укр
eng
Васи́ль Петро́вич Кладько́ Член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р., Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2017 р.
Дата та місце народження: 12 січня 1957 р. у с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область.
Освіта:
1964—1974 — Озерська середня школа (золота медаль); 1974—1979 — студент Чернівецького Державного Університету, фізичний факультет (з відзнакою); 1982—1985 — аспірант Інституту Напівпровідників АН УРСР. 1998—2000 — докторант Інституту Фізики Напівпровідників НАН України.
Наукові ступені та
звання:
Кар’єра:
1974—1979 — Студент фізичного факультету Чернівецького державного університету; 1979—1982 — Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету; 1982—1985 — Аспірант Інституту Напівпровідників; 1985—1988 — Молодший науковий співробітник; 1988—2000 — Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників; 2000—2004 — Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників; 2004 дотепер — завідувач відділу «Структурного аналізу матеріалів і систем напівпровідників» Інституту Фізики Напівпровідників НАН, Київ, Україна ; 2013 дотепер — заступник директора Інституту Фізики Напівпровідників НАНУ з наукової роботи, Київ, Україна.Наукова діяльність
головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів; інші напрями: фізика напівпровідників, дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів; поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів.Стажування за кордоном Університет м. Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)
Нагороди, Членство в Товариствах
Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.; Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України (За видатні роботи в галузі фізики напівпровідників та напівпровідникового приладобудування) 2017 р.; Пам'ятна відзнака Національної Академії Наук України (2018 р.); Подяка Президії НАН України (2010 р.); Подяка від Київського міського голови (2005 р.); Винахідник СРСР (1986 р.); член Українського Фізичного Товариства; член Міжнародного союзу кристалографів; заступник головного редактора журналу «Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics» редактор тематичного розділу журналу «Український фізичний журнал» член редколегії наукового журналу «Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології»член редколегії наукового журналу «Фізика і хімія твердого тіла»
Публікації
Загальна кількість статей в реферованих журналах: 458 Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 208 Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 926 (h-index = 15) Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1712 (h-index = 22) Кількість конференцій: 213 Монографії: 9Авторські свідоцтва: 5
Патенти: 6
Педагогічна діяльність
У вiддiлi пiд керiвництвом член-кор. НАН України, доктора фiз.-мат. наук, професора В.П. Кладька захищенi 11 дисертацiй кандидата фiз.-мат.наук, з них у 2006 р. аспiрантами А.В. Кучуком та О.М. Єфановим, у 2007 р. - м.н.с. Корчовим А.А., у 2009 р. - наук. співроб. М.В. Слободяном, у 2012 р. - аспіранткою Сафрюк Н.В. та н.с. Гудименком О.Й., 2016 р. - аспірантом Станчу Г.В., 2017 р. - аспірантом Кривим С.Б., а у 2019 р. аспірантом Любченком О.І., н.с. Максименко З.В. та м.н.с. Поліщук Ю.О.Список публікацій:
[<< попередня] ----- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 ----- [наступна >>]
- The influence of annealing on structural and photoluminescence properties of silicon-rich Al2O3 films prepared by co-sputtering
N. Korsunska, T. Stara, V. Strelchyk, O. Kolomys, V. Kladko, A. Kuchuk, L. Khomenkova, J. Jedrzejewski, I. Balberg // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 2013, V.51, P.115-119.Download: [pdf] - Интегральная схема СВЧ-модулятора сантиметрового диапазона на слоях поликристаллической алмазной пленки
Басанец В.В., Болтовец Н.С., Гуцул А.В., Зоренко А.В., Ральченко В.Г., Беляев А.Е., Кладько В.П., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Кучук А.В., Миленин В.В. // Журнал Технической Физики, 2013. T.83, выпуск 3. C.113-117. (cited 1 time)Download: [pdf] - Особенности легирования порошкообразного ZnS примесью Mn в процессе синтеза и последующего отжига
Корсунская Н.Е., Бачериков Ю.Ю., Стара Т.Р., Кладько В.П., Баран Н.П., Полищук Ю.О., Кучук А.В., Жук А.Г., Венгер Е.Ф. // Физика и техника полупроводников, 2013, Т.47, вып.5. С.702-709.Download: [pdf] - Хіміко-механічне полірування монокристалів PbTe та твердих розчинів Pb1-xSnxTe в травильних композиціях H2O2–HBr–етиленгліколь
Маланич Г.П., Томашик З.Ф., Томашик В.М., Стратійчук І.Б., Сафрюк Н.В., Кладько В.П. // Науковий вісник ЧНУ. Хімія, 2013, вип.640. С.72-78.Download: [pdf] - К вопросу о механизме формирования контактного сопротивления на шлифованных образцах n-Si
А.В. Саченко, А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, А.О. Виноградов, Л.М. Капитанчук, Р.В. Конакова, В.П. Костылев, Я.Я. Кудрик, В.П. Кладько, В.Н. Шеремет // Физика и техника полупроводников, 2013, Т.47, вып.3, С.426-431. (cited 1 time)Download: [pdf] - The Mechanism of Contact-Resistance Formation on Lapped n-Si Surfaces.
A.V. Sachenko, A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, A.O. Vinogradov, L.M. Kapitanchuk, R.V. Konakova, V.P. Kostylev, Ya.Ya. Kudrik, V.P. Kladko, V.N. Sheremet // Semiconductors, 2013, V.47, No 3, P.449-454. (cited 1 time)Download: [pdf] - Integrated Microwave (Centimeter-Range) Modulator on Polycrystalline Diamond Layers
V.V. Basanets, N.S. Boltovets, A.V. Gutsul, A.V. Zorenko, V.G. Ral’chenko, A.E. Belyaev, V.P. Kladko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudrik, A.V. Kuchuk, and V.V. Milenin // Technical Physics, 2013, Vol.58, No.3, P.420–424. (cited 1 time)Download: [pdf] - Resistance formation mechanisms for contacts to n-GaN and n-AlN with high dislocation density
A.V. Sachenko, A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, Yu.V. Zhilyaev, V.P. Klad'ko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, V.N. Panteleev and V.N. Sheremet // Physica status solidi (c), 2013, V.10, Issue 3. P.498-500. DOI:10.1002/pssc.201200530 (cited 1 time)Download: [pdf] - Influence of Carbon Layer on the Properties of Ni-Based Ohmic Contact to n-Type 4H-SiC
A. Kuchuk, V. Kladko, Z. Adamus, M. Wzorek, M. Borysiewicz, P. Borowicz, A. Barcz, K. Golaszewska, and A. Piotrowska // ISRN Electronics, vol.2013, Article ID 271658, 5 pages, 2013. doi:10.1155/2013/271658Download: [pdf] - Features of ZnS-Powder Doping with a Mn Impurity during Synthesis and Subsequent Annealing
N.E. Korsunskaya, Yu.Yu. Bacherikov, T.R. Stara, V.P. Kladko, N.P. Baran, Yu.O. Polischuk, A.V. Kuchuk, A.G. Zhuk, E.F. Venger // Semiconductors, 2013, V.47, N5, P.713-720.Download: [pdf]
[<< попередня] ----- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 ----- [наступна >>]
