укр
eng
Кладько Василь - член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки, Лауреат премії ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Адреса:
Інститут Фізики Напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, Національна Академія Наук України.
03028 Київ, пр. Науки 45, УКРАЇНА
Дата і місце народження: 12 січня 1957 р., с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область
Національність: Українець
Освіта:
1964 – 1974 – Озерська середня школа (з золотою медаллю);
1974 – 1979 – Чернівецький Державний Університет, фізичний факультет (з відзнакою);
1982 – 1985 – аспірантура Інституту Напівпровідників АН УРСР
Наукові ступені та звання:
1986 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді К.016.37.01 Інституту металофізики ім. Г.В.Курдюмова НАН України (04.06.1986 р.).
1995 – Старший науковий співробітник (01.04.07–фізика твердого тіла)
2000 – Доктор фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д26.001.23 Київського Національного Університету імені Тараса Шевченка (22.05.2000 р.).
2007– Професор (зі спеціальності 01.04.07–фізика твердого тіла)
2015 – Член-кореспондент НАН України (зі спеціальності "Кореляційна оптика") (обраний 06.03.2015).
Кар’єра:
1979-1982 - Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету
1982-1985 - Аспірант Інституту Напівпровідників
1985-1988 – Молодший науковий співробітник
1988-2000 – Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників,
2000-2004 – Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників
2004 дотепер – завідувач відділу cтруктурного аналізу матеріалів і систем Інституту фізики напівпровідників НАН України, Київ, Україна
2013 дотепер – заступник директора з наукової роботи в Інституті Фізики Напівпровідників НАН України, Київ, Україна
Наукова спеціалізація:
(i) головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів
(іі) інші напрями: фізика напівпровідників, дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів
(iii) поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів
Університет м.Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)
Нагороди, Членство в Товариствах:
- Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.- Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України (За видатні роботи в галузі фізики напівпровідників та напівпровідникового приладобудування) 2017 р.
- Подяка Президії НАН України (2010 р.)
- Подяка від Київського міського голови (2005 р.)
- Винахідник СРСР (1986 р.)
- член Українського Фізичного Товариства
- член Міжнародного союзу кристалографів
Науково-організаційна робота:
- заступник головного редактора журналу "Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics";- асоційований редактор журналу "Nanotechnology and Nanomaterials" (Хорватія) (2014 Impact Factor: 0.857);
- головний редактор тематичного розділу "Українського фізичного журналу";
- член редколегії наукового журналу "Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології";
- член редколегії наукового журналу "Складні системи і процеси".
- керівник секції "Напівпровідникове матеріалознавство" Наукової ради з проблеми "Фізика напівпровідників і напівпровідникових пристроїв" при ВФА НАН України,
- член секції "Фізичні основи діагностики матеріалів" Наукової ради з проблеми "Фізика металічного стану" при ВФА НАН України
Публікації:
- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 436
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 184
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 680 (h-index = 11)
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1286 (h-index = 18)
- Кількість конференцій: 152
- Кількість монографій: 8 (див. в розділі публікації)
- Авторські свідоцтва: 5
- Патенти: 5
Педагогічна діяльність:
Підготував 8 кандидатів фізико-математичних наук (Кучук А.В., Єфанов О.М., Корчовий А.А., Слободян М.В., Сафрюк Н.В., Гудименко О.Й., Станчу Г.В., Кривий С.Б. - спеціальність 01.04.07 – фізика твердого тіла). Керівник дисертаційних робіт: аспіранта Любченка О.І., м.н.с. Поліщук Ю.С. та Максименко З.В.
