укр
eng
Васи́ль Петро́вич Кладько́ Член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р., Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2017 р.
Дата та місце народження: 12 січня 1957 р. у с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область.
Освіта:
1964—1974 — Озерська середня школа (золота медаль); 1974—1979 — студент Чернівецького Державного Університету, фізичний факультет (з відзнакою); 1982—1985 — аспірант Інституту Напівпровідників АН УРСР. 1998—2000 — докторант Інституту Фізики Напівпровідників НАН України.
Наукові ступені та
звання:
Кар’єра:
1974—1979 — Студент фізичного факультету Чернівецького державного університету; 1979—1982 — Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету; 1982—1985 — Аспірант Інституту Напівпровідників; 1985—1988 — Молодший науковий співробітник; 1988—2000 — Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників; 2000—2004 — Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників; 2004 дотепер — завідувач відділу «Структурного і елементного аналізу матеріалів та систем» Інституту Фізики Напівпровідників НАН, Київ, Україна ; 2013 дотепер — заступник директора Інституту Фізики Напівпровідників НАНУ з наукової роботи, Київ, Україна.Наукова діяльність
головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів; інші напрями: фізика напівпровідників, дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів; поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів.Стажування за кордоном Університет м. Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)
Нагороди, Членство в Товариствах
Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.; Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України (За видатні роботи в галузі фізики напівпровідників та напівпровідникового приладобудування) 2017 р.; Пам'ятна відзнака Національної Академії Наук України (2018 р.); Подяка Президії НАН України (2010 р.); Подяка від Київського міського голови (2005 р.); Винахідник СРСР (1986 р.); член Українського Фізичного Товариства; член Міжнародного союзу кристалографів; заступник головного редактора журналу «Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics» редактор тематичного розділу журналу «Український фізичний журнал» член редколегії наукового журналу «Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології»член редколегії наукового журналу «Фізика і хімія твердого тіла»
Публікації
Загальна кількість статей в реферованих журналах: 461 Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 214 Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 1006 (h-index = 15) Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1869 (h-index = 22) Кількість конференцій: 213 Монографії: 9Авторські свідоцтва: 5
Патенти: 6
Педагогічна діяльність
У вiддiлi пiд керiвництвом член-кор. НАН України, доктора фiз.-мат. наук, професора В.П. Кладька захищенi 11 дисертацiй кандидата фiз.-мат.наук, з них у 2006 р. аспiрантами А.В. Кучуком та О.М. Єфановим, у 2007 р. - м.н.с. Корчовим А.А., у 2009 р. - наук. співроб. М.В. Слободяном, у 2012 р. - аспіранткою Сафрюк Н.В. та н.с. Гудименком О.Й., 2016 р. - аспірантом Станчу Г.В., 2017 р. - аспірантом Кривим С.Б., а у 2019 р. аспірантом Любченком О.І., н.с. Максименко З.В. та м.н.с. Поліщук Ю.О.Список публікацій:
[<< попередня] ----- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 ----- [наступна >>]
- Эволюция деформационного состояния и компонентного состава при изменении количества квантовых ям в InGaN/GaN многослойных структурах
Кладько В.П., Кучук А.В., Сафрюк Н.В., Мачулин В.Ф., Беляев А.Е., Конакова Р.В., Явич Б.С., Бер Б.Я., Казанцев Д.Ю. // Физика и техника полупроводников, 2011. Т.45, вып.6, C.770-777. (cited 1 times)Download: [pdf] - Особливості зародження та упорядкування GeSi наноострівців в багатошарових структурах, сформованих на Si та Si1-xGex буферних шарах
В.O. Юхимчук, M.Я. Валах, В.П. Kладько, M.В. Слободян, O.Й. Гудименко, З.Ф. Красільнік, О.В. Новіков // Український Фізичний Журнал, 2011, T.56, №3, C.254-262.Download: [pdf] - Влияние режима перегрева p-n перехода на деградацию мощных импульсных кремниевых лавинно-пролетных диодов
Беляев А.Е., Басанец В.В., Болтовец Н.С., Зоренко А.В., Капитанчук Л.М., Кладько В.П., Конакова Р.В., Колесник Н.В., Крицкая Т.В., Кудрик Я.Я., Кучук А.В., Миленин В.В., Атаубаева А.Б. // Физика и Техника Полупроводников, 2011. Т.45, вып.2, С.256-252. (cited 7 times)Download: [pdf] - Mechanisms of oxygen precipitation in Cz-Si wafers subjected to rapid thermal anneals
A Sarikov, I Lisovskyy, V Litovchenko, M Voitovich, S Zlobin, V Kladko, M Slobodian, and V Machulin // Journal of the Electrochemical Society 2011, Vol.158 Issue 8. P.H772-H777. (cited 4 times)Download: [pdf] - Influence of small miscuts on self-ordered growth of Ge nanoislands
Gudymenko O.Yo., Kladko V.P., Yefanov O.M., Slobodian M.V., Yu.S. Polischuk, Krasilnik Z.F., Lobanov D.N., Novikov А.V. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics, Optoelectronics, 2011. V.14, No 4, P.389-392.Download: [pdf] - Диффузное рассеяние рентгеновских лучей на системах с квантовыми точками эллипсоидальной формы
В.И. Пунегов, Д.В. Сивков, В.П. Кладько // Письма в ЖТФ, 2011, T.37, вып.8, С.41-48. (cited 6 times)Download: [pdf] - Комплексні дослідження кремнієвого матеріалу для сонячної енергетики (Complex investigations of crystalline material for solar power engineering)
В.Г. Литовченко, Б.М. Романюк, В.Г. Попов, В.П. Мельник, О.С. Оберемок, В.П. Кладько, І.П. Лісовський, В.В. Стрельчук, К.В. Шаповалов, В.В. Черненко // Металлофизика и новейшие технологии, 2011, T.33, No7, C.873-898. Metallofizika i Noveishie Tekhnologii (2011) 33(7), p.873-898. (cited 1 times)Download: [pdf] - Термохромні властивості плівок оксиду ванадію отриманих магнетронним напиленням
Мельник В.П., Хацевич І.М., Голтвянський Ю.В., Нікірін В.В., Романюк Б.М., Попов В.Г. Кладькo В.П., Кучук А.В. // Український Фізичний Журнал, 2011, 56, №6. С.535-541.Download: [pdf] - Effect of p–n Junction Over-heating on Degradation of Silicon High–Power Pulsed IMPATT Diodes.
A.E. Belyaev, V.V. Basanets, N.S. Boltovets, A.V. Zorenko, L.M. Kapitanchuk, V.P. Kladko, R.V. Konakova, N.V. Kolesnik, T.V. Korostinskaya, T.V. Kritskaya, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Kuchuk, V.V. Milenin, and A.B. Ataubaeva // Semiconductors, 2011, V.45, No 2, P.253-259. (cited 8 times)Download: [pdf] - Эффекты латерального упорядочения самоорганизованных SiGe наноостровков, выращенных на напряженных Si1-xGex буферных слоях
Валах M.Я., Николенко A.С., Стрельчук В.В., Литвин П.M., Кладько В.П., Гудыменко А.И., Слободян Н.В., Красильник З.Ф., Новиков А.А., Лобанов Д.Н. // Труды XV международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 2011, Т.2. С.430-431.Download: [pdf]
[<< попередня] ----- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 ----- [наступна >>]
