укр
eng
Кладько Василь - член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки
Адреса:
Інститут Фізики Напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, Національна Академія Наук України.
03028 Київ, пр. Науки 45, УКРАЇНА
Дата і місце народження: 12 січня 1957 р., с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область
Національність: Українець
Освіта:
1964 – 1974 – Озерська середня школа (з золотою медаллю);
1974 – 1979 – Чернівецький Державний Університет, фізичний факультет (з відзнакою);
1982 – 1985 – аспірантура Інституту Напівпровідників АН УРСР
Наукові ступені та звання:
1986 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді К.016.37.01 Інституту металофізики ім. Г.В.Курдюмова НАН України (04.06.1986 р.).
1995 – Старший науковий співробітник (01.04.07–фізика твердого тіла)
2000 – Доктор фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д26.001.23 Київського Національного Університету імені Тараса Шевченка (22.05.2000 р.).
2007– Професор (зі спеціальності 01.04.07–фізика твердого тіла)
2015 – Член-кореспондент НАН України (зі спеціальності "Кореляційна оптика") (обраний 06.03.2015).
Кар’єра:
1979-1982 - Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету
1982-1985 - Аспірант Інституту Напівпровідників
1985-1988 – Молодший науковий співробітник
1988-2000 – Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників,
2000-2004 – Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників
2004 дотепер – завідувач відділу cтруктурного аналізу матеріалів і систем Інституту фізики напівпровідників НАН України, Київ, Україна
2013 дотепер – заступник директора з наукової роботи в Інституті Фізики Напівпровідників НАН України, Київ, Україна
Наукова спеціалізація:
(i) головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів
(іі) інші напрями: фізика напівпровідників, дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів
(iii) поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів
Університет м.Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)
Нагороди, Членство в Товариствах:
- Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.
- Подяка Президії НАН України (2010 р.)
- Подяка від Київського міського голови (2005 р.)
- Винахідник СРСР (1986 р.)
- член Українського Фізичного Товариства
- член Міжнародного союзу кристалографів
Науково-організаційна робота:
- заступник головного редактора журналу "Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics";- асоційований редактор журналу "Nanotechnology and Nanomaterials" (Хорватія) (2014 Impact Factor: 0.857);
- головний редактор тематичного розділу "Українського фізичного журналу";
- член редколегії наукового журналу "Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології";
- член редколегії наукового журналу "Складні системи і процеси".
- член спеціалізованої вченої ради Д26.199.02 при Інституті фізики напівпровідників НАН України.
- член експертної ради ДАК МОН України,
- керівник секції "Напівпровідникове матеріалознавство" Наукової ради з проблеми "Фізика напівпровідників і напівпровідникових пристроїв" при ВФА НАН України,
- член секції "Фізичні основи діагностики матеріалів" Наукової ради з проблеми "Фізика металічного стану" при ВФА НАН України.
Публікації:
- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 413
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 170
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 530 (h-index = 11)
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1040 (h-index = 16)
- Кількість конференцій: 141
- Кількість монографій: 8 (див. в розділі публікації)
- Авторські свідоцтва: 5
- Патенти: 4
Педагогічна діяльність:
Підготував 8 кандидатів фізико-математичних наук (Кучук А.В., Єфанов О.М., Корчовий А.А., Слободян М.В., Сафрюк Н.В., Гудименко О.Й., Станчу Г.В., Кривий С.Б. - спеціальність 01.04.07 – фізика твердого тіла). Керівник дисертаційних робіт аспірантів: Любченка О.І., Поліщук Ю.С.
Список публікацій:
- Изменения структуры и морфологии поверхности эпитаксиальных слоев CdHgTe при наносекундном лазерном облучении.
Власенко А.И., Гнатюк В.А., Копишинская Е.П., Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Лукьяненко В.И., Мозоль П.Е., Сукач А.В. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1994, №2, С.60-66.Download: [pdf] - Структурные дефекты и фотолюминесценция слоев InхGa1-хАs.
Семенова Г.Н., Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Садофьев Ю.Г., // Физика и Техника Полупроводников, 1993, Т.27, №1. С.162-167.Download: [pdf] - Влияние утоньшения подложки на оптические свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия (эффект дальнодействия).
Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Клейнфельд Ю.Н., Семенова Г.Н., Хазан Л.С. // Физика и Техника Полупроводников, 1992, Т.26, №2. С.368-372. (cited 3 times)Download: [pdf] - Изучение эффекта дальнодействия в монокристаллах GaAs с высокой плотностью дислокаций.
Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Семенова Г.Н., Свительский А.И. // Физика и Техника Полупроводников, 1992, Т.26, №11 С.1932-1937.Download: [pdf] - Изменение спектров фотолюминесценции эпитаксиальных слоев InP при механической обработке.
Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Семенова Г.Н., Сенчило А.Г. // Письма в ЖТФ, 1992, Т.18, №13, C.62-67.Download: [pdf] - Осциллирующая релаксация эффекта дальнодействия в GaAs.
Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Семенова Г.Н. // Письма в ЖТФ, 1992, Т.18, №24, C.1-5.Download: [pdf] - Laser-assisted evaporation of high-quality narrow-gap thin films.
Plyatsko S.V., Gromovoj Yu.S., Kostyunin G.V., Sizov F.F., Kladko V.P. // Thin Sol. Films, 1992, V.221, Issues 1-2, P.127-131. (cited 4 times)Download: [pdf] - Рентгенодифрактометрический контроль структурного совершенства монокристаллических пластин.
Крыштаб Т.Г., Кладько В.П., Фомин А.В. // Заводская лаборатория. 1991, Т.57, №6. С.36-38Download: [pdf] - Влияние метода утонения подложек на распределение деформационных полей в эпитаксиальных GaAs структурах.
Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Семенова Г.Н., Хазан Л.С., Башевская О.С. // Физика Твердого Тела, 1991, Т.33, №11. С.3192-3198. (cited 6 times)Download: [pdf] - Влияние механической обработки на изгиб монокристаллических пластин из сплава GaAs.
Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Фомин А.В., Друзь Б.Л., Петров П.Н. // Оптико-механическая промышленность, 1990, №10, С.49-51.Download: [pdf]