Список публікацій:
- Features of ZnS-Powder Doping with a Mn Impurity during Synthesis and Subsequent Annealing
N.E. Korsunskaya, Yu.Yu. Bacherikov, T.R. Stara, V.P. Kladko, N.P. Baran, Yu.O. Polischuk, A.V. Kuchuk, A.G. Zhuk, E.F. Venger // Semiconductors, 2013, V.47, N5, P.713-720.Download: [pdf] - Дослiдження рекомбiнацiйних характеристик Cz-кремнiю, iмплантованого iонами залiза (Research of recombination characteristics of Cz-Si implanted with iron ions)
Д.В. Гамов, О.Й. Гудименко, В.П. Кладько, В.Г. Литовченко, В.П. Мельник, О.С. Оберемок, В.Г. Попов, Ю.О. Поліщук, Б.М. Романюк, В.В. Черненко, В.М. Насєка // Український Фізичний Журнал, 2013, 58, N 9. C.881-887.Download: [pdf] - Механизм формирования контактного сопротивления к A3N гетероструктурам с высокой плотностью дислокаций
А.В. Саченко, А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, Ю.В. Жиляев, Л.М. Капитанчук, В.П. Кладько, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, А.В. Наумов, В.Н. Пантелеев, В.Н. Шеремет // Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, вып. 9. C.1191-1195.Download: [pdf] - X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al2O3(0001) substrates
N.V. Safriuk, G.V. Stanchu, A.V. Кuchuk, V.P. Кladko, A.E. Belyaev, V.F. Machulin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2013. V.16, No 3, P.265-272.Download: [pdf] - Evolution of visible photoluminescence of Si quantum dots embedded in silicon oxide matrix
A.Y. Karlash, V.A. Skryshevsky, G.V. Kuznetsov, V.P. Kladko // Journal of Alloys and Compounds, 2013, V.577 P.283-287. doi: http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2013.05.031Download: [pdf] - Si-rich Al2O3 films grown by RF magnetron sputtering: structural and photoluminescence properties versus annealing treatment
N. Korsunska, L. Khomenkova, O. Kolomys, V. Strelchuk, A. Kuchuk, V. Kladko, T. Stara, O. Oberemok, B. Romanyuk, P. Marie, J. Jedrzejewski, I. Balberg // Nanoscale Research Letters 2013, 8:273 (doi: 10.1186/1556-276X-8-273)Download: [pdf] - Combined Multiparametric X-Ray Diffraction Diagnostics of Microdefects in Silicon Crystals after Irradiation by High-Energy Electrons
E.N. Kislovskii, V.B. Molodkin, S.I. Olikhovskii, E.G. Len, B.V. Sheludchenko, S.V. Lizunova, T.P. Vladimirova, E.V. Kochelab, O.V. Reshetnyk, V.V. Dovganyuk, I.M. Fodchuk, T.V. Lytvynchuk, and V.P. Kladko // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2013, 7, No3, P.523-530.Download: [pdf] - Surface reconstruction and optical absorption changes for Ge nanoclusters grown on chemically oxidized Si(1 0 0) surfaces
V.S. Lysenko, S.V. Kondratenko, Y.N. Kozyrev, V.P. Kladko, Y.V. Gomeniuk, Y.Y. Melnichuk and N.B. Blanchard // Semiconductor Science and Technology, (2013), V.28, No 8, 085009 (9pp)Download: [pdf] - Bio-SiC ceramics coated with hydroxyapatite using gas-detonation deposition: An alternative to titanium-based medical implants
M.I. Klyui, V.P. Temchenko, O.P. Gryshkov, V.A. Dubok, V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, V.M. Dzhagan, V.O. Yukhymchuk, V.S. Kiselov // Functional materials, 2013, V.20, No2, P.163-171.Download: [pdf] - Role of dislocations in formation of ohmic contacts to heavily doped n-Si
A.E. Belyaev, V.A. Pilipenko, V.M. Anischik, T.V. Petlinskaya, A.V. Sachenko, V.P. Kladko, R.V. Konakova, N.S. Boltovets, T.V. Korostinskaya, L.M. Kapitanchuk, Ya.Ya. Kudrik, A.O. Vinogradov, V.N. Sheremet // Semicoductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2013, V.16, N2, P.99-110.
