Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Кладько Василь Петрович

Васи́ль Петро́вич Кладько́ Член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р., Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2017 р.

Дата та місце народження: 12 січня 1957 р. у с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область.

Освіта:

1964—1974 — Озерська середня школа (золота медаль);
1974—1979 — студент Чернівецького Державного Університету, фізичний факультет (з відзнакою);
1982—1985 — аспірант Інституту Напівпровідників АН УРСР.
1998—2000 — докторант Інституту Фізики Напівпровідників НАН України.

Наукові ступені та звання:

1986 — Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07-фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді К.016.37.01 Інституту металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України (04.06.1986 р.);
1995 — Старший науковий співробітник (01.04.07-фізика твердого тіла);
2000 — Доктор фізико-математичних наук (01.04.07-фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д 26.001.23 Київського Національного Університету імені Тараса Шевченка (22.05.2000 р.);
2007 — Професор (спеціальність 01.04.07-фізика твердого тіла).
2015 — Член-кореспондент НАН України (спеціальність «Кореляційна оптика») (обраний 06.03.2015 р.).

Кар’єра:

1974—1979 — Студент фізичного факультету Чернівецького державного університету;
1979—1982 — Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету;
1982—1985 — Аспірант Інституту Напівпровідників;
1985—1988 — Молодший науковий співробітник;
1988—2000 — Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників;
2000—2004 — Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників;
2004 дотепер — завідувач відділу «Структурного і елементного аналізу матеріалів та систем» Інституту Фізики Напівпровідників НАН, Київ, Україна ;
2013 дотепер — заступник директора Інституту Фізики Напівпровідників НАНУ з наукової роботи, Київ, Україна.

Наукова діяльність

головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів;
інші напрями: фізика напівпровідників, дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів;
поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів.

Стажування за кордоном Університет м. Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)

Нагороди, Членство в Товариствах

Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.;
Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України (За видатні роботи в галузі фізики напівпровідників та напівпровідникового приладобудування) 2017 р.;
Пам'ятна відзнака Національної Академії Наук України (2018 р.);
Подяка Президії НАН України (2010 р.);
Подяка від Київського міського голови (2005 р.);
Винахідник СРСР (1986 р.);
член Українського Фізичного Товариства;
член Міжнародного союзу кристалографів;
заступник головного редактора журналу «Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics»
редактор тематичного розділу журналу «Український фізичний журнал»
член редколегії наукового журналу «Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології»
член редколегії наукового журналу «Фізика і хімія твердого тіла»

Публікації

    Загальна кількість статей в реферованих журналах: 465
    Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 221
    Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 1083 (h-index = 16)
    Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1959 (h-index = 21)
    Кількість конференцій: 217
    Монографії: 9   
    Авторські свідоцтва: 5
    Патенти: 9

Педагогічна діяльність

У вiддiлi пiд керiвництвом член-кор. НАН України, доктора фiз.-мат. наук, професора В.П. Кладька  захищенi 11 дисертацiй кандидата фiз.-мат.наук, з них у 2006 р. аспiрантами А.В. Кучуком та О.М. Єфановим, у 2007 р. - м.н.с. Корчовим А.А., у 2009 р. - наук. співроб. М.В. Слободяном, у 2012 р. - аспіранткою Сафрюк Н.В. та н.с. Гудименком О.Й., 2016 р. - аспірантом Станчу Г.В., 2017 р. - аспірантом Кривим С.Б., а у 2019 р. аспірантом Любченком О.І., н.с. Максименко З.В. та м.н.с. Поліщук Ю.О.



