укр
eng
Кладько Василь - доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки
Адреса:
Інститут Фізики Напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, Національна Академія Наук України.
03028 Київ, пр. Науки 45, УКРАЇНА
Дата і місце народження: 12 січня 1957 р., с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область
Національність: Українець
Освіта:
1974 – 1979 – студент Чернівецького Державного Університету, фізичний факультет
1982 – 1985 – аспірант Інституту Напівпровідників АН УРСР
Наукові ступені та звання:
1986 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді К.016.37.01 Інституту металофізики ім. Г.В.Курдюмова НАН України (04.06.1986 р.).
1995 – Старший науковий співробітник (01.04.07–фізика твердого тіла)
2000 – Доктор фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д 26.001.23 Київського Національного Університету імені Тараса Шевченка (22.05.2000 р.).
2007– Професор (зі спеціальності 01.04.07–фізика твердого тіла)
Кар’єра:
1979-1982 - Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету
1982-1985 - Аспірант Інституту Напівпровідників
1985-1988 – Молодший науковий співробітник
1988-2000 – Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників,
2000-2004 – Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників
2004 дотепер – завідувач відділу "Дифракційних досліджень структури напівпровідників" Інституту Фізики Напівпровідників НАН, Київ, Україна
Наукова спеціалізація:
(i) головний напрям: фізика твердого тіла, резонансне розсіяння випромінювань, фізика і реальна структура кристалічних матеріалів
(іі) інші напрями: фізика напівпровідників, розсіювання вторинних випромінювань
(iii) поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, надгратки і квантові ями (точки), фізика і реальна структура кристалічних матеріалів, рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія
Університет м.Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)
Нагороди, Членство в Товариствах
- Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.
- Подяка від Київського міського голови (2005 р.)
- Винахідник СРСР (1986 р.)
- член Українського Фізичного Товариства
- член Міжнародного союзу кристалографів
- заступник головного редактора журналу "Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics"
- член редколегії наукового журналу "Складні системи і процеси"
Публікації:
- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 260
- Кількість статей в реферованих міжнародних журналах: 80 (h-index = 5)
- Кількість конференцій: 107
- Кількість монографій: 4 (див. в розділі публікації)
- Авторські свідоцтва: 5
Педагогічна діяльність:
Підготував 4 кандидатів фіз.-мат. наук (Кучук А.В., Єфанов О.М., Корчовий А.А., Слободян М.В. - спеціальність 01.04.07 – фізика твердого тіла).
Керівник 2 дисертаційних робіт: аспірантка Сафрюк Н.В., м.н.с. Гудименко О.Й.
Список публікацій:
- Molecular-beams epitaxial growth of CdZnTe/ZnTe QW structures and superlattices on GaAs (100) substrates for optoelectronics.
E.F.Venger, Yu.G.Sadof’ev, G.N.Semenova, N.E.Korsunskaya, V.P. Kladko, B.Embergenov, B.R.Dzhumaev, L.V.Borkovskaya, M.P.Semtsiv, M.Sharibaev // In: Optical diagnostics of Materials and Devices for Opto-, Micro-and Quantum Electronics. Рroc. SPIE. 1999. V.3890. P.537-541. - Depth inhomogeneity of ZnTe, ZnCdTe, ZnSe epilayers grown on (001) GaAs by MBE.
E.F.Venger, Yu.G.Sadof’ev, G.N.Semenova, N.E.Korsunskaya, V.P. Kladko, B.Embergenov, B.R.Dzhumaev, L.V.Borkovskaya, M.P.Semtsiv, M.Sharibaev // In: Optical diagnostics of Materials and Devices for Opto-, Micro-and Quantum Electronics. Рroc. SPIE. 1999. V.3890. P.170-176. - Аналіз нестехіометрії і характеристик мікродефектів при дифракції рентгенівських променів по Бреггу.
Кладько В.П., Даценко Л.І., Оліховський С.Й., Мачулін В.Ф., Прокопенко І.В. // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика. Електроніка. 1999, Вип.63, С.28-36.Download: [pdf] - Diffraction of X-rays with different wavelengths for quasiforbidden reflections and testing of the nonstoichiometry in binary single crystal
V.P.Kladko // Metal. Phys. Adv. Technology, 1999. V.18. P.1-9Download: [pdf] - Oscillating Character of the diffusion of point defects in the elastic -strain field induced by machining of InAs surface
Kladko V.P. // Metal. Phys. Adv. Techn. 1999. V.18. P.549-556Download: [pdf] - О влиянии легирующей примеси на процесс формирования разупорядоченных областей в GaAs при облучении быстрыми нейтронами
В.П. Кладько, С.В. Пляцко // Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №3 (Cited 5 times)Download: [pdf] - On the effect of a dopant on the formation of disordered regions in GaAs under irradiation with fast neutrons
V.P. Kladko, S.V. Plyatsko // Semiconductors, 32 (3), March 1998. (Cited 5 times)Download: [pdf] - Дифракция рентгеновских лучей с различными длинами волн для квазизапрещенных отражений и анализ нестехиометрии в бинарных кристаллах.
Кладько В.П. // Металлофизика и новейшие технологии, 1998, Т.20, №1. С.3-8.Download: [pdf] - Осциллирующий характер диффузии точечных дефектов в деформационном поле, вызванном механической обработкой поверхности InAs.
Кладько В.П. // Металлофизика и новейшие технологии. 1998. т.20, №5. С.45-49.Download: [pdf] - Эпитаксиальные слои и сверхрешетки Si/Si1-xGex. Получение и структурные характеристики
Ф.Ф. Сизов, Ю.Н. Козырев, В.П. Кладько, С.В. Пляцко, В.М. Огенко, А.П. Шевляков // Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №8Download: [pdf]
