укр
eng
Кладько Василь - член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки, Лауреат премії ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Адреса:
Інститут Фізики Напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, Національна Академія Наук України.
03028 Київ, пр. Науки 45, УКРАЇНА
Дата і місце народження: 12 січня 1957 р., с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область
Національність: Українець
Освіта:
1964 – 1974 – Озерська середня школа (з золотою медаллю);
1974 – 1979 – Чернівецький Державний Університет, фізичний факультет (з відзнакою);
1982 – 1985 – аспірантура Інституту Напівпровідників АН УРСР
Наукові ступені та звання:
1986 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді К.016.37.01 Інституту металофізики ім. Г.В.Курдюмова НАН України (04.06.1986 р.).
1995 – Старший науковий співробітник (01.04.07–фізика твердого тіла)
2000 – Доктор фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д26.001.23 Київського Національного Університету імені Тараса Шевченка (22.05.2000 р.).
2007– Професор (зі спеціальності 01.04.07–фізика твердого тіла)
2015 – Член-кореспондент НАН України (зі спеціальності "Кореляційна оптика") (обраний 06.03.2015).
Кар’єра:
1979-1982 - Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету
1982-1985 - Аспірант Інституту Напівпровідників
1985-1988 – Молодший науковий співробітник
1988-2000 – Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників,
2000-2004 – Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників
2004 дотепер – завідувач відділу cтруктурного аналізу матеріалів і систем Інституту фізики напівпровідників НАН України, Київ, Україна
2013 дотепер – заступник директора з наукової роботи в Інституті Фізики Напівпровідників НАН України, Київ, Україна
Наукова спеціалізація:
(i) головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів
(іі) інші напрями: фізика напівпровідників, дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів
(iii) поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів
Університет м.Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)
Нагороди, Членство в Товариствах:
- Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.- Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України (За видатні роботи в галузі фізики напівпровідників та напівпровідникового приладобудування) 2017 р.
- Подяка Президії НАН України (2010 р.)
- Подяка від Київського міського голови (2005 р.)
- Винахідник СРСР (1986 р.)
- член Українського Фізичного Товариства
- член Міжнародного союзу кристалографів
Науково-організаційна робота:
- заступник головного редактора журналу "Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics";- асоційований редактор журналу "Nanotechnology and Nanomaterials" (Хорватія) (2014 Impact Factor: 0.857);
- головний редактор тематичного розділу "Українського фізичного журналу";
- член редколегії наукового журналу "Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології";
- член редколегії наукового журналу "Складні системи і процеси".
- член спеціалізованої вченої ради Д26.199.02 при Інституті фізики напівпровідників НАН України.
- член експертної ради ДАК МОН України,
- керівник секції "Напівпровідникове матеріалознавство" Наукової ради з проблеми "Фізика напівпровідників і напівпровідникових пристроїв" при ВФА НАН України,
- член секції "Фізичні основи діагностики матеріалів" Наукової ради з проблеми "Фізика металічного стану" при ВФА НАН України
Публікації:
- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 436
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 178
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 615 (h-index = 11)
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1205 (h-index = 17)
- Кількість конференцій: 147
- Кількість монографій: 8 (див. в розділі публікації)
- Авторські свідоцтва: 5
- Патенти: 5
Педагогічна діяльність:
Підготував 8 кандидатів фізико-математичних наук (Кучук А.В., Єфанов О.М., Корчовий А.А., Слободян М.В., Сафрюк Н.В., Гудименко О.Й., Станчу Г.В., Кривий С.Б. - спеціальність 01.04.07 – фізика твердого тіла). Керівник дисертаційних робіт аспірантів: Любченка О.І., Поліщук Ю.С.
