Васи́ль Петро́вич Кладько́ Член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р., Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2017 р.
Дата та місце народження: 12 січня 1957 р. у с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область.
Освіта:
1964—1974 — Озерська середня школа (золота медаль); 1974—1979 — студент Чернівецького Державного Університету, фізичний факультет (з відзнакою); 1982—1985 — аспірант Інституту Напівпровідників АН УРСР. 1998—2000 — докторант Інституту Фізики Напівпровідників НАН України.
Наукові ступені та
звання:
Кар’єра:
1974—1979 — Студент фізичного факультету Чернівецького державного університету; 1979—1982 — Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету; 1982—1985 — Аспірант Інституту Напівпровідників; 1985—1988 — Молодший науковий співробітник; 1988—2000 — Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників; 2000—2004 — Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників; 2004 дотепер — завідувач відділу «Структурного і елементного аналізу матеріалів та систем» Інституту Фізики Напівпровідників НАН, Київ, Україна ; 2013 дотепер — заступник директора Інституту Фізики Напівпровідників НАНУ з наукової роботи, Київ, Україна.Наукова діяльність
головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів; інші напрями: фізика напівпровідників, дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів; поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів.Стажування за кордоном Університет м. Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)
Нагороди, Членство в Товариствах
Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.; Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України (За видатні роботи в галузі фізики напівпровідників та напівпровідникового приладобудування) 2017 р.; Пам'ятна відзнака Національної Академії Наук України (2018 р.); Подяка Президії НАН України (2010 р.); Подяка від Київського міського голови (2005 р.); Винахідник СРСР (1986 р.); член Українського Фізичного Товариства; член Міжнародного союзу кристалографів; заступник головного редактора журналу «Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics» редактор тематичного розділу журналу «Український фізичний журнал» член редколегії наукового журналу «Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології»член редколегії наукового журналу «Фізика і хімія твердого тіла»
Публікації
Загальна кількість статей в реферованих журналах: 465 Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 221 Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 1083 (h-index = 16) Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1959 (h-index = 21) Кількість конференцій: 217 Монографії: 9Авторські свідоцтва: 5
Патенти: 9
Педагогічна діяльність
У вiддiлi пiд керiвництвом член-кор. НАН України, доктора фiз.-мат. наук, професора В.П. Кладька захищенi 11 дисертацiй кандидата фiз.-мат.наук, з них у 2006 р. аспiрантами А.В. Кучуком та О.М. Єфановим, у 2007 р. - м.н.с. Корчовим А.А., у 2009 р. - наук. співроб. М.В. Слободяном, у 2012 р. - аспіранткою Сафрюк Н.В. та н.с. Гудименком О.Й., 2016 р. - аспірантом Станчу Г.В., 2017 р. - аспірантом Кривим С.Б., а у 2019 р. аспірантом Любченком О.І., н.с. Максименко З.В. та м.н.с. Поліщук Ю.О.Список публікацій:
[<< попередня] ----- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 ----- [наступна >>]
- Recrystallization processes in screen-printed CdS films
V.P. Klad'ko, O.S. Lytvyn, P.M. Lytvyn, N.M. Osipenok, G.S. Pekar, I.V. Prokopenko, A.F. Singaevsky, A.A. Korchevoy // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2002. V.5, N 2. P. 170-175. (Cited 5 times)Download: [pdf] - Defects and radiation-enhanced defect reactions in ZnSe/(001)GaAs MBE layers
G.N. Semenova, E.F. Venger, N.O. Korsunska, V.P. Klad'ko, L.V. Borkovska, M.P. Semtsiv, M.B. Sharibaev, V.I. Kushnirenko, Yu.G. Sadofyev // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2002. V. 5, N 2. P. 133-137. (Cited 3 times)Download: [pdf] - Concerning the subject of X-ray scattering by large dislocation loops
V.P. Klad’ko, M.Ya. Skorokhod, L.I. Datsenko, O.I. Gudymenko // Український Фізичний Журнал, 2002, Т.47, №7. C.675-679.Download: [pdf] - АСМ исследования нано-островков на поверхности полупроводниковых структур.
Литвин П.М., Прокопенко И.В., Кладько В.П., Федоренко Л.Д. // Сбор. докладов 5 семинара по сканирующей зондовой микроскопии. Минск, 2002, C.28-32.Download: [pdf] - Рентгенодифракционная диагностика структурной и композиционной однородности бинарных кристаллов.
Даценко Л.И., Кладько В.П., Маннинен С., Молодкин В.Б. // Металлофизика и новейшие технологии. 2002, Т.24, №5. С.597-615.Download: [pdf] - (Dynamical Scattering of X-Rays by Real Crystals in Region of Anomalous Dispersion) Динамическое рассеяние рентгеновских лучей реальными кристаллами в области аномальной дисперсии
Л.И. Даценко, В.П. Кладько, В.Ф. Мачулин, В.Б. Молодкин. (Datsenko L.I., Kladko V.P., Machulin V.F., Molodkin V.B. (in Russian)) // (монографія) Київ, 2002 р. “Академперіодика” – 352 с. (cited 7 times) - Calculation of two-dimensional maps of diffuse scattering by a real crystal with microdefects and comparison of results obtained from three-crystal diffractometry
V.P. Klad‘ko, L.I. Datsenko, J. Bak-Misiuk, S.I. Olikhovskii, V.F. Machulin, I.V. Prokopenko, V.B. Molodkin, Z.V. Maksimenko // Journal of Physics D: Appl. Phys. 2001, V.34, P.A87–A92. (cited 15 times)Download: [pdf] - Microdefects and nonstoichiometry level in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy method
V.P. Kladko, L.I. Datsenko, Z. Zytkiewicz, J. Bak-Misiuk, Z.V. Maksimenko // Journal of Alloys and Compounds, 2001, V.328, P.218–221. (cited 3 times)Download: [pdf] - Effect of Structure Perfection of Polar Crystals on Friedel Intensity Ratio for X-Ray Reflections in the Region of Resonant Frequencies
Kladko V.P., Datsenko L.I., Manninen S., Galambosi Sz., Molodkin V.B., Machulin V.F. // Металлофизика и новейшие технологии. 2001, V.23, №12. С.1595-1605.Download: [pdf] - Complex diffractometrical investigstion of structural and compositional irregularities in GaAs:Si/GaAs films heavily doped with silicon
L.I. Datsenko, V.P. Kladko, P.M. Lytvyn, J. Domogala, V.F. Machulin, I.V. Prokopenko, V.B. Molodkin, Z.V. Maksimenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2001. V.4, No 3, P. 146-151Download: [pdf]
[<< попередня] ----- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 ----- [наступна >>]