Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Кладько Василь Петрович

Васи́ль Петро́вич Кладько́ Член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р., Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2017 р.

Дата та місце народження: 12 січня 1957 р. у с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область.

Освіта:

1964—1974 — Озерська середня школа (золота медаль);
1974—1979 — студент Чернівецького Державного Університету, фізичний факультет (з відзнакою);
1982—1985 — аспірант Інституту Напівпровідників АН УРСР.
1998—2000 — докторант Інституту Фізики Напівпровідників НАН України.

Наукові ступені та звання:

1986 — Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07-фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді К.016.37.01 Інституту металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України (04.06.1986 р.);
1995 — Старший науковий співробітник (01.04.07-фізика твердого тіла);
2000 — Доктор фізико-математичних наук (01.04.07-фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д 26.001.23 Київського Національного Університету імені Тараса Шевченка (22.05.2000 р.);
2007 — Професор (спеціальність 01.04.07-фізика твердого тіла).
2015 — Член-кореспондент НАН України (спеціальність «Кореляційна оптика») (обраний 06.03.2015 р.).

Кар’єра:

1974—1979 — Студент фізичного факультету Чернівецького державного університету;
1979—1982 — Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету;
1982—1985 — Аспірант Інституту Напівпровідників;
1985—1988 — Молодший науковий співробітник;
1988—2000 — Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників;
2000—2004 — Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників;
2004 дотепер — завідувач відділу «Структурного аналізу матеріалів і систем напівпровідників» Інституту Фізики Напівпровідників НАН, Київ, Україна ;
2013 дотепер — заступник директора Інституту Фізики Напівпровідників НАНУ з наукової роботи, Київ, Україна.

Наукова діяльність

головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів;
інші напрями: фізика напівпровідників, дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів;
поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів.

Стажування за кордоном Університет м. Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)

Нагороди, Членство в Товариствах

Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.;
Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України (За видатні роботи в галузі фізики напівпровідників та напівпровідникового приладобудування) 2017 р.;
Пам'ятна відзнака Національної Академії Наук України (2018 р.);
Подяка Президії НАН України (2010 р.);
Подяка від Київського міського голови (2005 р.);
Винахідник СРСР (1986 р.);
член Українського Фізичного Товариства;
член Міжнародного союзу кристалографів;
заступник головного редактора журналу «Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics»
редактор тематичного розділу журналу «Український фізичний журнал»
член редколегії наукового журналу «Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології»

Публікації

    Загальна кількість статей в реферованих журналах: 456
    Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 194
    Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 764 (h-index = 13)
    Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1426 (h-index = 20)
    Кількість конференцій: 201
    Монографії: 8  ;

Педагогічна діяльність
У вiддiлi пiд керiвництвом доктора фiз.-мат. наук, професора Кладька В.П. у 2006 р. захищенi дисертацiї кандидата фiз.-мат.наук аспiрантами А.В. Кучуком та О.М. Єфановим, у 2007 р. - м.н.с. Корчовим А.А., у 2009 р. - наук. співроб. М.В. Слободяном, у 2012 р. - аспіранткою Сафрюк Н.В. та н.с. Гудименком О.Й., 2016 р. - аспірантом Станчу Г.В. 2017 р. - аспірантом Кривим С.Б., а у 2019 р. аспірантом Любченком О.І., н.с. Максименко З.В. та м.н.с. Поліщук Ю.О.


Список публікацій:

  1. Oxygen Ion-beam modification of vanadium oxide films for the formation of high value of resistance temperature coefficient.
    T.M. Sabov, O.S. Oberemok, O.V. Dubikovskyi, V.P. Melnik, V.P. Kladko, B.M. Romanyuk, V.G. Popov, O.Yo. Gudymenko, N.V. Safriuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics@Optoelectronics, 2017. V.20, No 2. P.153-158.

