укр
eng
Кладько Василь - доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки
Адреса:
Інститут Фізики Напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, Національна Академія Наук України.
03028 Київ, пр. Науки 45, УКРАЇНА
Дата і місце народження: 12 січня 1957 р., с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область
Національність: Українець
Освіта:
1974 – 1979 – студент Чернівецького Державного Університету, фізичний факультет
1982 – 1985 – аспірант Інституту Напівпровідників АН УРСР
Наукові ступені та звання:
1986 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді К.016.37.01 Інституту металофізики ім. Г.В.Курдюмова НАН України (04.06.1986 р.).
1995 – Старший науковий співробітник (01.04.07–фізика твердого тіла)
2000 – Доктор фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д 26.001.23 Київського Національного Університету імені Тараса Шевченка (22.05.2000 р.).
2007– Професор (зі спеціальності 01.04.07–фізика твердого тіла)
Кар’єра:
1979-1982 - Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету
1982-1985 - Аспірант Інституту Напівпровідників
1985-1988 – Молодший науковий співробітник
1988-2000 – Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників,
2000-2004 – Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників
2004 дотепер – завідувач відділу "Дифракційних досліджень структури напівпровідників" Інституту Фізики Напівпровідників НАН, Київ, Україна
Наукова спеціалізація:
(i) головний напрям: фізика твердого тіла, резонансне розсіяння випромінювань, фізика і реальна структура кристалічних матеріалів
(іі) інші напрями: фізика напівпровідників, розсіювання вторинних випромінювань
(iii) поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, надгратки і квантові ями (точки), фізика і реальна структура кристалічних матеріалів, рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія
Університет м.Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)
Нагороди, Членство в Товариствах
- Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.
- Подяка від Київського міського голови (2005 р.)
- Винахідник СРСР (1986 р.)
- член Українського Фізичного Товариства
- член Міжнародного союзу кристалографів
- заступник головного редактора журналу "Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics"
- член редколегії наукового журналу "Складні системи і процеси"
Публікації:
- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 260
- Кількість статей в реферованих міжнародних журналах: 82 (h-index = 5)
- Кількість конференцій: 107
- Кількість монографій: 4 (див. в розділі публікації)
- Авторські свідоцтва: 5
Педагогічна діяльність:
Підготував 4 кандидатів фіз.-мат. наук (Кучук А.В., Єфанов О.М., Корчовий А.А., Слободян М.В. - спеціальність 01.04.07 – фізика твердого тіла).
Керівник 2 дисертаційних робіт: аспірантка Сафрюк Н.В., м.н.с. Гудименко О.Й.
Список публікацій:
- Изменение структурных и электрофизических свойств нелегированных монокристаллов InAs инфракрасным лазерным излучением
С.В. Пляцко, В.П. Кладько // Физика и техника полупроводников, 1997, том. 31, №10Download: [pdf] - Si/Si1-xGex epitaxial layers and superlattices. Growth and structural characteristics
F.F. Sizov, V.P. Kladko, S.V. Plyatsko, A.P. Shelyakov, Yu.N. Kozyrev, V.M. Ogenko // Semiconductors 31 (8), P.922-927. (Cited 1 times)Download: [pdf] - Effect of infrared laser radiation on the structure and electrophysical properties of undoped single-crystal InAs
S.V. Plyatsko, V.P. Kladko // Semiconductors 31 (10)Download: [pdf] - Механізм формування структурної неоднорідності в монокристалах А3В5 та її вплив на iнтегральну інтенсивність квазiзаборонених рефлексiв.
Кладько В.П. // Український Фізичний Журнал, 1997, Т.42, №9. С.1102-1104.Download: [pdf] - Аналіз нестехiометрiї GaAs при вимірюваннях інтенсивності квазiзаборонених рефлексів поблизу К-країв поглинання.
Кладько В.П. // Український Фізичний Журнал, 1997, Т.42, №7. С.894-897. - Вплив лазерного IЧ-опромiнення на поведінку власних точкових дефектів в монокристалах арсеніду індію.
Пляцко С.В., Кладько В.П. // Український Фізичний Журнал, 1997, Т.42, №6. С.722-727.Download: [pdf] - Трансформация в системе точечных дефектов арсенида галлия, вызванная воздействием лазерного инфракрасного излучения.
Кладько В.П., Пляцко С.В. // Письма в ЖТФ, 1996, Т.22, №2, C.32-36. (Cited 2 times)Download: [pdf] - Свойства эпитаксиальных слоев GaAs и AlGaAs, полученные жидкофазной эпитаксией из галлиевого расплава с добавкой Yb.
Семенова Г.Н., Крыштаб Т.Г., Кладько В.П., Круковский С.И., Свительский А.В. // Неорганические материалы, 1996, Т.32, №8, С.916-919.Download: [pdf] - Вирощування та дослідження структурних характеристик епiтаксiйних шарів i надграток Si/Si1-x Gex.
Сизов Ф.Ф., Кладько В.П., Козирев Ю.М., Пляцко С.В. // Український Фізичний Журнал, 1996. Т.41, №9. С.845-849.Download: [pdf] - О корреляции распределения интенсивности „углеродной” полосы люминесценции с h=1.49 эВ и концентрации вакансий мышьяка в ПИН GaAs кристаллах.
Глинчук К.Д., Гурошев В.В., Кладько В.П., Прохорович А.В. // Кристаллография, 1995, Т.40, №1, С.113-116.Download: [pdf]
