укр
eng
Кладько Василь - член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки, Лауреат премії ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Адреса:
Інститут Фізики Напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, Національна Академія Наук України.
03028 Київ, пр. Науки 45, УКРАЇНА
Дата і місце народження: 12 січня 1957 р., с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область
Національність: Українець
Освіта:
1964 – 1974 – Озерська середня школа (з золотою медаллю);
1974 – 1979 – Чернівецький Державний Університет, фізичний факультет (з відзнакою);
1982 – 1985 – аспірантура Інституту Напівпровідників АН УРСР
Наукові ступені та звання:
1986 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді К.016.37.01 Інституту металофізики ім. Г.В.Курдюмова НАН України (04.06.1986 р.).
1995 – Старший науковий співробітник (01.04.07–фізика твердого тіла)
2000 – Доктор фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д26.001.23 Київського Національного Університету імені Тараса Шевченка (22.05.2000 р.).
2007– Професор (зі спеціальності 01.04.07–фізика твердого тіла)
2015 – Член-кореспондент НАН України (зі спеціальності "Кореляційна оптика") (обраний 06.03.2015).
Кар’єра:
1979-1982 - Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету
1982-1985 - Аспірант Інституту Напівпровідників
1985-1988 – Молодший науковий співробітник
1988-2000 – Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників,
2000-2004 – Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників
2004 дотепер – завідувач відділу cтруктурного аналізу матеріалів і систем Інституту фізики напівпровідників НАН України, Київ, Україна
2013 дотепер – заступник директора з наукової роботи в Інституті Фізики Напівпровідників НАН України, Київ, Україна
Наукова спеціалізація:
(i) головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів
(іі) інші напрями: фізика напівпровідників, дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів
(iii) поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів
Університет м.Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)
Нагороди, Членство в Товариствах:
- Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.- Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України (За видатні роботи в галузі фізики напівпровідників та напівпровідникового приладобудування) 2017 р.
- Подяка Президії НАН України (2010 р.)
- Подяка від Київського міського голови (2005 р.)
- Винахідник СРСР (1986 р.)
- член Українського Фізичного Товариства
- член Міжнародного союзу кристалографів
Науково-організаційна робота:
- заступник головного редактора журналу "Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics";- асоційований редактор журналу "Nanotechnology and Nanomaterials" (Хорватія) (2014 Impact Factor: 0.857);
- головний редактор тематичного розділу "Українського фізичного журналу";
- член редколегії наукового журналу "Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології";
- член редколегії наукового журналу "Складні системи і процеси".
- керівник секції "Напівпровідникове матеріалознавство" Наукової ради з проблеми "Фізика напівпровідників і напівпровідникових пристроїв" при ВФА НАН України,
- член секції "Фізичні основи діагностики матеріалів" Наукової ради з проблеми "Фізика металічного стану" при ВФА НАН України
Публікації:
- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 436
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 184
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 680 (h-index = 11)
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1286 (h-index = 18)
- Кількість конференцій: 152
- Кількість монографій: 8 (див. в розділі публікації)
- Авторські свідоцтва: 5
- Патенти: 5
Педагогічна діяльність:
Підготував 8 кандидатів фізико-математичних наук (Кучук А.В., Єфанов О.М., Корчовий А.А., Слободян М.В., Сафрюк Н.В., Гудименко О.Й., Станчу Г.В., Кривий С.Б. - спеціальність 01.04.07 – фізика твердого тіла). Керівник дисертаційних робіт: аспіранта Любченка О.І., м.н.с. Поліщук Ю.С. та Максименко З.В.
