Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Кладько Василь Петрович

Васи́ль Петро́вич Кладько́ Член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р., Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2017 р.

Дата та місце народження: 12 січня 1957 р. у с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область.

Освіта:

1964—1974 — Озерська середня школа (золота медаль);
1974—1979 — студент Чернівецького Державного Університету, фізичний факультет (з відзнакою);
1982—1985 — аспірант Інституту Напівпровідників АН УРСР.
1998—2000 — докторант Інституту Фізики Напівпровідників НАН України.

Наукові ступені та звання:

1986 — Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07-фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді К.016.37.01 Інституту металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України (04.06.1986 р.);
1995 — Старший науковий співробітник (01.04.07-фізика твердого тіла);
2000 — Доктор фізико-математичних наук (01.04.07-фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д 26.001.23 Київського Національного Університету імені Тараса Шевченка (22.05.2000 р.);
2007 — Професор (спеціальність 01.04.07-фізика твердого тіла).
2015 — Член-кореспондент НАН України (спеціальність «Кореляційна оптика») (обраний 06.03.2015 р.).

Кар’єра:

1974—1979 — Студент фізичного факультету Чернівецького державного університету;
1979—1982 — Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету;
1982—1985 — Аспірант Інституту Напівпровідників;
1985—1988 — Молодший науковий співробітник;
1988—2000 — Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників;
2000—2004 — Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників;
2004 дотепер — завідувач відділу «Структурного аналізу матеріалів і систем напівпровідників» Інституту Фізики Напівпровідників НАН, Київ, Україна ;
2013 дотепер — заступник директора Інституту Фізики Напівпровідників НАНУ з наукової роботи, Київ, Україна.

Наукова діяльність

головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів;
інші напрями: фізика напівпровідників, дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів;
поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів.

Стажування за кордоном Університет м. Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)

Нагороди, Членство в Товариствах

Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.;
Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України (За видатні роботи в галузі фізики напівпровідників та напівпровідникового приладобудування) 2017 р.;
Пам'ятна відзнака Національної Академії Наук України (2018 р.);
Подяка Президії НАН України (2010 р.);
Подяка від Київського міського голови (2005 р.);
Винахідник СРСР (1986 р.);
член Українського Фізичного Товариства;
член Міжнародного союзу кристалографів;
заступник головного редактора журналу «Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics»
редактор тематичного розділу журналу «Український фізичний журнал»
член редколегії наукового журналу «Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології»
член редколегії наукового журналу «Фізика і хімія твердого тілаї»

Публікації

    Загальна кількість статей в реферованих журналах: 456
    Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 196
    Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 802 (h-index = 13)
    Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1530 (h-index = 20)
    Кількість конференцій: 211
    Монографії: 8   
    Авторські свідоцтва: 5
    Патенти: 6

Педагогічна діяльність
У вiддiлi пiд керiвництвом доктора фiз.-мат. наук, професора Кладька В.П. у 2006 р. захищенi дисертацiї кандидата фiз.-мат.наук аспiрантами А.В. Кучуком та О.М. Єфановим, у 2007 р. - м.н.с. Корчовим А.А., у 2009 р. - наук. співроб. М.В. Слободяном, у 2012 р. - аспіранткою Сафрюк Н.В. та н.с. Гудименком О.Й., 2016 р. - аспірантом Станчу Г.В. 2017 р. - аспірантом Кривим С.Б., а у 2019 р. аспірантом Любченком О.І., н.с. Максименко З.В., та м.н.с. Поліщук Ю.О.


Список публікацій:

  1. Лауэ-дифракция рентгеновских лучей в GaAs при нулевом значении действительной части структурного фактора для квазизапрещенных отражений.
    Даценко Л.И., Кладько В.П. // Кристаллография, 2000, Т.45, №5, С.775-778. Cited 1 time
  2. Structure perfection variations of Si crystals grown by Czochralski or floating zone methods after implantation of oxygen or neon atoms followed by annealing
    L.I. Datsenko, J. Auleytner, A. Misiuk, V.P. Kladko, V.F. Machulin, J. Bak-Misiuk, D. Zymierska, I.V. Antonova, V.M. Melnyk, V.P. Popov, T. Czosnyka and J. Choinski // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 1999. V. 2, N 1. P. 56-61.

    Download: [pdf]
  3. Influence of absorption level on mechanisms of Bragg diffracted x-ray beam formation in real silicon crystals
    V.P. Kladko, D.O. Grigoriev, L.I. Datsenko, V.F. Machulin, I.V. Prokopenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 1999. V. 2, N 1. P. 157-162.

    Download: [pdf]
  4. Особенности лауэ-дифракции рентгеновских лучей для квазизапрещенных отражений в монокристаллах GaAs в области слабых и промежуточных уровней поглощения.
    Кладько В.П., Даценко Л.И., Ткач И.И., Григорьев Д.О., Прокопенко И.В.  // Металлофизика и новейшие технологии. 1999, Т.21, №3. С.3-9.

    Download: [pdf]
  5. Особенности толщинных осцилляций интенсивности при рассеянии рентгеновских лучей вблизи К-края поглощения галлия для квазизапрещенных отражений.
    Кладько В.П., Даценко Л.И., Мельник В.М., Мачулин В.Ф.  // Металлофизика и новейшие технологии. 1999, Т.21, №8. С.46-54.

    Download: [pdf]
  6. Вплив дефектів структури в GaAs на характер лауе-дифракції рентгенівських променів з довжинами хвиль, близькими до К-країв поглинання атомів підграток.
    Кладько В.П., Даценко Л.І., Мачулін В.Ф. // Український Фізичний Журнал, 1999, Т.44, №9. С.1148-1154.
  7. Influence of hydrostatic pressure at the temperatures about 1500K on defect structure of Czochralski silicon.
    J. Auleytner, L. Datsenko, V. Kladko, V.Machulin, V. Melnyk, I. Prokopenko, J. Bak-Misiuk and A. Misiuk // Journal of Alloys and Compounds, 1999, V.286, Issue 1-2. P.246-249.

    Download: [pdf]
  8. Structure changes in Cz-Si single crystals irradiated with fast oxygen and neon ions.
    Datsenko L., Zymierska D., Auleytner J., Klinger D., Machulin V.F., Kladko V.P., Melnik V., Prokopenko I., Czosinka T., Choinski J. // Acta Physica Polonica, (А). 1999. V.96, N1, P.137-142. (Cited 2 times)

    Download: [pdf]
  9. Особливості просторового розподілу дифузного розсіяння рентгенівських променів в структурно–неоднорідних кристалах.
    Мачулін В.Ф., Даценко Л.І., Кладько В.П., Мельник В.М.  // Український Фізичний Журнал, 1999, Т.44, №10. С.1234-1240.

    Download: [pdf]
  10. Structure perfection of oxygen-implanted floating zone grown silicon subjected to high pressure treatment.
    Zymierska D., Datsenko L., Auleytner J., Misiuk A., Kladko V., Bak-Misiuk J., Melnik V., Antonova I.V., Popov V.P.  // “Synchrotron radiation studies of materials”. Proc.of the 5th Nat. Symp. of Synchr. Radiation Users. Warsaw. 1999. P.257-264

  
© 2006-2020