укр
eng
Васи́ль Петро́вич Кладько́ Член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р., Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2017 р.
Дата та місце народження: 12 січня 1957 р. у с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область.
Освіта:
1964—1974 — Озерська середня школа (золота медаль); 1974—1979 — студент Чернівецького Державного Університету, фізичний факультет (з відзнакою); 1982—1985 — аспірант Інституту Напівпровідників АН УРСР. 1998—2000 — докторант Інституту Фізики Напівпровідників НАН України.
Наукові ступені та
звання:
Кар’єра:
1974—1979 — Студент фізичного факультету Чернівецького державного університету; 1979—1982 — Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету; 1982—1985 — Аспірант Інституту Напівпровідників; 1985—1988 — Молодший науковий співробітник; 1988—2000 — Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників; 2000—2004 — Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників; 2004 дотепер — завідувач відділу «Структурного аналізу матеріалів і систем напівпровідників» Інституту Фізики Напівпровідників НАН, Київ, Україна ; 2013 дотепер — заступник директора Інституту Фізики Напівпровідників НАНУ з наукової роботи, Київ, Україна.Наукова діяльність
головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів; інші напрями: фізика напівпровідників, дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів; поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів.Стажування за кордоном Університет м. Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)
Нагороди, Членство в Товариствах
Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.; Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України (За видатні роботи в галузі фізики напівпровідників та напівпровідникового приладобудування) 2017 р.; Пам'ятна відзнака Національної Академії Наук України (2018 р.); Подяка Президії НАН України (2010 р.); Подяка від Київського міського голови (2005 р.); Винахідник СРСР (1986 р.); член Українського Фізичного Товариства; член Міжнародного союзу кристалографів; заступник головного редактора журналу «Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics» редактор тематичного розділу журналу «Український фізичний журнал» член редколегії наукового журналу «Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології»Публікації
Загальна кількість статей в реферованих журналах: 456 Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 195 Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 780 (h-index = 13) Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1492 (h-index = 20) Кількість конференцій: 211 Монографії: 8Авторські свідоцтва: 5
Патенти: 6
Педагогічна діяльність
У вiддiлi пiд керiвництвом доктора фiз.-мат. наук, професора Кладька В.П. у 2006 р. захищенi дисертацiї кандидата фiз.-мат.наук аспiрантами А.В. Кучуком та О.М. Єфановим, у 2007 р. - м.н.с. Корчовим А.А., у 2009 р. - наук. співроб. М.В. Слободяном, у 2012 р. - аспіранткою Сафрюк Н.В. та н.с. Гудименком О.Й., 2016 р. - аспірантом Станчу Г.В. 2017 р. - аспірантом Кривим С.Б., а у 2019 р. аспірантом Любченком О.І., н.с. Максименко З.В. та м.н.с. Поліщук Ю.О.
Список публікацій:
[<< попередня] ----- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 ----- [наступна >>]
- Особенности лауэ-дифракции рентгеновских лучей для квазизапрещенных отражений в монокристаллах GaAs в области слабых и промежуточных уровней поглощения.
Кладько В.П., Даценко Л.И., Ткач И.И., Григорьев Д.О., Прокопенко И.В. // Металлофизика и новейшие технологии. 1999, Т.21, №3. С.3-9.Download: [pdf] - Особенности толщинных осцилляций интенсивности при рассеянии рентгеновских лучей вблизи К-края поглощения галлия для квазизапрещенных отражений.
Кладько В.П., Даценко Л.И., Мельник В.М., Мачулин В.Ф. // Металлофизика и новейшие технологии. 1999, Т.21, №8. С.46-54.Download: [pdf] - Вплив дефектів структури в GaAs на характер лауе-дифракції рентгенівських променів з довжинами хвиль, близькими до К-країв поглинання атомів підграток.
Кладько В.П., Даценко Л.І., Мачулін В.Ф. // Український Фізичний Журнал, 1999, Т.44, №9. С.1148-1154. - Influence of hydrostatic pressure at the temperatures about 1500K on defect structure of Czochralski silicon.
J. Auleytner, L. Datsenko, V. Kladko, V.Machulin, V. Melnyk, I. Prokopenko, J. Bak-Misiuk and A. Misiuk // Journal of Alloys and Compounds, 1999, V.286, Issue 1-2. P.246-249.Download: [pdf] - Structure changes in Cz-Si single crystals irradiated with fast oxygen and neon ions.
Datsenko L., Zymierska D., Auleytner J., Klinger D., Machulin V.F., Kladko V.P., Melnik V., Prokopenko I., Czosinka T., Choinski J. // Acta Physica Polonica, (А). 1999. V.96, N1, P.137-142. (Cited 2 times)Download: [pdf] - Особливості просторового розподілу дифузного розсіяння рентгенівських променів в структурно–неоднорідних кристалах.
Мачулін В.Ф., Даценко Л.І., Кладько В.П., Мельник В.М. // Український Фізичний Журнал, 1999, Т.44, №10. С.1234-1240.Download: [pdf] - Structure perfection of oxygen-implanted floating zone grown silicon subjected to high pressure treatment.
Zymierska D., Datsenko L., Auleytner J., Misiuk A., Kladko V., Bak-Misiuk J., Melnik V., Antonova I.V., Popov V.P. // “Synchrotron radiation studies of materials”. Proc.of the 5th Nat. Symp. of Synchr. Radiation Users. Warsaw. 1999. P.257-264 - Influence of implantation with fast oxygen ions and annealing on structure perfection of silicon crystals grown by Czochralski method.
Zymierska D., Datsenko L., Auleytner J., Kladko V., Melnik V., Dotsenko Yu., Czosnika Ju., Choinski J. // “Synchrotron radiation studies of materials”. Proc.of the 5th Nat. Symp. of Synchr. Radiation Users. Warsaw. 1999. P.265-270. - Molecular-beams epitaxial growth of CdZnTe/ZnTe QW structures and superlattices on GaAs (100) substrates for optoelectronics.
E.F.Venger, Yu.G.Sadof’ev, G.N.Semenova, N.E.Korsunskaya, V.P. Kladko, B.Embergenov, B.R.Dzhumaev, L.V.Borkovskaya, M.P.Semtsiv, M.Sharibaev // In: Optical diagnostics of Materials and Devices for Opto-, Micro-and Quantum Electronics. Рroc. SPIE. 1999. V.3890. P.537-541. (cited 1 times)Download: [pdf] - Investigation of depth inhomogeneity of ZnTe, ZnCdTe, ZnSe epilayers grown on (001) GaAs by MBE.
E.F.Venger, Yu.G.Sadof’ev, G.N.Semenova, N.E.Korsunskaya, V.P. Kladko, B.Embergenov, B.R.Dzhumaev, L.V.Borkovskaya, M.P.Semtsiv, M.Sharibaev // In: Optical diagnostics of Materials and Devices for Opto-, Micro-and Quantum Electronics. Рroc. SPIE. 1999. V.3890. P.170-176. (cited 3 times)Download: [pdf]
[<< попередня] ----- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 ----- [наступна >>]