Список публікацій:
- The Formation Mechanism of Ni-based Ohmic Contacts to 4H-n-SiC
Andrian V. Kuchuk, Vasyl P. Kladko, Krystyna Golaszewska, Marek Guziewicz, Marek Wzorek, Eliana Kaminska, and Anna Piotrowska // Material Science Forum, 2012. V.717-720, P.833-836.Download: [pdf] - Structural transformations in ZnS:Cu in the course of thermal annealing
Yu.Yu. Bacherikov, N.E. Korsunska, V.P. Kladko, E.F. Venger, N.P. Baran, A.V. Kuchuk, A.G. Zhuk // Semiconductors, 2012. Vol.46, Number 2, P.188-192. DOI: 10.1134/S1063782612020030Download: [pdf] - Study of thermal stability of CdSe/ZnSe quantum dot heterostructures
L.V. Borkovska, N.O. Korsunska, V.I. Kushnirenko, T.R. Stara, V.P. Kladko, and T.G. Kryshtab // Physica Status Solidi (C), 2012, V.9 Issue 8-9, P.1768–1771, DOI: 10.1002/pssc.201100603 (cited 1 times)Download: [pdf] - Features of temperature dependence of contact resistivity in ohmic contacts on lapped n-Si
A.V. Sachenko, A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, A.O. Vinogradov, V.P. Kladko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Kuchuk, V.N. Sheremet and S. Vitusevich // Journal of Applied Physics, 2012, Vol.112 Issue 6. P.063703. (cited 5 times)Download: [pdf] - Effects of the lateral ordering of self-assembled SiGe nanoislands grown on strained Si1 − xGex buffer layers
V.V. Strelchuk, A.S. Nikolenko, P.M. Lytvyn, V.P. Kladko and A.I. Gudymenko, M.Ya. Valakh, Z.F. Krasilnik, D.N. Lobanov, A.V. Novikov // Semiconductors, 2012, V.46. No5 P.647-654. DOI:10.1134/S1063782612050211 (cited 1 times)Download: [pdf] - Resistance Formation Mechanisms for Contacts to III-N Heterostructures with High Dislocation Density
A.V. Sachenko, A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, Yu.V. Zhilyaev, L.M. Kapitanchuk, V.P. Kladko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Kuchuk, A.V. Naumov, V.V. Panteleev, V.N. Sheremet // Semiconductor Physics, Quantum Electronics, Optoelectronics, 2012. V.15, No4. P.351-357.Download: [pdf] - Principles of quantitative X-ray-acoustic diagnostics of microdefects in single crystals
Molodkin V.B., Kovalchuk M.V., Machulin V.F., Nizkova G.I., Muhamedjanov E.H., Lizunova S.V., Kladko V.P., Dmitriev S.V., Zabolotnyy I.M., Irkha N.P., Brovchuk S.M., Vasylyk Y.V., Lizunov V.V., Katasonov A.A., Rudnyts'ka I.I., Kharchenko V.S., Blagov A.E., Molodkin V.V., Pervak K.V., Lekhnyak R.V. // Metallofizika i Noveishie Tekhnologii, (2012), V.34, No9. P.1163-1178.Download: [pdf] - Диагностика структуры новейших кристаллических материалов и многослойных изделий нанотехнологий с неоднородно распределенными макродеформациями и микродефектами нескольких типов
Молодкин В.Б., Ковальчук М.В., Мачулин В.Ф., Мухамеджанов Э.Х., Низкова А.И., Лизунова С.В., Олиховский С.И., Лень Е.Г., Шелудченко Б.В., Дмитриев С.В., Скакунова Е.С., Молодкин В.В., Лизунов В.В., Катасонов А.А., Заболотный И.Н., Кладько В.П., Карамурзов Б.С., Оранова Т.И., Хапачев Ю.П. // Актуальные вопросы современного естествознания. 2012, No 10, C.48-104. - Influence of template type and buffer strain on structural properties of GaN multilayer quantum wells grown by PAMBE. X-Ray study.
V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, N.V. Safryuk, V.F. Machulin, P.M. Lytvyn, V.G. Raicheva, A.E. Belyaev, Yu.I. Mazur, E.A. DeCuir Jr, M.E. Ware, and G.J. Salamo // Journal of Physics D: Applied Physics, 2011. V.44. No2, P.025403(8), (cited 5 times)Download: [pdf] - Эволюция деформационного состояния и компонентного состава при изменении количества квантовых ям в InGaN/GaN многослойных структурах
Кладько В.П., Кучук А.В., Сафрюк Н.В., Мачулин В.Ф., Беляев А.Е., Конакова Р.В., Явич Б.С., Бер Б.Я., Казанцев Д.Ю. // Физика и техника полупроводников, 2011. Т.45, вып.6, C.770-777. (cited 1 times)Download: [pdf]
