укр
eng
Васи́ль Петро́вич Кладько́ Член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р., Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2017 р.
Дата та місце народження: 12 січня 1957 р. у с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область.
Освіта:
1964—1974 — Озерська середня школа (золота медаль); 1974—1979 — студент Чернівецького Державного Університету, фізичний факультет (з відзнакою); 1982—1985 — аспірант Інституту Напівпровідників АН УРСР. 1998—2000 — докторант Інституту Фізики Напівпровідників НАН України.
Наукові ступені та
звання:
Кар’єра:
1974—1979 — Студент фізичного факультету Чернівецького державного університету; 1979—1982 — Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету; 1982—1985 — Аспірант Інституту Напівпровідників; 1985—1988 — Молодший науковий співробітник; 1988—2000 — Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників; 2000—2004 — Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників; 2004 дотепер — завідувач відділу «Структурного аналізу матеріалів і систем напівпровідників» Інституту Фізики Напівпровідників НАН, Київ, Україна ; 2013 дотепер — заступник директора Інституту Фізики Напівпровідників НАНУ з наукової роботи, Київ, Україна.Наукова діяльність
головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів; інші напрями: фізика напівпровідників, дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів; поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів.Стажування за кордоном Університет м. Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)
Нагороди, Членство в Товариствах
Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.; Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України (За видатні роботи в галузі фізики напівпровідників та напівпровідникового приладобудування) 2017 р.; Пам'ятна відзнака Національної Академії Наук України (2018 р.); Подяка Президії НАН України (2010 р.); Подяка від Київського міського голови (2005 р.); Винахідник СРСР (1986 р.); член Українського Фізичного Товариства; член Міжнародного союзу кристалографів; заступник головного редактора журналу «Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics» редактор тематичного розділу журналу «Український фізичний журнал» член редколегії наукового журналу «Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології»Публікації
Загальна кількість статей в реферованих журналах: 456 Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 194 Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 764 (h-index = 13) Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1426 (h-index = 20) Кількість конференцій: 201 Монографії: 8 ;Педагогічна діяльність
У вiддiлi пiд керiвництвом доктора фiз.-мат. наук, професора Кладька В.П. у 2006 р. захищенi дисертацiї кандидата фiз.-мат.наук аспiрантами А.В. Кучуком та О.М. Єфановим, у 2007 р. - м.н.с. Корчовим А.А., у 2009 р. - наук. співроб. М.В. Слободяном, у 2012 р. - аспіранткою Сафрюк Н.В. та н.с. Гудименком О.Й., 2016 р. - аспірантом Станчу Г.В. 2017 р. - аспірантом Кривим С.Б., а у 2019 р. аспірантом Любченком О.І., н.с. Максименко З.В. та м.н.с. Поліщук Ю.О.
Список публікацій:
[<< попередня] ----- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 ----- [наступна >>]
- Радиационные эффекты и межфазные взаимодействия в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, стимулированные быстрыми термическими обработками и облучением γ-квантами 60Со
А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, А.В. Бобыль, В.Н. Иванов, Л.М. Капитанчук, В.П. Кладько, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, А.А. Корчевой, О.С. Литвин, В.В. Миленин, С.В. Новицкий, В.Н. Шеремет // Физика и Техника Полупроводников, 2010, Т.44, No12. P.1607-1614.Download: [pdf] - Structural changes in Cz-Si single-crystal irradiated by high-energy electron from high-resolution X-ray diffractometry
І.М. Fodchuk, V.V. Dovganyuk, Т.V. Litvinchuk, V.P. Kladko, М.V. Slobodian, O.Yo. Gudymenko, Z. Swiatek // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2010. V. 13, N 2. P. 209-213.Download: [pdf] - Радиационные эффекты в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, содержащих поликристаллические и аморфные диффузионные барьеры
Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Бобыль А.В., Иванов В.Н., Капитанчук Л.М., Кладько В.П., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Литвин О.С., Миленин В.В., Новицкий С.В., Шеремет В.Н. // Труды ХХ Международного совещания "Радиационная физика твердого тела", Севастополь, 2010, Том 1, С.222-231. - Radiation Effects and Interphase Interactions in Ohmic and Barrier Contacts to Indium Phosphide as Induced by Rapid Thermal Annealing and Irradiation with γ-Ray 60Co Photons.
A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, A.V. Bobyl, V.N. Ivanov, L.M. Kapitanchuk, V.P. Kladko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, A.A. Korchevoi, O.S. Lytvyn, V.V. Milenin, S.V. Novitskii, and V.N. Sheremet // Semiconductors, 2010, V.44, No12, P.1559–1566.Download: [pdf] - X-ray diffraction analysis and scanning micro-Raman spectroscopy of structural irregularities and strains deep inside the multilayered InGaN/GaN heterostructure.
V.V. Strelchuk, V.P. Kladko, E.A. Avramenko, O.F. Kolomys, N.V. Safryuk, R.V. Konakova, B.S. Yavich, M.Ya. Valakh, V.F. Machulin, and A.E. Belyaev // Semiconductors, 2010, Volume 44, No9, P.1199-1210. DOI: 10.1134/S1063782610090174 (cited 6 times)Download: [pdf] - Х-променева дифрактометрія змін мікродефектної структури кристалів кремнію після опромінення високоенергетичними електронами
І.М. Фодчук, Т.П. Владімірова, В.В. Довганюк, О.В. Решетник, В.П. Кладько, В.Б. Молодкін, С.Й. Оліховський, Є.М. Кисловський, Є.В. Кочелаб, Т.В. Литвинчук, Р.Ф. Середенко // Металофізика і новітні технології, 2010, 32, №9, С.1213-1229.Download: [pdf] - Трансформация в микродефектной структуре монокристаллов Cz-Si после облучения высокоэнергетическими электронами по данным рентгеновской дифрактометрии
В.В. Довганюк, В.Б. Молодкін, В.П. Кладько, Є.М. Кисловський, С.Й. Оліховський, Т.В. Литвинчук, І.М. Фодчук, // Металлофизика и новейшие технологии, 2010, 32, №8, С.1049-1057.Download: [pdf] - Влияние деформаций массива квантовых точек на дифракцию рентгеновских лучей
В.И. Пунегов, Д.В. Сивков, В.П. Кладько // Рентгеновская оптика – 2010, Материалы совещания г. Черноголовка, 20-23 сентября 2010 г. С.13-15.Download: [pdf] - Рентгеновская кристаллоптика латерально-квазипериодических систем SiGe
Пунегов В.И., Кладько В.П. // Рентгеновская оптика – 2010, Материалы совещания г. Черноголовка, 20-23 сентября 2010 г. С.69-71.Download: [pdf] - Mechanism of strain relaxation by twisted nanocolumns revealed in AlGaN/GaN heterostructures.
V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, N.V. Safryuk, V.F. Machulin, A.E. Belyaev, H.Hardtdegen and S.A. Vitusievich // Applied Physics Letters. 2009. V.95, Issue 3. P.031907(3). DOI: 10.1063/1.3184569 (Cited 18 times)Download: [pdf]
[<< попередня] ----- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 ----- [наступна >>]
