укр
eng
Кладько Василь - член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки, Лауреат премії ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Адреса:
Інститут Фізики Напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, Національна Академія Наук України.
03028 Київ, пр. Науки 45, УКРАЇНА
Дата і місце народження: 12 січня 1957 р., с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область
Національність: Українець
Освіта:
1964 – 1974 – Озерська середня школа (з золотою медаллю);
1974 – 1979 – Чернівецький Державний Університет, фізичний факультет (з відзнакою);
1982 – 1985 – аспірантура Інституту Напівпровідників АН УРСР
Наукові ступені та звання:
1986 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді К.016.37.01 Інституту металофізики ім. Г.В.Курдюмова НАН України (04.06.1986 р.).
1995 – Старший науковий співробітник (01.04.07–фізика твердого тіла)
2000 – Доктор фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д26.001.23 Київського Національного Університету імені Тараса Шевченка (22.05.2000 р.).
2007– Професор (зі спеціальності 01.04.07–фізика твердого тіла)
2015 – Член-кореспондент НАН України (зі спеціальності "Кореляційна оптика") (обраний 06.03.2015).
Кар’єра:
1979-1982 - Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету
1982-1985 - Аспірант Інституту Напівпровідників
1985-1988 – Молодший науковий співробітник
1988-2000 – Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників,
2000-2004 – Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників
2004 дотепер – завідувач відділу cтруктурного аналізу матеріалів і систем Інституту фізики напівпровідників НАН України, Київ, Україна
2013 дотепер – заступник директора з наукової роботи в Інституті Фізики Напівпровідників НАН України, Київ, Україна
Наукова спеціалізація:
(i) головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів
(іі) інші напрями: фізика напівпровідників, дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів
(iii) поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів
Університет м.Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)
Нагороди, Членство в Товариствах:
- Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.- Подяка від Київського міського голови (2005 р.)
- Винахідник СРСР (1986 р.)
- член Українського Фізичного Товариства
- член Міжнародного союзу кристалографів
Науково-організаційна робота:
- заступник головного редактора журналу "Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics";- асоційований редактор журналу "Nanotechnology and Nanomaterials" (Хорватія) (2014 Impact Factor: 0.857);
- головний редактор тематичного розділу "Українського фізичного журналу";
- керівник секції "Напівпровідникове матеріалознавство" Наукової ради з проблеми "Фізика напівпровідників і напівпровідникових пристроїв" при ВФА НАН України,
- член секції "Фізичні основи діагностики матеріалів" Наукової ради з проблеми "Фізика металічного стану" при ВФА НАН України
Публікації:
- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 436
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 185
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 698 (h-index = 12)
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1328 (h-index = 18)
- Кількість конференцій: 152
- Кількість монографій: 8 (див. в розділі публікації)
- Авторські свідоцтва: 5
- Патенти: 5
Педагогічна діяльність:
Підготував 8 кандидатів фізико-математичних наук (Кучук А.В., Єфанов О.М., Корчовий А.А., Слободян М.В., Сафрюк Н.В., Гудименко О.Й., Станчу Г.В., Кривий С.Б. - спеціальність 01.04.07 – фізика твердого тіла). Керівник дисертаційних робіт: аспіранта Любченка О.І., м.н.с. Поліщук Ю.С. та Максименко З.В.
Список публікацій:
- Oscillating Character of the diffusion of point defects in the elastic -strain field induced by machining of InAs surface
Kladko V.P. // Metal. Phys. Adv. Techn. 1999. V.18. P.549-556Download: [pdf] - О влиянии легирующей примеси на процесс формирования разупорядоченных областей в GaAs при облучении быстрыми нейтронами
В.П. Кладько, С.В. Пляцко // Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №3 (Cited 5 times)Download: [pdf] - On the effect of a dopant on the formation of disordered regions in GaAs under irradiation with fast neutrons
V.P. Kladko, S.V. Plyatsko // Semiconductors, 32 (3), March 1998. (Cited 5 times)Download: [pdf] - Дифракция рентгеновских лучей с различными длинами волн для квазизапрещенных отражений и анализ нестехиометрии в бинарных кристаллах.
Кладько В.П. // Металлофизика и новейшие технологии, 1998, Т.20, №1. С.3-8.Download: [pdf] - Осциллирующий характер диффузии точечных дефектов в деформационном поле, вызванном механической обработкой поверхности InAs.
Кладько В.П. // Металлофизика и новейшие технологии. 1998. т.20, №5. С.45-49.Download: [pdf] - Эпитаксиальные слои и сверхрешетки Si/Si1-xGex. Получение и структурные характеристики
Ф.Ф. Сизов, Ю.Н. Козырев, В.П. Кладько, С.В. Пляцко, В.М. Огенко, А.П. Шевляков // Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №8, C.922-925. (Cited 3 times)Download: [pdf] - Изменение структурных и электрофизических свойств нелегированных монокристаллов InAs инфракрасным лазерным излучением
С.В. Пляцко, В.П. Кладько // Физика и техника полупроводников, 1997, том. 31, №10Download: [pdf] - Si/Si1-xGex epitaxial layers and superlattices. Growth and structural characteristics
F.F. Sizov, V.P. Kladko, S.V. Plyatsko, A.P. Shelyakov, Yu.N. Kozyrev, V.M. Ogenko // Semiconductors 31 1997, (8), P.786-788. (Cited 3 times)Download: [pdf] - Effect of infrared laser radiation on the structure and electrophysical properties of undoped single-crystal InAs
S.V. Plyatsko, V.P. Kladko // Semiconductors 31 (10)Download: [pdf] - Механізм формування структурної неоднорідності в монокристалах А3В5 та її вплив на iнтегральну інтенсивність квазiзаборонених рефлексiв.
Кладько В.П. // Український Фізичний Журнал, 1997, Т.42, №9. С.1102-1104.Download: [pdf]
