укр
eng
Васи́ль Петро́вич Кладько́ Член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р., Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2017 р.
Дата та місце народження: 12 січня 1957 р. у с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область.
Освіта:
1964—1974 — Озерська середня школа (золота медаль); 1974—1979 — студент Чернівецького Державного Університету, фізичний факультет (з відзнакою); 1982—1985 — аспірант Інституту Напівпровідників АН УРСР. 1998—2000 — докторант Інституту Фізики Напівпровідників НАН України.
Наукові ступені та
звання:
Кар’єра:
1974—1979 — Студент фізичного факультету Чернівецького державного університету; 1979—1982 — Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету; 1982—1985 — Аспірант Інституту Напівпровідників; 1985—1988 — Молодший науковий співробітник; 1988—2000 — Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників; 2000—2004 — Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників; 2004 дотепер — завідувач відділу «Структурного аналізу матеріалів і систем напівпровідників» Інституту Фізики Напівпровідників НАН, Київ, Україна ; 2013 дотепер — заступник директора Інституту Фізики Напівпровідників НАНУ з наукової роботи, Київ, Україна.Наукова діяльність
головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів; інші напрями: фізика напівпровідників, дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів; поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів.Стажування за кордоном Університет м. Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)
Нагороди, Членство в Товариствах
Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.; Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України (За видатні роботи в галузі фізики напівпровідників та напівпровідникового приладобудування) 2017 р.; Пам'ятна відзнака Національної Академії Наук України (2018 р.); Подяка Президії НАН України (2010 р.); Подяка від Київського міського голови (2005 р.); Винахідник СРСР (1986 р.); член Українського Фізичного Товариства; член Міжнародного союзу кристалографів; заступник головного редактора журналу «Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics» редактор тематичного розділу журналу «Український фізичний журнал» член редколегії наукового журналу «Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології»Публікації
Загальна кількість статей в реферованих журналах: 453 Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 191 Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 748 (h-index = 13) Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1388 (h-index = 19) Кількість конференцій: 201 Монографії: 8Нагороди, Членство в Товариствах Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.; Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України (За видатні роботи в галузі фізики напівпровідників та напівпровідникового приладобудування) 2017 р.; Пам'ятна відзнака Національної Академії Наук України (2018 р.); Подяка Президії НАН України (2010 р.); Подяка від Київського міського голови (2005 р.); Винахідник СРСР (1986 р.); член Українського Фізичного Товариства; член Міжнародного союзу кристалографів; заступник головного редактора журналу «Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics» редактор тематичного розділу журналу «Український фізичний журнал» член редколегії наукового журналу «Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології»
Педагогічна діяльність
У вiддiлi пiд керiвництвом доктора фiз.-мат. наук, професора В.П. Кладька у 2006 р. захищенi дисертацiї кандидата фiз.-мат.наук аспiрантами А.В. Кучуком та О.М. Єфановим, у 2007 р. - м.н.с. Корчовим А.А., у 2009 р. - наук. співроб. М.В. Слободяном, у 2012 р. - аспіранткою Сафрюк Н.В. та н.с. Гудименком О.Й., 2016 р. - аспірантом Станчу Г.В. 2017 р. - аспірантом Кривим С.Б., а у 2019 р. аспірантом Любченком О.І., н.с. Максименко З.В. та м.н.с. Поліщук Ю.О.
Список публікацій:
[<< попередня] ----- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 ----- [наступна >>]
- Molecular-beams epitaxial growth of CdZnTe/ZnTe QW structures and superlattices on GaAs (100) substrates for optoelectronics.
E.F.Venger, Yu.G.Sadof’ev, G.N.Semenova, N.E.Korsunskaya, V.P. Kladko, B.Embergenov, B.R.Dzhumaev, L.V.Borkovskaya, M.P.Semtsiv, M.Sharibaev // In: Optical diagnostics of Materials and Devices for Opto-, Micro-and Quantum Electronics. Рroc. SPIE. 1999. V.3890. P.537-541. (cited 1 times)Download: [pdf] - Investigation of depth inhomogeneity of ZnTe, ZnCdTe, ZnSe epilayers grown on (001) GaAs by MBE.
E.F.Venger, Yu.G.Sadof’ev, G.N.Semenova, N.E.Korsunskaya, V.P. Kladko, B.Embergenov, B.R.Dzhumaev, L.V.Borkovskaya, M.P.Semtsiv, M.Sharibaev // In: Optical diagnostics of Materials and Devices for Opto-, Micro-and Quantum Electronics. Рroc. SPIE. 1999. V.3890. P.170-176. (cited 3 times)Download: [pdf] - Аналіз нестехіометрії і характеристик мікродефектів при дифракції рентгенівських променів по Бреггу.
Кладько В.П., Даценко Л.І., Оліховський С.Й., Мачулін В.Ф., Прокопенко І.В. // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика. Електроніка. 1999, Вип.63, С.28-36.Download: [pdf] - Diffraction of X-rays with different wavelengths for quasiforbidden reflections and testing of the nonstoichiometry in binary single crystal
V.P.Kladko // Metal. Phys. Adv. Technology, 1999. V.18. P.1-9Download: [pdf] - Oscillating Character of the diffusion of point defects in the elastic -strain field induced by machining of InAs surface
Kladko V.P. // Metal. Phys. Adv. Techn. 1999. V.18. P.549-556Download: [pdf] - О влиянии легирующей примеси на процесс формирования разупорядоченных областей в GaAs при облучении быстрыми нейтронами
В.П. Кладько, С.В. Пляцко // Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №3 (Cited 5 times)Download: [pdf] - On the effect of a dopant on the formation of disordered regions in GaAs under irradiation with fast neutrons
V.P. Kladko, S.V. Plyatsko // Semiconductors, 32 (3), March 1998. (Cited 5 times)Download: [pdf] - Дифракция рентгеновских лучей с различными длинами волн для квазизапрещенных отражений и анализ нестехиометрии в бинарных кристаллах.
Кладько В.П. // Металлофизика и новейшие технологии, 1998, Т.20, №1. С.3-8.Download: [pdf] - Осциллирующий характер диффузии точечных дефектов в деформационном поле, вызванном механической обработкой поверхности InAs.
Кладько В.П. // Металлофизика и новейшие технологии. 1998. т.20, №5. С.45-49.Download: [pdf] - Эпитаксиальные слои и сверхрешетки Si/Si1-xGex. Получение и структурные характеристики
Ф.Ф. Сизов, Ю.Н. Козырев, В.П. Кладько, С.В. Пляцко, В.М. Огенко, А.П. Шевляков // Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №8, C.922-925. (Cited 3 times)Download: [pdf]
[<< попередня] ----- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 ----- [наступна >>]
