укр
eng
Кладько Василь - член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки, Лауреат премії ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Адреса:
Інститут Фізики Напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, Національна Академія Наук України.
03028 Київ, пр. Науки 45, УКРАЇНА
Дата і місце народження: 12 січня 1957 р., с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область
Національність: Українець
Освіта:
1964 – 1974 – Озерська середня школа (з золотою медаллю);
1974 – 1979 – Чернівецький Державний Університет, фізичний факультет (з відзнакою);
1982 – 1985 – аспірантура Інституту Напівпровідників АН УРСР
Наукові ступені та звання:
1986 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді К.016.37.01 Інституту металофізики ім. Г.В.Курдюмова НАН України (04.06.1986 р.).
1995 – Старший науковий співробітник (01.04.07–фізика твердого тіла)
2000 – Доктор фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д26.001.23 Київського Національного Університету імені Тараса Шевченка (22.05.2000 р.).
2007– Професор (зі спеціальності 01.04.07–фізика твердого тіла)
2015 – Член-кореспондент НАН України (зі спеціальності "Кореляційна оптика") (обраний 06.03.2015).
Кар’єра:
1979-1982 - Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету
1982-1985 - Аспірант Інституту Напівпровідників
1985-1988 – Молодший науковий співробітник
1988-2000 – Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників,
2000-2004 – Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників
2004 дотепер – завідувач відділу cтруктурного аналізу матеріалів і систем Інституту фізики напівпровідників НАН України, Київ, Україна
2013 дотепер – заступник директора з наукової роботи в Інституті Фізики Напівпровідників НАН України, Київ, Україна
Наукова спеціалізація:
(i) головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів
(іі) інші напрями: фізика напівпровідників, дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів
(iii) поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів
Університет м.Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)
Нагороди, Членство в Товариствах:
- Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.- Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України (За видатні роботи в галузі фізики напівпровідників та напівпровідникового приладобудування) 2017 р.
- Подяка Президії НАН України (2010 р.)
- Подяка від Київського міського голови (2005 р.)
- Винахідник СРСР (1986 р.)
- член Українського Фізичного Товариства
- член Міжнародного союзу кристалографів
Науково-організаційна робота:
- заступник головного редактора журналу "Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics";- асоційований редактор журналу "Nanotechnology and Nanomaterials" (Хорватія) (2014 Impact Factor: 0.857);
- головний редактор тематичного розділу "Українського фізичного журналу";
- член редколегії наукового журналу "Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології";
- член редколегії наукового журналу "Складні системи і процеси".
- член спеціалізованої вченої ради Д26.199.02 при Інституті фізики напівпровідників НАН України.
- член експертної ради ДАК МОН України,
- керівник секції "Напівпровідникове матеріалознавство" Наукової ради з проблеми "Фізика напівпровідників і напівпровідникових пристроїв" при ВФА НАН України,
- член секції "Фізичні основи діагностики матеріалів" Наукової ради з проблеми "Фізика металічного стану" при ВФА НАН України
Публікації:
- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 431
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 175
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 590 (h-index = 11)
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1145 (h-index = 16)
- Кількість конференцій: 143
- Кількість монографій: 8 (див. в розділі публікації)
- Авторські свідоцтва: 5
- Патенти: 5
Педагогічна діяльність:
Підготував 8 кандидатів фізико-математичних наук (Кучук А.В., Єфанов О.М., Корчовий А.А., Слободян М.В., Сафрюк Н.В., Гудименко О.Й., Станчу Г.В., Кривий С.Б. - спеціальність 01.04.07 – фізика твердого тіла). Керівник дисертаційних робіт аспірантів: Любченка О.І., Поліщук Ю.С.
Список публікацій:
- Свойства эпитаксиальных слоев GaAs и AlGaAs, полученные жидкофазной эпитаксией из галлиевого расплава с добавкой Yb.
Семенова Г.Н., Крыштаб Т.Г., Кладько В.П., Круковский С.И., Свительский А.В. // Неорганические материалы, 1996, Т.32, №8, С.916-919.Download: [pdf] - Вирощування та дослідження структурних характеристик епiтаксiйних шарів i надграток Si/Si1-x Gex.
Сизов Ф.Ф., Кладько В.П., Козирев Ю.М., Пляцко С.В. // Український Фізичний Журнал, 1996. Т.41, №9. С.845-849. (Cited 2 times)Download: [pdf] - О корреляции распределения интенсивности „углеродной” полосы люминесценции с h=1.49 эВ и концентрации вакансий мышьяка в ПИН GaAs кристаллах.
Глинчук К.Д., Гурошев В.В., Кладько В.П., Прохорович А.В. // Кристаллография, 1995, Т.40, №1, С.113-116.Download: [pdf] - Властивості епiтаксiйних шарів арсеніду галію при долегуваннi розплаву рідкоземельними елементами.
Семенова Г.М., Кладько В.П., Криштаб Т.Г., Круковський С.Й., Світельський О.В. // Український Фізичний Журнал, 1995, Т.40, №10. С.1101-1106. - Photoluminescence and X-ray studies of thin layers until single quantum wells.
Svitelskii A.V., Semenova G.N., Kladko V.P., Kryshtab T.G. // In: Optical diagnostics of Materials and Devices for Opto-, Micro- and Quantum Electronics. Proceeding SPIE, 1995, V.2648. P.326-333.Download: [pdf] - Вплив типу власних точкових дефектів на інтенсивність дифрагованих рентгенівських променів для квазізаборонених рефлексiв.
Кладько В.П. // Український Фізичний Журнал, 1994, Т.39, №3. С.330-334.Download: [pdf] - Релаксационные процессы в напряженных гетероструктурах на основе GaAs и InP (эффект дальнодействия).
Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Семенова Г.Н. // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 1994, Вып.28, С.77-89.Download: [pdf] - Слои AlxGa1-xAs в системе Ga-Bi-Al-GaAs.
Кладько В.П., Семенова Г.Н., Крыштаб Т.Г., Круковский С.И. // Журнал Технической Физики. 1994, Т.64, №5, С.103-106.Download: [pdf] - Изменения структуры и морфологии поверхности эпитаксиальных слоев CdHgTe при наносекундном лазерном облучении.
Власенко А.И., Гнатюк В.А., Копишинская Е.П., Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Лукьяненко В.И., Мозоль П.Е., Сукач А.В. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1994, №2, С.60-66.Download: [pdf] - Структурные дефекты и фотолюминесценция слоев InхGa1-хАs.
Семенова Г.Н., Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Садофьев Ю.Г., // Физика и Техника Полупроводников, 1993, Т.27, №1. С.162-167.Download: [pdf]
