Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Кладько Василь Петрович


Кладько Василь - член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки

Адреса:
Інститут Фізики Напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, Національна Академія Наук України.
03028 Київ, пр. Науки 45, УКРАЇНА

Дата і місце народження: 12  січня 1957 р., с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область
Національність: Українець

Освіта:
1964 – 1974 – Озерська середня школа (з золотою медаллю);
1974 – 1979 – Чернівецький Державний Університет, фізичний факультет (з відзнакою);
1982 – 1985 – аспірантура Інституту Напівпровідників АН УРСР

Наукові ступені та звання: 
1986 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді К.016.37.01 Інституту металофізики ім. Г.В.Курдюмова НАН України (04.06.1986 р.). 
1995 – Старший науковий співробітник (01.04.07–фізика твердого тіла)
2000 – Доктор фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д26.001.23 Київського Національного Університету імені Тараса Шевченка (22.05.2000 р.).
2007– Професор (зі спеціальності 01.04.07–фізика твердого тіла)
2015 – Член-кореспондент НАН України (зі спеціальності "Кореляційна оптика") (обраний 06.03.2015).

Кар’єра:
1979-1982 - Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету
1982-1985 - Аспірант Інституту Напівпровідників
1985-1988 – Молодший науковий співробітник
1988-2000 – Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників,
2000-2004 – Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників
2004 дотепер – завідувач відділу cтруктурного аналізу матеріалів і систем Інституту фізики напівпровідників НАН України, Київ, Україна                                                                 
2013 дотепер – заступник директора з наукової роботи в Інституті Фізики Напівпровідників НАН України, Київ, Україна

Наукова спеціалізація:
(i) головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів
(іі) інші напрями: фізика напівпровідників,  дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів
(iii) поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів

Стажування за кордоном:
Університет м.Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці) 

Нагороди, Членство в Товариствах:
- Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.
- Подяка Президії НАН України (2010 р.)
- Подяка від Київського міського голови (2005 р.)
- Винахідник СРСР (1986 р.)
- член Українського Фізичного Товариства
- член Міжнародного союзу кристалографів

Науково-організаційна робота:

- заступник головного редактора журналу "Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics";
- асоційований редактор журналу "Nanotechnology and Nanomaterials" (Хорватія) (2014 Impact Factor: 0.857);
- головний редактор тематичного розділу "Українського фізичного журналу";
- член редколегії наукового журналу "Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології";
- член редколегії наукового журналу "Складні системи і процеси".
- член спеціалізованої вченої ради Д26.199.02 при Інституті фізики напівпровідників НАН України.
- член експертної ради ДАК МОН України,
- керівник секції "Напівпровідникове матеріалознавство" Наукової ради з проблеми "Фізика напівпровідників і напівпровідникових пристроїв" при ВФА НАН України,
- член секції "Фізичні основи діагностики матеріалів" Наукової ради з проблеми "Фізика металічного стану" при ВФА НАН України.

Публікації:

- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 413 
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 170
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 530 (h-index = 11)
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1040 (h-index = 16)
- Кількість конференцій: 141
- Кількість монографій: 8 (див. в розділі публікації)
- Авторські свідоцтва: 5
- Патенти: 4

Педагогічна діяльність:
Підготував 8 кандидатів фізико-математичних наук (Кучук А.В., Єфанов О.М., Корчовий А.А., Слободян М.В., Сафрюк Н.В., Гудименко О.Й.,  Станчу Г.В., Кривий С.Б. - спеціальність 01.04.07 – фізика твердого тіла).  Керівник дисертаційних робіт аспірантів: Любченка О.І., Поліщук Ю.С. 


Список публікацій:

  1. Вплив лазерного IЧ-опромiнення на поведінку власних точкових дефектів в монокристалах арсеніду індію.
    Пляцко С.В., Кладько В.П. // Український Фізичний Журнал, 1997, Т.42, №6. С.722-727.

    Download: [pdf]

  2. Трансформация в системе точечных дефектов арсенида галлия, вызванная воздействием лазерного инфракрасного излучения.
    Кладько В.П., Пляцко С.В. // Письма в ЖТФ, 1996, Т.22, №2, C.32-36. (Cited 2 times)

    Download: [pdf]

  3. Свойства эпитаксиальных слоев GaAs и AlGaAs, полученные жидкофазной эпитаксией из галлиевого расплава с добавкой Yb.
    Семенова Г.Н., Крыштаб Т.Г., Кладько В.П., Круковский С.И., Свительский А.В.  // Неорганические материалы, 1996, Т.32, №8, С.916-919.

    Download: [pdf]

  4. Вирощування та дослідження структурних характеристик епiтаксiйних шарів i надграток Si/Si1-x Gex.
    Сизов Ф.Ф., Кладько В.П., Козирев Ю.М., Пляцко С.В.  // Український Фізичний Журнал, 1996. Т.41, №9. С.845-849. (Cited 2 times)

    Download: [pdf]

  5. О корреляции распределения интенсивности „углеродной” полосы люминесценции с h=1.49 эВ и концентрации вакансий мышьяка в ПИН GaAs кристаллах.
    Глинчук К.Д., Гурошев В.В., Кладько В.П., Прохорович А.В.  // Кристаллография, 1995, Т.40, №1, С.113-116.

    Download: [pdf]

  6. Властивості епiтаксiйних шарів арсеніду галію при долегуваннi розплаву рідкоземельними елементами.
    Семенова Г.М., Кладько В.П., Криштаб Т.Г., Круковський С.Й., Світельський О.В.  // Український Фізичний Журнал, 1995, Т.40, №10. С.1101-1106.

  7. Photoluminescence and X-ray studies of thin layers until single quantum wells.
    Svitelskii A.V., Semenova G.N., Kladko V.P., Kryshtab T.G.  // In: Optical diagnostics of Materials and Devices for Opto-, Micro- and Quantum Electronics. Proceeding SPIE, 1995, V.2648. P.326-333.

    Download: [pdf]

  8. Вплив типу власних точкових дефектів на інтенсивність дифрагованих рентгенівських променів для квазізаборонених рефлексiв.
    Кладько В.П. // Український Фізичний Журнал, 1994, Т.39, №3. С.330-334.

    Download: [pdf]

  9. Релаксационные процессы в напряженных гетероструктурах на основе GaAs и InP (эффект дальнодействия).
    Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Семенова Г.Н.  // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 1994, Вып.28, С.77-89.

    Download: [pdf]

  10. Слои AlxGa1-xAs в системе Ga-Bi-Al-GaAs.
    Кладько В.П., Семенова Г.Н., Крыштаб Т.Г., Круковский С.И.  // Журнал Технической Физики. 1994, Т.64, №5, С.103-106.

    Download: [pdf]


 
© 2006-2017