укр
eng
Васи́ль Петро́вич Кладько́ Член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р., Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2017 р.
Дата та місце народження: 12 січня 1957 р. у с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область.
Освіта:
1964—1974 — Озерська середня школа (золота медаль); 1974—1979 — студент Чернівецького Державного Університету, фізичний факультет (з відзнакою); 1982—1985 — аспірант Інституту Напівпровідників АН УРСР. 1998—2000 — докторант Інституту Фізики Напівпровідників НАН України.
Наукові ступені та
звання:
Кар’єра:
1974—1979 — Студент фізичного факультету Чернівецького державного університету; 1979—1982 — Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету; 1982—1985 — Аспірант Інституту Напівпровідників; 1985—1988 — Молодший науковий співробітник; 1988—2000 — Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників; 2000—2004 — Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників; 2004 дотепер — завідувач відділу «Структурного аналізу матеріалів і систем напівпровідників» Інституту Фізики Напівпровідників НАН, Київ, Україна ; 2013 дотепер — заступник директора Інституту Фізики Напівпровідників НАНУ з наукової роботи, Київ, Україна.Наукова діяльність
головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів; інші напрями: фізика напівпровідників, дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів; поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів.Стажування за кордоном Університет м. Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)
Нагороди, Членство в Товариствах
Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.; Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України (За видатні роботи в галузі фізики напівпровідників та напівпровідникового приладобудування) 2017 р.; Пам'ятна відзнака Національної Академії Наук України (2018 р.); Подяка Президії НАН України (2010 р.); Подяка від Київського міського голови (2005 р.); Винахідник СРСР (1986 р.); член Українського Фізичного Товариства; член Міжнародного союзу кристалографів; заступник головного редактора журналу «Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics» редактор тематичного розділу журналу «Український фізичний журнал» член редколегії наукового журналу «Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології»Публікації
Загальна кількість статей в реферованих журналах: 456 Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 195 Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 780 (h-index = 13) Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1492 (h-index = 20) Кількість конференцій: 211 Монографії: 8Авторські свідоцтва: 5
Патенти: 6
Педагогічна діяльність
У вiддiлi пiд керiвництвом доктора фiз.-мат. наук, професора Кладька В.П. у 2006 р. захищенi дисертацiї кандидата фiз.-мат.наук аспiрантами А.В. Кучуком та О.М. Єфановим, у 2007 р. - м.н.с. Корчовим А.А., у 2009 р. - наук. співроб. М.В. Слободяном, у 2012 р. - аспіранткою Сафрюк Н.В. та н.с. Гудименком О.Й., 2016 р. - аспірантом Станчу Г.В. 2017 р. - аспірантом Кривим С.Б., а у 2019 р. аспірантом Любченком О.І., н.с. Максименко З.В. та м.н.с. Поліщук Ю.О.
Список публікацій:
[<< попередня] ----- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 ----- [наступна >>]
- X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
Kladko V.P., Kuchuk A.V., Safryuk N.V., Machulin V.F., Belyaev A.E., Konakova R.V., Yavich B.S. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics, Optoelectronics, 2010. V.13, No1. P.1-7. (cited 3 times)Download: [pdf] - Рентгеновская дифрактометрия и сканирующая микро-рамановская спектроскопия неоднородностей структуры и деформаций по глубине многослойной гетероструктуры InGaN/GaN
Стрельчук В.В., Кладько В.П., Авраменко К.А., Коломыс А.Ф., Сафрюк Н.В., Конакова Р.В., Явич Б.С., Валах М.Я., Мачулин В.Ф., Беляев А.Е. // Физика и техника полупроводников, 2010. T.44. вып.9. C.1236-1247. (cited 6 times)Download: [pdf] - Study of the mechanisms of oxygen precipitation in RTA annealed Cz-Si wafers
V. Litovchenko, I. Lisovskyy, M. Voitovych, A. Sarikov, S. Zlobin, V. Kladko, V. Machulin // Solid State Phenomena. 2010. V.156-158, P.279-282. (cited 1 times)Download: [pdf] - Reliability Tests of Au-metallized Ni-based Ohmic Contacts to 4H-n-SiC with and without Nanocomposite Diffusion Barriers.
Kuchuk A.V., Guziewicz M., Ratajczak R., Wzorek M., Kladko V.P., Piotrowska A. // Materials Science Forum, 2010. V.645-648 (Silicon Carbide and Related Materials 2009). P.737-740. (cited 3 times)Download: [pdf] - The features of temperature dependence of contact resistivity of Au-Ti-Pd2Si-p+-Si ohmic contacts
A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, L.M. Kapitanchuk, R.V. Konakova, V.P. Kladko, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Kuchuk, O.S. Lytvyn, V.V. Milenin, T.V. Korostinskaya, A.B. Ataubaeva, P.V. Nevolin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics, Optoelectronics, 2010. V.13, No1. P.8-11.Download: [pdf] - Радиационные эффекты и межфазные взаимодействия в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, стимулированные быстрыми термическими обработками и облучением γ-квантами 60Со
А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, А.В. Бобыль, В.Н. Иванов, Л.М. Капитанчук, В.П. Кладько, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, А.А. Корчевой, О.С. Литвин, В.В. Миленин, С.В. Новицкий, В.Н. Шеремет // Физика и Техника Полупроводников, 2010, Т.44, No12. P.1607-1614.Download: [pdf] - Structural changes in Cz-Si single-crystal irradiated by high-energy electron from high-resolution X-ray diffractometry
І.М. Fodchuk, V.V. Dovganyuk, Т.V. Litvinchuk, V.P. Kladko, М.V. Slobodian, O.Yo. Gudymenko, Z. Swiatek // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2010. V. 13, N 2. P. 209-213.Download: [pdf] - Радиационные эффекты в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, содержащих поликристаллические и аморфные диффузионные барьеры
Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Бобыль А.В., Иванов В.Н., Капитанчук Л.М., Кладько В.П., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Литвин О.С., Миленин В.В., Новицкий С.В., Шеремет В.Н. // Труды ХХ Международного совещания "Радиационная физика твердого тела", Севастополь, 2010, Том 1, С.222-231. - Radiation Effects and Interphase Interactions in Ohmic and Barrier Contacts to Indium Phosphide as Induced by Rapid Thermal Annealing and Irradiation with γ-Ray 60Co Photons.
A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, A.V. Bobyl, V.N. Ivanov, L.M. Kapitanchuk, V.P. Kladko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, A.A. Korchevoi, O.S. Lytvyn, V.V. Milenin, S.V. Novitskii, and V.N. Sheremet // Semiconductors, 2010, V.44, No12, P.1559–1566.Download: [pdf] - X-ray diffraction analysis and scanning micro-Raman spectroscopy of structural irregularities and strains deep inside the multilayered InGaN/GaN heterostructure.
V.V. Strelchuk, V.P. Kladko, E.A. Avramenko, O.F. Kolomys, N.V. Safryuk, R.V. Konakova, B.S. Yavich, M.Ya. Valakh, V.F. Machulin, and A.E. Belyaev // Semiconductors, 2010, Volume 44, No9, P.1199-1210. DOI: 10.1134/S1063782610090174 (cited 6 times)Download: [pdf]
[<< попередня] ----- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 ----- [наступна >>]