Список публікацій:

  1. Evolution of visible photoluminescence of Si quantum dots embedded in silicon oxide matrix
    A.Y. Karlash, V.A. Skryshevsky, G.V. Kuznetsov, V.P. Kladko // Journal of Alloys and Compounds, 2013, V.577 P.283-287. doi: http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2013.05.031

    Download: [pdf]

  2. Si-rich Al2O3 films grown by RF magnetron sputtering: structural and photoluminescence properties versus annealing treatment
    N. Korsunska, L. Khomenkova, O. Kolomys, V. Strelchuk, A. Kuchuk, V. Kladko, T. Stara, O. Oberemok, B. Romanyuk, P. Marie, J. Jedrzejewski, I. Balberg // Nanoscale Research Letters 2013, 8:273 (doi: 10.1186/1556-276X-8-273)

    Download: [pdf]

  3. Combined Multiparametric X-Ray Diffraction Diagnostics of Microdefects in Silicon Crystals after Irradiation by High-Energy Electrons
    [kyslovskiy]E.N. Kislovskii[/kyslovskiy], V.B. Molodkin, S.I. Olikhovskii, E.G. Len, B.V. Sheludchenko, S.V. Lizunova, T.P. Vladimirova, E.V. Kochelab, O.V. Reshetnyk, V.V. Dovganyuk, I.M. Fodchuk, T.V. Lytvynchuk, and V.P. Kladko // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2013, 7, No3, P.523-530.

    Download: [pdf]

  4. Surface reconstruction and optical absorption changes for Ge nanoclusters grown on chemically oxidized Si(1 0 0) surfaces
    V.S. Lysenko, S.V. Kondratenko, Y.N. Kozyrev, V.P. Kladko, Y.V. Gomeniuk, Y.Y. Melnichuk and N.B. Blanchard // Semiconductor Science and Technology, (2013), V.28, No 8, 085009 (9pp)

    Download: [pdf]

  5. Bio-SiC ceramics coated with hydroxyapatite using gas-detonation deposition: An alternative to titanium-based medical implants
    M.I. Klyui, V.P. Temchenko, O.P. Gryshkov, V.A. Dubok, V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, V.M. Dzhagan, V.O. Yukhymchuk, V.S. Kiselov // Functional materials, 2013, V.20, No2, P.163-171.

    Download: [pdf]

  6. Role of dislocations in formation of ohmic contacts to heavily doped n-Si
    A.E. Belyaev, V.A. Pilipenko, V.M. Anischik, T.V. Petlinskaya, A.V. Sachenko, V.P. Kladko, R.V. Konakova, N.S. Boltovets, T.V. Korostinskaya, L.M. Kapitanchuk, Ya.Ya. Kudrik, A.O. Vinogradov, V.N. Sheremet // Semicoductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2013, V.16, N2, P.99-110.

  7. Оптичні та структурно-дефектні характеристики нанокристалів CdS:Cu і CdS:Zn, синтезованих в полімерних матрицях
    Д.В. Корбутяк, С.В. Токарев, С.І. Будзуляк, А.О. Курик, В.П. Кладько, Ю.О. Поліщук, О.М. Шевчук, Г.А. Ільчук, В.С. Токарев // Фізика і хімія твердого тіла, 2013, T.14, N 1, C.222-227.

    Download: [pdf]

  8. Formation Mechanism of Contact Resistance to III–N Heterostructures with a High Dislocation Density
    A.V. Sachenko, A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, Yu.V. Zhilyaev, L.M. Kapitanchuk, V.P. Kladko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Naumov, V.N. Panteleev, V.N. Sheremet // Semiconductors, 2013, Vol.47, No.9, P.1180–1184.

    Download: [pdf]

  9. Спосіб виготовлення термочутливої плівки оксиду ванадію для неохолоджуваних болометрів.
    Голтвянський Ю.М., Венгер Є.Ф., Хацевич І.М., Нікірін В.В., Мусаєв М.М., Оберемок О.С., Кладько В.П., Кучук А.В.  // Патент України на корисну модель № 83371. (Бюл. 10.09.2013).

  10. Mechanism of oxygen redistribution during ultra-shallow junction formation in silicon
    O.S. Oberemok, D.V. Gamov, V.G._Litovchenko, B.M. Romanyuk, V.P. Melnik, V.P. Kladko, V.G. Popov, O.Yo. Gudymenko  // Proceedings of the International Conference Nanomaterials: Applications and Properties, 2013, V.2, No 1, 01PCSI14(3p).

    Download: [pdf]


 
© 2006-2024