    Download: [pdf]

  2. Enhanced recrystallization and dopant activation of P+ ion-implanted super-thin Ge layers by RF hydrogen plasma treatment.
    Alexei N. Nazarov, Volodymyr O. Yukhymchuk, Yurii V. Gomeniuk, Sergiy B. Kryvyi, Pavel N. Okholin, Petro M. Lytvyn, Vasyl P. Kladko, Volodymyr S. Lysenko, Volodymyr I. Glotov, Illya E. Golentus, Enrico Napolitani, Ray Duffy // Journal of Vacuum Science & Technology, B, 2017, V.35, Issue 5, 051203

    Download: [pdf]

  3. Властивості високодисперсних систем на основі кадмій телуриду, отриманих шляхом електрохімічного диспергування.
    С.Д. Борук, К.С. Дремлюженко, В.З. Цалий, І.М. Юрійчук, В.П. Кладько, А.Й. Гудименко, О.А. Капуш, С.Г. Дремлюженко, С.І. Будзуляк  // Фізика і хімія твердого тіла. 2017, Т.18, №3, С.338-341.

    Download: [pdf]

  4. Modeling of X-Ray Rocking Curve for Layers after Two-Stage Ion-Implantation.
    O.I. Liubchenko, V.P. Kladko, O.Yo. Gudymenko  // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2017. V.20, No 3. P.355-361.

    Download: [pdf]

  5. Optical and structural study of deformation states in the GaN/AlN superlattices
    Oleksandr Kolomys, Bogdan Tsykaniuk, Viktor Strelchuk, Andrey Naumov, Vasyl Kladko, Yuriy I. Mazur, Morgan E. Ware, Shibin Li, Andrian Kuchuk, Yurii Maidaniuk, Mourad Benamara, Alexander Belyaev, and Gregory J. Salamo // Journal of Applied Physics, 2017, V.122, Issue 15, 155302.

  6. Effect of well/barrier thickness ratio on strain relaxation in GaN/AlN superlattices grown on GaN/sapphire template
    Serhii B. Kryvyi, Petro M. Lytvyn, Vasyl P. Kladko, Hryhorii V. Stanchu, Andrian V. Kuchuk, Yuriy I. Mazur, Gregory J. Salamo, Shibin Li, Pavlo P. Kogutyuk, and Alexander E. Belyaev // Journal of Vacuum Science & Technology B, 2017, V.35, Issue 6, 062902.

  7. Synthesis, Luminescent and Structural Properties of the Cd1 – xCuxS and Cd1 – xZnxS Nanocrystals
    D.V. Korbutyak, V.P. Kladko, N.V. Safryuk, O.Y. Gudymenko, S.I. Budzulyak, V.M. Ermakov, O.P. Lotsko, V.S. Tokarev, H.A. Ilchuk, O.M. Shevchuk, R.Y. Petrus, N.M. Bukartyk, S.V. Tokarev, L.V. Dolynska // Journal of Nano- and Electronic Physics, 2017, V.9, №5, 05024(6).

    Download: [pdf]

  8. Effect of Cooling Rate on Dopant Spatial Localization and Phase Transformation in Cu-Doped Y-Stabilized ZrO2 Nanopowders
    Nadiia Korsunska, Mykola Baran, Igor Vorona, Valentyna Nosenko, Serhiy Lavoryk, Yuliya Polishchuk, Vasyl Kladko, Xavier Portier and Larysa Khomenkova // Physica Status Solidi (C), 2017, V.14, Issue 12, 1700183.

    Download: [pdf]

  9. Preparation and study of the porous Si surfaces obtained by electrochemical method
    V. Lytovchenko, T. Gorbanyuk, V. Kladko, A. Sarikov, N. Safriuk, L. Fedorenko, Steponas Asmontas, Jonas Gradauskas, Edmundas Sirmulis and Ovidijus Zalys // Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics, 2017, V.20, Issue 4, P.385-395.

    Download: [pdf]

  10. Magnetotransport and Dielectric Properties of Bi-Containing La0.6Sr0.15Bi0.15Mn1.1-xBxO3-δ Rare-Earth Manganites with B=Cr, Fe, Co, Ni.
    N.A. Liedienov, A.V. Pashchenko, I.V. Fesych, D.D. Tatarchuk, V.P. Kladko // IEEE International Young Scientists Forum on Applied Physics and Engineering YSF-2017, 2017, Lviv, Ukraine, P.179-182.

    Download: [pdf]


 
© 2006-2019