укр
eng
Кладько Василь - член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки, Лауреат премії ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Адреса:
Інститут Фізики Напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, Національна Академія Наук України.
03028 Київ, пр. Науки 45, УКРАЇНА
Дата і місце народження: 12 січня 1957 р., с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область
Національність: Українець
Освіта:
1964 – 1974 – Озерська середня школа (з золотою медаллю);
1974 – 1979 – Чернівецький Державний Університет, фізичний факультет (з відзнакою);
1982 – 1985 – аспірантура Інституту Напівпровідників АН УРСР
Наукові ступені та звання:
1986 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді К.016.37.01 Інституту металофізики ім. Г.В.Курдюмова НАН України (04.06.1986 р.).
1995 – Старший науковий співробітник (01.04.07–фізика твердого тіла)
2000 – Доктор фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д26.001.23 Київського Національного Університету імені Тараса Шевченка (22.05.2000 р.).
2007– Професор (зі спеціальності 01.04.07–фізика твердого тіла)
2015 – Член-кореспондент НАН України (зі спеціальності "Кореляційна оптика") (обраний 06.03.2015).
Кар’єра:
1979-1982 - Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету
1982-1985 - Аспірант Інституту Напівпровідників
1985-1988 – Молодший науковий співробітник
1988-2000 – Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників,
2000-2004 – Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників
2004 дотепер – завідувач відділу cтруктурного аналізу матеріалів і систем Інституту фізики напівпровідників НАН України, Київ, Україна
2013 дотепер – заступник директора з наукової роботи в Інституті Фізики Напівпровідників НАН України, Київ, Україна
Наукова спеціалізація:
(i) головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів
(іі) інші напрями: фізика напівпровідників, дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів
(iii) поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів
Університет м.Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)
Нагороди, Членство в Товариствах:
- Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.- Подяка від Київського міського голови (2005 р.)
- Винахідник СРСР (1986 р.)
- член Українського Фізичного Товариства
- член Міжнародного союзу кристалографів
Науково-організаційна робота:
- заступник головного редактора журналу "Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics";- асоційований редактор журналу "Nanotechnology and Nanomaterials" (Хорватія) (2014 Impact Factor: 0.857);
- головний редактор тематичного розділу "Українського фізичного журналу";
- керівник секції "Напівпровідникове матеріалознавство" Наукової ради з проблеми "Фізика напівпровідників і напівпровідникових пристроїв" при ВФА НАН України,
- член секції "Фізичні основи діагностики матеріалів" Наукової ради з проблеми "Фізика металічного стану" при ВФА НАН України
Публікації:
- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 436
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 190
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 711 (h-index = 12)
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1335 (h-index = 19)
- Кількість конференцій: 152
- Кількість монографій: 8 (див. в розділі публікації)
- Авторські свідоцтва: 5
- Патенти: 6
Педагогічна діяльність:
Підготував 8 кандидатів фізико-математичних наук (Кучук А.В., Єфанов О.М., Корчовий А.А., Слободян М.В., Сафрюк Н.В., Гудименко О.Й., Станчу Г.В., Кривий С.Б. - спеціальність 01.04.07 – фізика твердого тіла). Керівник дисертаційних робіт: аспіранта Любченка О.І., м.н.с. Поліщук Ю.С. та Максименко З.В.
Список публікацій:
- Formation Mechanism of Contact Resistance to III–N Heterostructures with a High Dislocation Density
A.V. Sachenko, A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, Yu.V. Zhilyaev, L.M. Kapitanchuk, V.P. Kladko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Naumov, V.N. Panteleev, V.N. Sheremet // Semiconductors, 2013, Vol.47, No.9, P.1180–1184.Download: [pdf] - Спосіб виготовлення термочутливої плівки оксиду ванадію для неохолоджуваних болометрів.
Голтвянський Ю.М., Венгер Є.Ф., Хацевич І.М., Нікірін В.В., Мусаєв М.М., Оберемок О.С., Кладько В.П., Кучук А.В. // Патент України на корисну модель № 83371. (Бюл. 10.09.2013). - Mechanism of oxygen redistribution during ultra-shallow junction formation in silicon
O.S. Oberemok, D.V. Gamov, V.G._Litovchenko, B.M. Romanyuk, V.P. Melnik, V.P. Kladko, V.G. Popov, O.Yo. Gudymenko // Proceedings of the International Conference Nanomaterials: Applications and Properties, 2013, V.2, No 1, 01PCSI14(3p).Download: [pdf] - Study of Structure and Intrinsic Stresses of Ge Thin Films on GaAs
V.V. Kholevchuk, V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, P.M. Lytvyn, L.A. Matveeva, V.F. Mitin // Proceedings of the International Conference Nanomaterials 2013: Applications and Properties, 2013, V.2, No 1, 01PCSI20(4p).Download: [pdf] - Correlation between crystallographic alignment of self-induced GaN nanowires and features of Si(111) nitridation
A.V. Kuchuk, V.P. Kladko, P.M. Lytvyn, H.V. Stanchu, A. Wierzbicka, M. Sobancka, K. Klosek, Z.R. Zytkiewicz // Proceedings of the International Conference Nanomaterials 2013: Applications and Properties, 2013, V.2, No 4, 04NAESP21(4p).Download: [pdf] - Modification of the Crystal Structure of Gadolinium Gallium Garnet by Helium Ion Irradiation
B.K. Ostafiychuk, I.P. Yaremiy, S.I. Yaremiy, V.D. Fedoriv, U.O. Tomyn, M.M. Umantsiv, I.M. Fodchuk, and V.P. Kladko // Crystallography Reports, 2013, V.58, No7, P.1017-1022.Download: [pdf] - Interrelation between Light Emitting and Structural Properties of Si Nanoclusters Embedded in SiO2 and Al2O3 Hosts
L. Khomenkova, O. Kolomys, V. Strelchuk, A. Kuchuk, V. Kladko, M. Baran, J. Jedrzejewski, I. Balberg, P. Marie, F. Gourbilleau and N. Korsunska // Materials Research Society Symposium Proceedings, 2013. V.1617. P.75-80. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2013.1167Download: [pdf] - Mechanism of current flow and temperature dependence of contact resistivity in Au-Pd-Ti-Pd-n+-GaN ohmic contacts
A.V. Sachenko, A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, L.M. Kapitanchuk, V.P. Kladko, R.V. Konakova, A.V. Kuchuk, T.V. Korostinskaya, A.S. Pilipchuk, V.N. Sheremet, Yu.I. Mazur, M.E. Ware, G.J. Salamo // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2013, V.16, N4, P.313-321. - Магнетронные нанокомпозитные покрытия nc-TiC/a-C.
Борисов Ю.С., Кузнецов М.В., Волос А.В., Задоя В.Г., Капитанчук Л.М., Стрельчук В.В., Кладко В.П., Горбань В.Ф. // Автоматическая сварка. 2013, Вып.7, С.26-32. - Эффекты латерального упорядочения самоорганизованных SiGe наноостровков, выращенных на напряженных Si1-xGex буферных слоях
В.В. Стрельчук, A.С. Николенко, П.M. Литвин, В.П. Кладько, А.И. Гудыменко, М.Я. Валах, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков // Физика и техника полупроводников, 2012. Т.46, в.5, С.665-672. (cited 1 times)Download: [pdf]
