укр
eng
Кладько Василь - член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки, Лауреат премії ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Адреса:
Інститут Фізики Напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, Національна Академія Наук України.
03028 Київ, пр. Науки 45, УКРАЇНА
Дата і місце народження: 12 січня 1957 р., с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область
Національність: Українець
Освіта:
1964 – 1974 – Озерська середня школа (з золотою медаллю);
1974 – 1979 – Чернівецький Державний Університет, фізичний факультет (з відзнакою);
1982 – 1985 – аспірантура Інституту Напівпровідників АН УРСР
Наукові ступені та звання:
1986 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді К.016.37.01 Інституту металофізики ім. Г.В.Курдюмова НАН України (04.06.1986 р.).
1995 – Старший науковий співробітник (01.04.07–фізика твердого тіла)
2000 – Доктор фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д26.001.23 Київського Національного Університету імені Тараса Шевченка (22.05.2000 р.).
2007– Професор (зі спеціальності 01.04.07–фізика твердого тіла)
2015 – Член-кореспондент НАН України (зі спеціальності "Кореляційна оптика") (обраний 06.03.2015).
Кар’єра:
1979-1982 - Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету
1982-1985 - Аспірант Інституту Напівпровідників
1985-1988 – Молодший науковий співробітник
1988-2000 – Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників,
2000-2004 – Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників
2004 дотепер – завідувач відділу cтруктурного аналізу матеріалів і систем Інституту фізики напівпровідників НАН України, Київ, Україна
2013 дотепер – заступник директора з наукової роботи в Інституті Фізики Напівпровідників НАН України, Київ, Україна
Наукова спеціалізація:
(i) головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів
(іі) інші напрями: фізика напівпровідників, дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів
(iii) поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів
Університет м.Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)
Нагороди, Членство в Товариствах:
- Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.- Подяка від Київського міського голови (2005 р.)
- Винахідник СРСР (1986 р.)
- член Українського Фізичного Товариства
- член Міжнародного союзу кристалографів
Науково-організаційна робота:
- заступник головного редактора журналу "Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics";- асоційований редактор журналу "Nanotechnology and Nanomaterials" (Хорватія) (2014 Impact Factor: 0.857);
- головний редактор тематичного розділу "Українського фізичного журналу";
- керівник секції "Напівпровідникове матеріалознавство" Наукової ради з проблеми "Фізика напівпровідників і напівпровідникових пристроїв" при ВФА НАН України,
- член секції "Фізичні основи діагностики матеріалів" Наукової ради з проблеми "Фізика металічного стану" при ВФА НАН України
Публікації:
- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 436
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 185
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 698 (h-index = 12)
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1328 (h-index = 18)
- Кількість конференцій: 152
- Кількість монографій: 8 (див. в розділі публікації)
- Авторські свідоцтва: 5
- Патенти: 5
Педагогічна діяльність:
Підготував 8 кандидатів фізико-математичних наук (Кучук А.В., Єфанов О.М., Корчовий А.А., Слободян М.В., Сафрюк Н.В., Гудименко О.Й., Станчу Г.В., Кривий С.Б. - спеціальність 01.04.07 – фізика твердого тіла). Керівник дисертаційних робіт: аспіранта Любченка О.І., м.н.с. Поліщук Ю.С. та Максименко З.В.
Список публікацій:
- К вопросу о механизме формирования контактного сопротивления на шлифованных образцах n-Si
А.В. Саченко, А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, А.О. Виноградов, Л.М. Капитанчук, Р.В. Конакова, В.П. Костылев, Я.Я. Кудрик, В.П. Кладько, В.Н. Шеремет // Физика и техника полупроводников, 2013, Т.47, вып.3, С.426-431. (cited 1 time)Download: [pdf] - The Mechanism of Contact-Resistance Formation on Lapped n-Si Surfaces.
A.V. Sachenko, A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, A.O. Vinogradov, L.M. Kapitanchuk, R.V. Konakova, V.P. Kostylev, Ya.Ya. Kudrik, V.P. Kladko, V.N. Sheremet // Semiconductors, 2013, V.47, No 3, P.449-454. (cited 1 time)Download: [pdf] - Integrated Microwave (Centimeter-Range) Modulator on Polycrystalline Diamond Layers
V.V. Basanets, N.S. Boltovets, A.V. Gutsul, A.V. Zorenko, V.G. Ral’chenko, A.E. Belyaev, V.P. Kladko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudrik, A.V. Kuchuk, and V.V. Milenin // Technical Physics, 2013, Vol.58, No.3, P.420–424. (cited 1 time)Download: [pdf] - Resistance formation mechanisms for contacts to n-GaN and n-AlN with high dislocation density
A.V. Sachenko, A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, Yu.V. Zhilyaev, V.P. Klad'ko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, V.N. Panteleev and V.N. Sheremet // Physica status solidi (c), 2013, V.10, Issue 3. P.498-500. DOI:10.1002/pssc.201200530 (cited 1 time)Download: [pdf] - Influence of Carbon Layer on the Properties of Ni-Based Ohmic Contact to n-Type 4H-SiC
A. Kuchuk, V. Kladko, Z. Adamus, M. Wzorek, M. Borysiewicz, P. Borowicz, A. Barcz, K. Golaszewska, and A. Piotrowska // ISRN Electronics, vol.2013, Article ID 271658, 5 pages, 2013. doi:10.1155/2013/271658Download: [pdf] - Features of ZnS-Powder Doping with a Mn Impurity during Synthesis and Subsequent Annealing
N.E. Korsunskaya, Yu.Yu. Bacherikov, T.R. Stara, V.P. Kladko, N.P. Baran, Yu.O. Polischuk, A.V. Kuchuk, A.G. Zhuk, E.F. Venger // Semiconductors, 2013, V.47, N5, P.713-720.Download: [pdf] - Дослiдження рекомбiнацiйних характеристик Cz-кремнiю, iмплантованого iонами залiза (Research of recombination characteristics of Cz-Si implanted with iron ions)
Д.В. Гамов, О.Й. Гудименко, В.П. Кладько, В.Г. Литовченко, В.П. Мельник, О.С. Оберемок, В.Г. Попов, Ю.О. Поліщук, Б.М. Романюк, В.В. Черненко, В.М. Насєка // Український Фізичний Журнал, 2013, 58, N 9. C.881-887.Download: [pdf] - Механизм формирования контактного сопротивления к A3N гетероструктурам с высокой плотностью дислокаций
А.В. Саченко, А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, Ю.В. Жиляев, Л.М. Капитанчук, В.П. Кладько, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, А.В. Наумов, В.Н. Пантелеев, В.Н. Шеремет // Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, вып. 9. C.1191-1195.Download: [pdf] - X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al2O3(0001) substrates
N.V. Safriuk, G.V. Stanchu, A.V. Кuchuk, V.P. Кladko, A.E. Belyaev, V.F. Machulin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2013. V.16, No 3, P.265-272.Download: [pdf] - Evolution of visible photoluminescence of Si quantum dots embedded in silicon oxide matrix
A.Y. Karlash, V.A. Skryshevsky, G.V. Kuznetsov, V.P. Kladko // Journal of Alloys and Compounds, 2013, V.577 P.283-287. doi: http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2013.05.031Download: [pdf]
