Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Кладько Василь Петрович

Васи́ль Петро́вич Кладько́ Член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р., Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2017 р.

Дата та місце народження: 12 січня 1957 р. у с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область.

Освіта:

1964—1974 — Озерська середня школа (золота медаль);
1974—1979 — студент Чернівецького Державного Університету, фізичний факультет (з відзнакою);
1982—1985 — аспірант Інституту Напівпровідників АН УРСР.
1998—2000 — докторант Інституту Фізики Напівпровідників НАН України.

Наукові ступені та звання:

1986 — Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07-фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді К.016.37.01 Інституту металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України (04.06.1986 р.);
1995 — Старший науковий співробітник (01.04.07-фізика твердого тіла);
2000 — Доктор фізико-математичних наук (01.04.07-фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д 26.001.23 Київського Національного Університету імені Тараса Шевченка (22.05.2000 р.);
2007 — Професор (спеціальність 01.04.07-фізика твердого тіла).
2015 — Член-кореспондент НАН України (спеціальність «Кореляційна оптика») (обраний 06.03.2015 р.).

Кар’єра:

1974—1979 — Студент фізичного факультету Чернівецького державного університету;
1979—1982 — Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету;
1982—1985 — Аспірант Інституту Напівпровідників;
1985—1988 — Молодший науковий співробітник;
1988—2000 — Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників;
2000—2004 — Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників;
2004 дотепер — завідувач відділу «Структурного аналізу матеріалів і систем напівпровідників» Інституту Фізики Напівпровідників НАН, Київ, Україна ;
2013 дотепер — заступник директора Інституту Фізики Напівпровідників НАНУ з наукової роботи, Київ, Україна.

Наукова діяльність

головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів;
інші напрями: фізика напівпровідників, дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів;
поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів.

Стажування за кордоном Університет м. Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)

Нагороди, Членство в Товариствах

Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.;
Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України (За видатні роботи в галузі фізики напівпровідників та напівпровідникового приладобудування) 2017 р.;
Пам'ятна відзнака Національної Академії Наук України (2018 р.);
Подяка Президії НАН України (2010 р.);
Подяка від Київського міського голови (2005 р.);
Винахідник СРСР (1986 р.);
член Українського Фізичного Товариства;
член Міжнародного союзу кристалографів;
заступник головного редактора журналу «Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics»
редактор тематичного розділу журналу «Український фізичний журнал»
член редколегії наукового журналу «Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології»

Публікації

    Загальна кількість статей в реферованих журналах: 456
    Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 195
    Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 780 (h-index = 13)
    Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1492 (h-index = 20)
    Кількість конференцій: 211
    Монографії: 8   
    Авторські свідоцтва: 5
    Патенти: 6

Педагогічна діяльність
У вiддiлi пiд керiвництвом доктора фiз.-мат. наук, професора Кладька В.П. у 2006 р. захищенi дисертацiї кандидата фiз.-мат.наук аспiрантами А.В. Кучуком та О.М. Єфановим, у 2007 р. - м.н.с. Корчовим А.А., у 2009 р. - наук. співроб. М.В. Слободяном, у 2012 р. - аспіранткою Сафрюк Н.В. та н.с. Гудименком О.Й., 2016 р. - аспірантом Станчу Г.В. 2017 р. - аспірантом Кривим С.Б., а у 2019 р. аспірантом Любченком О.І., н.с. Максименко З.В. та м.н.с. Поліщук Ю.О.


Список публікацій:

  1. Рентгенодифрактометрический контроль структурного совершенства монокристаллических пластин.
    Крыштаб Т.Г., Кладько В.П., Фомин А.В.  // Заводская лаборатория. 1991, Т.57, №6. С.36-38

    Download: [pdf]

  2. Влияние метода утонения подложек на распределение деформационных полей в эпитаксиальных GaAs структурах.
    Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Семенова Г.Н., Хазан Л.С., Башевская О.С.  // Физика Твердого Тела, 1991, Т.33, №11. С.3192-3198. (cited 6 times)

    Download: [pdf]

  3. Влияние механической обработки на изгиб монокристаллических пластин из сплава GaAs.
    Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Фомин А.В., Друзь Б.Л., Петров П.Н.  // Оптико-механическая промышленность, 1990, №10, С.49-51.

    Download: [pdf]

  4. Влияние динамических и статических дефектов на интегральную рассеивающую способность кристаллов для квазизапрещенных отражений в геометрии Брэгга.
    Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Хромяк К.Я., Фомин А.В.  // Український Фізичний Журнал, 1990, Т.35, №4. С.594-598.

    Download: [pdf]

  5. Особенности рассеяния рентгеновских лучей для сверхструктурных отражений вблизи К-краев поглощения компонентов бинарных соединений на примере кристалла InSb.
    Кладько В.П.,, Крыштаб Т.Г., Даценко Л.И.  // Кристаллография, 1989, Т.34, №.5. С.1083-1087.

    Download: [pdf]

  6. Влияние упругой деформации на брэгговскую дифракцию рентгеновских лучей для квазизапрещенных отражений в монокристаллах GaAs.
    Кладько В.П., Крыштаб Т.Г. // Український Фізичний Журнал, 1989, Т.34, №10. С.1574-1575.

    Download: [pdf]

  7. Комплексное исследование деформированного слоя монокристаллического теллурида кадмия.
    Бабенцов В.Н., Горбань С.И., Кладько В.П., Фомин А.В.  // Оптико-механическая промышленность, 1989, №7, С.34-35.

    Download: [pdf]

  8. Контроль толщины нарушенного слоя в структурно-неоднородных монокристаллах
    Хрупа В.И., Кладько В.П., Кисловский Е.Н., Фомин А.В. // Заводская лаборатория, 1989, Т.55, №4. С.61-64.

  9. Лауэ-дифракция рентгеновских лучей с различными длинами волн для квазизапрещенных отражений в бинарных монокристаллах.
    Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Даценко Л.И.  // Український Фізичний Журнал, 1988, – 19 с.– 6 іл. Бібл. 13 найм. Деп. в ВИНИТИ 1988. №2004-В88.

  10. Рентгеновские исследования структурной однородности кристаллов CdTe.
    Герко И.А., Хрупа В.И., Кладько В.П., Кисловский Е.Н., Меринов В.Н.  // Заводская лаборатория, 1988. Т.54, №8. С.64-67.

    Download: [pdf]


 
© 2006-2019