укр
eng
Васи́ль Петро́вич Кладько́ Член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р., Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2017 р.
Дата та місце народження: 12 січня 1957 р. у с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область.
Освіта:
1964—1974 — Озерська середня школа (золота медаль); 1974—1979 — студент Чернівецького Державного Університету, фізичний факультет (з відзнакою); 1982—1985 — аспірант Інституту Напівпровідників АН УРСР. 1998—2000 — докторант Інституту Фізики Напівпровідників НАН України.
Наукові ступені та
звання:
Кар’єра:
1974—1979 — Студент фізичного факультету Чернівецького державного університету; 1979—1982 — Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету; 1982—1985 — Аспірант Інституту Напівпровідників; 1985—1988 — Молодший науковий співробітник; 1988—2000 — Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників; 2000—2004 — Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників; 2004 дотепер — завідувач відділу «Структурного і елементного аналізу матеріалів та систем» Інституту Фізики Напівпровідників НАН, Київ, Україна ; 2013 дотепер — заступник директора Інституту Фізики Напівпровідників НАНУ з наукової роботи, Київ, Україна.Наукова діяльність
головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів; інші напрями: фізика напівпровідників, дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів; поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів.Стажування за кордоном Університет м. Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)
Нагороди, Членство в Товариствах
Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.; Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України (За видатні роботи в галузі фізики напівпровідників та напівпровідникового приладобудування) 2017 р.; Пам'ятна відзнака Національної Академії Наук України (2018 р.); Подяка Президії НАН України (2010 р.); Подяка від Київського міського голови (2005 р.); Винахідник СРСР (1986 р.); член Українського Фізичного Товариства; член Міжнародного союзу кристалографів; заступник головного редактора журналу «Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics» редактор тематичного розділу журналу «Український фізичний журнал» член редколегії наукового журналу «Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології»член редколегії наукового журналу «Фізика і хімія твердого тіла»
Публікації
Загальна кількість статей в реферованих журналах: 461 Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 214 Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 1006 (h-index = 15) Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1869 (h-index = 22) Кількість конференцій: 213 Монографії: 9Авторські свідоцтва: 5
Патенти: 6
Педагогічна діяльність
У вiддiлi пiд керiвництвом член-кор. НАН України, доктора фiз.-мат. наук, професора В.П. Кладька захищенi 11 дисертацiй кандидата фiз.-мат.наук, з них у 2006 р. аспiрантами А.В. Кучуком та О.М. Єфановим, у 2007 р. - м.н.с. Корчовим А.А., у 2009 р. - наук. співроб. М.В. Слободяном, у 2012 р. - аспіранткою Сафрюк Н.В. та н.с. Гудименком О.Й., 2016 р. - аспірантом Станчу Г.В., 2017 р. - аспірантом Кривим С.Б., а у 2019 р. аспірантом Любченком О.І., н.с. Максименко З.В. та м.н.с. Поліщук Ю.О.Список публікацій:
[<< попередня] ----- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 ----- [наступна >>]
- Структурні властивості імплантованих шарів арсеніду галію в полях пружних деформацій.
Кладько В.П., Даценко Л.І., Максименко З.В., Кладько І.В. // Український Фізичний Журнал, 2001. Т.46, №7. С.749-751. (cited 3 times)Download: [pdf] - Изучение структуры тонких пленок арсенида галлия с помощью трехкристальной рентгеновской дифрактометрии.
Кладько В.П., Домагала Я., Даценко Л.И., Молодкин В.Б., Олиховский С.И., Маннинен С., Максименко З.В. // Металлофизика и новейшие технологии, 2001, Т.23, №2, C.241-254.Download: [pdf] - Дефектна структура бездислокаційного кремнію після імплантації водню та відпалу в умовах гідростатичного стискування.
Даценко Л.І., Кладько В.П., Мельник В.М., Мачулін В.Ф. // Український Фізичний Журнал, 2001. Т.46, №3. С.328-332.Download: [pdf] - Дослідження параметрів структурної досконалості надтонких епітаксійних шарів SiGex методом високороздільної рентгенівської дифрактометрії
Політанський Р.Л., Кладько В.П., Клюй М.І. // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика. Електроніка. 2001, Вип.112, С.48-50.Download: [pdf] - Излучение, связанное с протяженными дефектами в эпитаксиальных слоях ZnTe/GaAs и многослойных структурах
Е.Ф. Венгер, Ю.Г. Садофьев, Г.Н. Семенова, Н.Е. Корсунская, В.П. Кладько, М.П. Семцив, Л.В. Борковская // Физика и техника полупроводников, 2000, T.34, вып. 1Download: [pdf] - Emission Associated with Extended Defects in Epitaxial ZnTe/GaAs Layers and Multilayer Structures
E.F. Venger, Yu.G. Sadof'ev, G.N. Semenova, N.E. Korsunskaya, V.P. Kladko, M.P. Semtsiv, and L.V. Borkovskaya // Semiconductors, 2000, Vol. 34, No.1, p.11–16.Download: [pdf] - Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
V.P. Kladko, L.I. Datsenko, Z.V. Maksimenko, O.S. Lytvyn, I.V. Prokopenko, Z. Zytkiewicz // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2000. V.3, N.3, P.343-348Download: [pdf] - Dynamical scattering of X-ray by real binary crystals and problem of point defects.
Datsenko L.I., Kladko V.P., Machulin V.F., Manninen S., Prokopenko I.V. // “Theory and computation for synchrotron radiation spectroscopy”, AIP Conf. Proc, 514 (1) 2000, P.153-161.Download: [pdf] - Топология маятниковых колебаний интенсивности в кристаллах с планарными дефектами в случае брэгг-дифракции.
Григорьев Д.О., Даценко Л.И., Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Мачулин В.Ф., Прокопенко И.В., Мельник В.М. // Металлофизика и новейшие технологии. 2000. Т.22, №2. С.58-65.Download: [pdf] - Влияние кулоновских дефектов и нестехиометрии в GaAs на энергетическую зависимость характеристик динамической брэгг-дифракции рентгеновских лучей.
Кладько В.П., Олиховский С.И., Даценко Л.И. // Металлофизика и новейшие технологии, 2000, Т.22, №6. C.20-27.Download: [pdf]
[<< попередня] ----- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 ----- [наступна >>]
