укр
eng
Кладько Василь - доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки
Адреса:
Інститут Фізики Напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, Національна Академія Наук України.
03028 Київ, пр. Науки 45, УКРАЇНА
Дата і місце народження: 12 січня 1957 р., с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область
Національність: Українець
Освіта:
1974 – 1979 – студент Чернівецького Державного Університету, фізичний факультет
1982 – 1985 – аспірант Інституту Напівпровідників АН УРСР
Наукові ступені та звання:
1986 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді К.016.37.01 Інституту металофізики ім. Г.В.Курдюмова НАН України (04.06.1986 р.).
1995 – Старший науковий співробітник (01.04.07–фізика твердого тіла)
2000 – Доктор фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д 26.001.23 Київського Національного Університету імені Тараса Шевченка (22.05.2000 р.).
2007– Професор (зі спеціальності 01.04.07–фізика твердого тіла)
Кар’єра:
1979-1982 - Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету
1982-1985 - Аспірант Інституту Напівпровідників
1985-1988 – Молодший науковий співробітник
1988-2000 – Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників,
2000-2004 – Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників
2004 дотепер – завідувач відділу "Дифракційних досліджень структури напівпровідників" Інституту Фізики Напівпровідників НАН, Київ, Україна
Наукова спеціалізація:
(i) головний напрям: фізика твердого тіла, резонансне розсіяння випромінювань, фізика і реальна структура кристалічних матеріалів
(іі) інші напрями: фізика напівпровідників, розсіювання вторинних випромінювань
(iii) поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, надгратки і квантові ями (точки), фізика і реальна структура кристалічних матеріалів, рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія
Університет м.Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)
Нагороди, Членство в Товариствах
- Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.
- Подяка від Київського міського голови (2005 р.)
- Винахідник СРСР (1986 р.)
- член Українського Фізичного Товариства
- член Міжнародного союзу кристалографів
- заступник головного редактора журналу "Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics"
- член редколегії наукового журналу "Складні системи і процеси"
Публікації:
- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 260
- Кількість статей в реферованих міжнародних журналах: 82 (h-index = 5)
- Кількість конференцій: 107
- Кількість монографій: 4 (див. в розділі публікації)
- Авторські свідоцтва: 5
Педагогічна діяльність:
Підготував 4 кандидатів фіз.-мат. наук (Кучук А.В., Єфанов О.М., Корчовий А.А., Слободян М.В. - спеціальність 01.04.07 – фізика твердого тіла).
Керівник 2 дисертаційних робіт: аспірантка Сафрюк Н.В., м.н.с. Гудименко О.Й.
Список публікацій:
- Properties of GaN(SiC)–(Ti, Zr)Bx Contacts Subjected to Rapid Thermal Annealing.
A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, V.N. Ivanov, R.V. Konakova, V.P. Kladko, Ya.Ya. Kudryk, A.A. Lebedev, V.V. Milenin, and V.N. Sheremet // Semiconductors, 2009, Vol.43, No.8, P.1086–1091.Download: [pdf] - Mechanism of strain relaxation by twisted nanocolumns revealed in AlGaN/GaN heterostructures
V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, N.V. Safryuk, V.F. Machulin, A.E. Belyaev, H. Hardtdegen, and S.A. Vitusevich // Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology (August 3), 2009 Vol.20, Issue 5. - Interactions between phases and mechanism of current flow in the Au−TiBx−AuGe−n-GaP ohmic contacts.
A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, V.N. Ivanov, A.B. Kamalov, L.M. Kapitanchuk, V.P. Kladko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, V.V. Milenin, M.U. Nasyrov, P.V. Nevolin // Semiconductors, 2009, V.43, No 11. P.1428-1432.Download: [pdf] - Омические контакты Au-Ti-n+Si, Au-Ti-Pd2Si-n+Si к кремниевым СВЧ диодам
А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, А.М. Капитанчук, В.П. Кладько, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, А.В. Кучук, Т.В. Коростинская, О.С. Литвин, В.В. Миленин, П.В. Неволин, А.Б. Атаубаева // Техника и приборы СВЧ, 2009. №2. С.31-34.Download: [pdf] - Новые диагностические возможности деформационных зависимостей интегральной интенсивности рассеяния кристаллами с дефектами для лауэ-дифракции в области К-края поглощения.
А.П. Шпак, В.Б. Молодкин, М.В. Ковальчук, В.Л. Носик, А.И. Низкова, В.Ф. Мачулин, И.В. Прокопенко, Е.Н. Кисловский, В.П. Кладько, С.В. Дмитриев, Е.В. Первак, Е.Г. Лень, А.А. Белоцкая, Я.В. Василик, А.И. Гранкина, И.Н. Заболотный, А.А. Катасонова, М.Т. Когут, О.С. Кононенко, А.В. Мельник, В.В. Молодкин, Л.И. Ниничук, И.И. Рудницкая. // Металлофизика и новейшие технологии, 2009, Т.31. №7, С.927-945.Download: [pdf] - Новые диагностические возможности деформационных зависимостей интегральной интенсивности рассеяния кристаллами с дефектами для лауэ-дифракции в условиях нарушения закона Фриделя.
А.П. Шпак, В.Б. Молодкин, М.В. Ковальчук, В.Л. Носик, А.И. Низкова, В.Ф. Мачулин, И.В. Прокопенко, Е.Н. Кисловский, В.П. Кладько, С.В. Дмитриев, Е.В. Первак, Е.Г. Лень, А.А. Белоцкая, Я.В. Василик, А.И. Гранкина, И.Н. Заболотный, А.А. Катасонова, М.Т. Когут, О.С. Кононенко, А.В. Мельник, В.В. Молодкин, Л.И. Ниничук, И.И. Рудницкая. // Металлофизика и новейшие технологии, 2009, Т.31. №8, С.1041-1049.Download: [pdf] - Вплив радіуса кривизни багатошарових структур на спектри дифракції Х-променів
В.П. Кладько, М.В. Слободян, В.Ф. Мачулін // Український фізичний журнал, 2008, T.53. №2. C.167-171.Download: [pdf] - Особливості дефектоутворення в приповерхневих шарах монокристалів кремнію при акустостимульованій імплантації іонів бору та миш'яку
О.Й. Гудименко, В.П. Кладько, В.П. Мельник, Я.М. Оліх, В.Г. Попов, Б.М. Романюк, М.В. Слободян, П.П. Когутюк // Український фізичний журнал, 2008, т.53, №2. C.140-145.Download: [pdf] - A new type of structural defects in CdZnSe/ZnSe heterostructures.
L.Borkovska, N.Korsunska, V.Kladko, M.Slobodyan, O.Yefanov, Ye.Venger, T.Kryshtab, Yu.Sadofyev, I.Kazakov // Microelectronics Journal. 2008. V. 39, Issue 3-4, P.589-593.Download: [pdf] - Mechanism of dislocation-governed charge transport in schottky diodes based on gallium nitride.
A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, V.N. Ivanov, V.P. Klad’ko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudrik, A.V. Kuchuk, V.V. Milenin, Yu.N. Sveshnikov, V.N. Sheremet // (Semiconductors, 2008, Vol.42, No 6, P.689-694.) (cited 5 times)Download: [pdf]
