укр
eng
Васи́ль Петро́вич Кладько́ Член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р., Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2017 р.
Дата та місце народження: 12 січня 1957 р. у с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область.
Освіта:
1964—1974 — Озерська середня школа (золота медаль); 1974—1979 — студент Чернівецького Державного Університету, фізичний факультет (з відзнакою); 1982—1985 — аспірант Інституту Напівпровідників АН УРСР. 1998—2000 — докторант Інституту Фізики Напівпровідників НАН України.
Наукові ступені та
звання:
Кар’єра:
1974—1979 — Студент фізичного факультету Чернівецького державного університету; 1979—1982 — Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету; 1982—1985 — Аспірант Інституту Напівпровідників; 1985—1988 — Молодший науковий співробітник; 1988—2000 — Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників; 2000—2004 — Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників; 2004 дотепер — завідувач відділу «Структурного і елементного аналізу матеріалів та систем» Інституту Фізики Напівпровідників НАН, Київ, Україна ; 2013 дотепер — заступник директора Інституту Фізики Напівпровідників НАНУ з наукової роботи, Київ, Україна.Наукова діяльність
головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів; інші напрями: фізика напівпровідників, дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів; поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів.Стажування за кордоном Університет м. Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)
Нагороди, Членство в Товариствах
Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.; Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України (За видатні роботи в галузі фізики напівпровідників та напівпровідникового приладобудування) 2017 р.; Пам'ятна відзнака Національної Академії Наук України (2018 р.); Подяка Президії НАН України (2010 р.); Подяка від Київського міського голови (2005 р.); Винахідник СРСР (1986 р.); член Українського Фізичного Товариства; член Міжнародного союзу кристалографів; заступник головного редактора журналу «Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics» редактор тематичного розділу журналу «Український фізичний журнал» член редколегії наукового журналу «Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології»член редколегії наукового журналу «Фізика і хімія твердого тіла»
Публікації
Загальна кількість статей в реферованих журналах: 465 Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 221 Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 1083 (h-index = 16) Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1959 (h-index = 21) Кількість конференцій: 217 Монографії: 9Авторські свідоцтва: 5
Патенти: 9
Педагогічна діяльність
У вiддiлi пiд керiвництвом член-кор. НАН України, доктора фiз.-мат. наук, професора В.П. Кладька захищенi 11 дисертацiй кандидата фiз.-мат.наук, з них у 2006 р. аспiрантами А.В. Кучуком та О.М. Єфановим, у 2007 р. - м.н.с. Корчовим А.А., у 2009 р. - наук. співроб. М.В. Слободяном, у 2012 р. - аспіранткою Сафрюк Н.В. та н.с. Гудименком О.Й., 2016 р. - аспірантом Станчу Г.В., 2017 р. - аспірантом Кривим С.Б., а у 2019 р. аспірантом Любченком О.І., н.с. Максименко З.В. та м.н.с. Поліщук Ю.О.Список публікацій:
[<< попередня] ----- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 ----- [наступна >>]
- Investigation of GaAs/AlAs short-periodic superlattices by high-resolution X-ray diffractometry
V.P. Kladko, L.I. Datsenko, A.V. Kuchuk, Ja. Domagala, A.V. Shalimov, A.A. Korchovyi // Ukr. J. Phys. 2004, V. 49, N 1. C.79-84. (cited 1 times)Download: [pdf] - Effect of surface roughness on the properties of ohmic contacts to GaAs.
Dmitruk N.L., Borkovskaya O.Yu., Kladko V.P., Konakova R.V., Kudryk Y.Y., Lytvyn O.S., Milenin, V.V. // Microelectronics, 2004. 24th International Conference on Vol.2, Issue, 16-19 May 2004 P.499-502.Download: [pdf] - Enhanced relaxation of SiGe layers by He implantation supported byin situ ultrasonic treatments
V. Kladko, A. Gudymenko, V. Melnik, V. Popov, B. Romanjuk, V. Yukhymchuk, Ya. Olikh, G. Weidner and D. Kruger // Proc. 2nd Intern. SiGe Technol. and Device Meeting (ISDTM) 2004, Frankfurt/Oder. P.173-174.Download: [pdf] - Investigation of intrinsic defects and their distribution in CdSe/ZnSe quantum dot structures
T.G. Kryshtab, N.O. Korsunska, Yu.G. Sadofyev, V.P. Kladko, L.V. Borkovska, M.O. Mazin, V.I. Kushnirenko, O.I. Gudymenko, Ye.F. Venger // Materials Science and Engineering C (2003), 23, Issue 6-8, P.715–719.Download: [pdf] - Theoretical and experimental investigations of single- and multilayer structures with SiGe nanoislands
V.O. Yukhymchuk, A.M. Yaremko, M.Ya. Valakh, A.V. Novikov, E.V. Mozdor, P.M. Lytvyn, Z.F. Krasilnik, V.P. Kladko, V.M. Dzhagan, N. Mestres, J. Pascual // Materials Science and Engineering C (2003), 23, Issue 6-8, P.1027–1031. (cited 9 times)Download: [pdf] - Дослідження самоіндукованих квантових точок в InxGa1-xAs/GaAs багатошарових наноструктурах
В.В. Стрельчук, В.П. Кладько, М.Я. Валах, В.Ф. Мачулін, А.А. Корчовий, Є.Г. Гулє, О.Ф. Коломис, Yu.I. Mazur, Z.M. Wang, M. Xiao, and G.J. Salamo // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології; Nanosystems, Nanomaterials, Nanotechnologies, 2003, т.1, №1, C.309-327. (cited 6 times)Download: [pdf] - Рентгенодифракционные исследования 2D-3D структурных переходов в наноразмерных многослойных периодических структурах
В.П. Кладько, В.Ф. Мачулин, И.В. Прокопенко, В.В. Стрельчук, А.И. Гудыменко, А.А. Корчевой // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології; Nanosystems, Nanomaterials, Nanotechnologies, 2003, т. 1, № 2, сс. 447-457Download: [pdf] - Investigation of superlattice structure parameters using quasi-forbidden reflections
V.P. Kladko, L.I. Datsenko, A.A. Korchovyi, V.F. Machulin, P.M. Lytvyn, A.V. Shalimov, A.V. Kuchuk, P.P. Kogutyuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2003. V. 6, N 3. P. 392-396Download: [pdf] - Поведение сателлитных дифракционных максимумов короткопериодных сверхрешеток GaAs-AlAs с различной степенью кристаллического совершенства слоев.
Кладько В.П., Даценко Л.И., Мачулин В.Ф., Молодкин В.Б. // Металлофизика и новейшие технологии. 2003, Т.25, №5. С.597-615.Download: [pdf] - Effect of neutron irradiation and doping level on defect structure formation in gallium arsenide crystals
M.E.Seitmuratov, V.P. Kladko, O.I. Gudymenko, L.I. Datsenko, I.V. Prokopenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2002. V. 5, N 3. P. 258-260Download: [pdf]
[<< попередня] ----- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 ----- [наступна >>]
