фізика твердого тіла).  Керівник дисертаційних робіт аспірантів: Любченка О.І., Поліщук Ю.С. 


Список публікацій:

  1. Компланарна багатопроменева динамічна теорія дифракції Х-променів у шаруватих структурах
    О.М. Єфанов, В.П. Кладько, В.Ф. Мачулін // Укр. фіз. журн. 2006. Т.51, №9. C.895-901. (Cited 3 times)

    Download: [pdf]

  2. Динамический расчет карт обратного пространства частично релаксированных многослойных структур некомпланарным многоволновым методом
    А.Н. Ефанов, В.П. Кладько, И.С. Савельева // Материалы третьего международного научного семинара "Современные методы анализа дифракционных данных (торография, дифрактометрия, электронная микроскопия)" (22-25 мая, 2006, Великий Новгород, Россия)

    Download: [pdf]

  3. Technology and comparative investigation of ternary W-TiN and Ta(Ti)-SiN thin films diffusion barriers
    Kuchuk A.V., Kladko V.P., Machulin V.F., Piotrowska A.  // Proceedings of 18th International Symposium “Thin Films in Optics and Nano-Electronics” at Kharkov Nanotechnology Assembly, Kharkov - 2006, Vol. 2. P. 68-72.

    Download: [pdf]

  4. Heat-Resistant AuВ-TiBxВ-n-GaN Schottky Diodes
    A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, V.N. Ivanov, V.P. Kladko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Kuchuk, O.S. Lytvyn, V.V. Milenin, Yu.N. Sveshnikov  // Microwave and Telecommunication Technology, 2006. Volume: 2, P.644-645 CriMiCO '06. 16th International Crimean Conference

    Download: [pdf]

  5. Рентгенооптичні ефекти в багатошарових періодичних квантових структурах (X-Ray Optic Effects in Multilayered Periodic Quantum Structures)
    Кладько В.П., Мачулін В.Ф., Григор’єв Д.О., Прокопенко І.В. (V.P. Kladko, V.F. Маchulin, D.О. Grygoryev, І.V. Prokopenko 2006 (in Ukrainian))  // (монографія) Київ, 2006 р. Наукова думка, – 288 с. http://x-ray.net.ua/print/books/ (Cited 6 times)

  6. Study of strain relaxation in CdSe/ZnSe nanostructures
    L. Borkovska, R. Beyer, O. Gudymenko, V. Kladko, N. Korsunska, T. Kryshtab, Yu. Sadofyev, Ye. Venger // Journal of Crystal Growth, 2005, 275, Issues 1-2. e2281-e2287. (cited 2 times)

    Download: [pdf]

  7. Effect of Nitrogen in Ta—Si—N Thin Films on Properties and Diffusion Barrier Performances
    A.V. Kuchuk, V.P. Kladko, V.F. Machulin, O.S. Lytvyn, А.А. Коrchovyi, A. Piotrowska, R.A. Minikayev, and R. Jakiela // Металлофизика и новейшие технологии. / Metallofiz. Noveishie Tekhnol. 2005, т. 27, № 5, сс. 625—634

    Download: [pdf]

  8. Experimental and theoretical study of the influence of growth temperature on composition in self-assembled SiGe QD’s
    A.M. Yaremko, V.O. Yukhymchuk, M.Ya. Valakh, A.V. Novikov, V.P. Melnik, O.S. Lytvyn, D.N. Lobanov, Z.F. Krasil’nik, V.P. Kladko, V.M. Dzhagan // Materials Science and Engineering C 25 (2005) P.565–569. (cited 2 times)

    Download: [pdf]

  9. Enhanced relaxation of SiGe layers by He implantation supported byin situ ultrasonic treatments
    B. Romanjuk, V. Kladko, V. Melnik, V. Popov, V. Yukhymchuk, A. Gudymenko, Ya. Olikh, G. Weidner, D. Kruger // Materials Science in Semiconductor Processing V.8 (2005) 171–175. (cited 5 times)

    Download: [pdf]

  10. Screen-printed p-CdTe layers for CdS/CdTe solar cells
    V.P. Klad’ko, P.M. Lytvyn, N.M. Osipyonok, G.S. Pekar, I.V. Prokopenko, A.F. Singaevsky // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2005. V. 8, N 2. P. 61-65.

    Download: [pdf]


 
© 2006-2017