Список публікацій:
- Internal strains and crystal structure of the layers in AlGaN/GaN heterostructures grown on sapphire substrate
Kladko V.P., Kolomys O.F., Slobodian M.V., Strelchuk V.V., Raycheva V.G., Belyaev O.Ye., Bukalov S.S., Hardtdegen H., Sydoruk V.A., Klein N. and Vitusevich S.A. // Journal of Applied Physics, 2009. V.105. Issue 6. P.063515(9). DOI: 10.1063/1.3094022 (Cited 29 times)Download: [pdf] - Three-dimensional ordering in self‐organized (In,Ga)As quantum dot multilayer structures
V.P. Kladko, М.V. Slobodian, P.M. Lytvyn, V.V. Strelchuk, Yu.I. Mazur, E. Marega, M. Hussein and G.J. Salamo // Phys. Stat. Solidi (a), 2009. V.206. No 8. P.1748-1751. DOI 10.1002/pssa.200881593 (Cited 6 times)Download: [pdf] - Межфазные взаимодействия и механизм токопереноса в омических контактах Au-TiBx-AuGe-n-GаP
Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Иванов В.Н., Камалов А.Б., Капитанчук Л.М., Кладько В.П., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Миленин В.В., Насыров М.У., Неволин П.В. // Физика и Техника Полупроводников, 2009, Т.43, вып.11. C.1468-1472.Download: [pdf] - Sensitivity of triple-crystal X-ray diffractometers to microdefects in silicon
V.B. Molodkin, S.I. Olikhovskii, E.G. Len, E.N. Kislovskii, V.P. Kladko, O.V. Reshetnyk, T.P. Vladimirova, B.V. Sheludchenko // Phys. Stat. Sol.(A), 2009. V.206. N8, p.1761-1765. DOI: 10.1002/pssa.200881588 (Cited 19 times)Download: [pdf] - Свойства контактов GaN(SiC)-(Ti,Zr)Bx, подвергнутых быстрым термоотжигам.
А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, Р.В. Конакова, В.П. Кладько, Я.Я. Кудрик, А.А. Лебедев, В.В. Миленин, В.Н. Шеремет // Физика и Техника Полупроводников. 2009. Т.43. вып.8. с.1125-1130.Download: [pdf] - Вплив дислокаційної структури на деформаційні процеси в AlGaN/GaN/(0001)Al2O3 (Influence of Dislocation Structure on Deformation Processes in AlGaN/GaN/(0001)Al2O3 Heterostructures)
Кладько В.П., Сафрюк Н.В., Кучук А.В., Бєляєв О.Є., Мачулін В.Ф. // Український Фізичний Журнал, 2009, Т.54, №10. С.1014-1020. Ukrainian Journal of Physics 2009, Vol.54, 10, p.1014-1020. (Cited 6 times)Download: [pdf] - Дифракційна характеризація мікродефектної структури ізохронно відпалених кристалів кремнію
В.Б. Молодкін, В.П. Кладько, С.Й. Оліховський, Є.М. Кисловський, Т.П. Владімірова, Є.В. Кочелаб, Р.Ф. Середенко, М.В. Слободян, О.В. Решетник // Металофізика і новітні технології, 2009. Т.31, №9. С.1205-1222. (Cited 2 times)Download: [pdf] - Влияние БТО на межфазные взаимодействия и механизмы токопереноса в омических контактах Au-TiBx-AuGe-n-GaP
Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Иванов В.Н., Камалов А.Б., Капитанчук Л.М., Кладько В.П., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Миленин В.В., Насыров М.У., Неволин П.В. // Труды Международной конференции «Научно-технический прогресс и современная авиация». Т.1. Баку, 2009. С.283-287.Download: [pdf] - Modification of properties of the glass Si3N4 Si SiO2 structure at laser treatment.
R.V. Konakova, V.P. Kladko, O.S. Lytvyn, O.B. Okhrimenko, B.G. Konoplev, A.M. Svetlichnyi, V.N. Lissotschenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics, Optoelectronics, 2009. V.12, No 3. P.284-286.Download: [pdf] - Properties of GaN(SiC)–(Ti, Zr)Bx Contacts Subjected to Rapid Thermal Annealing.
A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, V.N. Ivanov, R.V. Konakova, V.P. Kladko, Ya.Ya. Kudryk, A.A. Lebedev, V.V. Milenin, and V.N. Sheremet // Semiconductors, 2009, Vol.43, No.8, P.1086–1091.Download: [pdf]
