укр
eng
Кладько Василь - член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки, Лауреат премії ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Адреса:
Інститут Фізики Напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, Національна Академія Наук України.
03028 Київ, пр. Науки 45, УКРАЇНА
Дата і місце народження: 12 січня 1957 р., с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область
Національність: Українець
Освіта:
1964 – 1974 – Озерська середня школа (з золотою медаллю);
1974 – 1979 – Чернівецький Державний Університет, фізичний факультет (з відзнакою);
1982 – 1985 – аспірантура Інституту Напівпровідників АН УРСР
Наукові ступені та звання:
1986 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді К.016.37.01 Інституту металофізики ім. Г.В.Курдюмова НАН України (04.06.1986 р.).
1995 – Старший науковий співробітник (01.04.07–фізика твердого тіла)
2000 – Доктор фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д26.001.23 Київського Національного Університету імені Тараса Шевченка (22.05.2000 р.).
2007– Професор (зі спеціальності 01.04.07–фізика твердого тіла)
2015 – Член-кореспондент НАН України (зі спеціальності "Кореляційна оптика") (обраний 06.03.2015).
Кар’єра:
1979-1982 - Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету
1982-1985 - Аспірант Інституту Напівпровідників
1985-1988 – Молодший науковий співробітник
1988-2000 – Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників,
2000-2004 – Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників
2004 дотепер – завідувач відділу cтруктурного аналізу матеріалів і систем Інституту фізики напівпровідників НАН України, Київ, Україна
2013 дотепер – заступник директора з наукової роботи в Інституті Фізики Напівпровідників НАН України, Київ, Україна
Наукова спеціалізація:
(i) головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів
(іі) інші напрями: фізика напівпровідників, дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів
(iii) поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів
Університет м.Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)
Нагороди, Членство в Товариствах:
- Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.- Подяка від Київського міського голови (2005 р.)
- Винахідник СРСР (1986 р.)
- член Українського Фізичного Товариства
- член Міжнародного союзу кристалографів
Науково-організаційна робота:
- заступник головного редактора журналу "Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics";- асоційований редактор журналу "Nanotechnology and Nanomaterials" (Хорватія) (2014 Impact Factor: 0.857);
- головний редактор тематичного розділу "Українського фізичного журналу";
- керівник секції "Напівпровідникове матеріалознавство" Наукової ради з проблеми "Фізика напівпровідників і напівпровідникових пристроїв" при ВФА НАН України,
- член секції "Фізичні основи діагностики матеріалів" Наукової ради з проблеми "Фізика металічного стану" при ВФА НАН України
Публікації:
- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 436
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 190
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 711 (h-index = 12)
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1335 (h-index = 19)
- Кількість конференцій: 152
- Кількість монографій: 8 (див. в розділі публікації)
- Авторські свідоцтва: 5
- Патенти: 6
Педагогічна діяльність:
Підготував 8 кандидатів фізико-математичних наук (Кучук А.В., Єфанов О.М., Корчовий А.А., Слободян М.В., Сафрюк Н.В., Гудименко О.Й., Станчу Г.В., Кривий С.Б. - спеціальність 01.04.07 – фізика твердого тіла). Керівник дисертаційних робіт: аспіранта Любченка О.І., м.н.с. Поліщук Ю.С. та Максименко З.В.
Список публікацій:
- Radiation Effects and Interphase Interactions in Ohmic and Barrier Contacts to Indium Phosphide as Induced by Rapid Thermal Annealing and Irradiation with γ-Ray 60Co Photons.
A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, A.V. Bobyl, V.N. Ivanov, L.M. Kapitanchuk, V.P. Kladko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, A.A. Korchevoi, O.S. Lytvyn, V.V. Milenin, S.V. Novitskii, and V.N. Sheremet // Semiconductors, 2010, V.44, No12, P.1559–1566.Download: [pdf] - X-ray diffraction analysis and scanning micro-Raman spectroscopy of structural irregularities and strains deep inside the multilayered InGaN/GaN heterostructure.
V.V. Strelchuk, V.P. Kladko, E.A. Avramenko, O.F. Kolomys, N.V. Safryuk, R.V. Konakova, B.S. Yavich, M.Ya. Valakh, V.F. Machulin, and A.E. Belyaev // Semiconductors, 2010, Volume 44, No9, P.1199-1210. DOI: 10.1134/S1063782610090174 (cited 6 times)Download: [pdf] - Х-променева дифрактометрія змін мікродефектної структури кристалів кремнію після опромінення високоенергетичними електронами
І.М. Фодчук, Т.П. Владімірова, В.В. Довганюк, О.В. Решетник, В.П. Кладько, В.Б. Молодкін, С.Й. Оліховський, Є.М. Кисловський, Є.В. Кочелаб, Т.В. Литвинчук, Р.Ф. Середенко // Металофізика і новітні технології, 2010, 32, №9, С.1213-1229.Download: [pdf] - Трансформация в микродефектной структуре монокристаллов Cz-Si после облучения высокоэнергетическими электронами по данным рентгеновской дифрактометрии
В.В. Довганюк, В.Б. Молодкін, В.П. Кладько, Є.М. Кисловський, С.Й. Оліховський, Т.В. Литвинчук, І.М. Фодчук, // Металлофизика и новейшие технологии, 2010, 32, №8, С.1049-1057.Download: [pdf] - Влияние деформаций массива квантовых точек на дифракцию рентгеновских лучей
В.И. Пунегов, Д.В. Сивков, В.П. Кладько // Рентгеновская оптика – 2010, Материалы совещания г. Черноголовка, 20-23 сентября 2010 г. С.13-15.Download: [pdf] - Рентгеновская кристаллоптика латерально-квазипериодических систем SiGe
Пунегов В.И., Кладько В.П. // Рентгеновская оптика – 2010, Материалы совещания г. Черноголовка, 20-23 сентября 2010 г. С.69-71.Download: [pdf] - Mechanism of strain relaxation by twisted nanocolumns revealed in AlGaN/GaN heterostructures.
V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, N.V. Safryuk, V.F. Machulin, A.E. Belyaev, H.Hardtdegen and S.A. Vitusievich // Applied Physics Letters. 2009. V.95, Issue 3. P.031907(3). DOI: 10.1063/1.3184569 (Cited 18 times)Download: [pdf] - On the Formation of Ni-based Ohmic Contacts to n-type 4H-SiC
A.V. Kuchuk, V.P. Kladko, A. Piotrowska, R. Ratajczak, R. Jakiela // Materials Science Forum 2009. V.615-617. Р.573-576. (cited 10 times)Download: [pdf] - Thermal degradation of Au/Ni2Si/n-SiC ohmic contacts under different conditions.
A.V. Kuchuk, M. Guziewicz, R. Ratajczak, M. Wzorek, V.P. Kladko, A. Piotrowska. // Materials Science and Engineering – B 2009. V.165, Issue 1-2. P.38-41. (cited 6 times)Download: [pdf] - Internal strains and crystal structure of the layers in AlGaN/GaN heterostructures grown on sapphire substrate
Kladko V.P., Kolomys O.F., Slobodian M.V., Strelchuk V.V., Raycheva V.G., Belyaev O.Ye., Bukalov S.S., Hardtdegen H., Sydoruk V.A., Klein N. and Vitusevich S.A. // Journal of Applied Physics, 2009. V.105. Issue 6. P.063515(9). DOI: 10.1063/1.3094022 (Cited 29 times)Download: [pdf]
