Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Кладько Василь Петрович

Васи́ль Петро́вич Кладько́ Член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р., Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2017 р.

Дата та місце народження: 12 січня 1957 р. у с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область.

Освіта:

1964—1974 — Озерська середня школа (золота медаль);
1974—1979 — студент Чернівецького Державного Університету, фізичний факультет (з відзнакою);
1982—1985 — аспірант Інституту Напівпровідників АН УРСР.
1998—2000 — докторант Інституту Фізики Напівпровідників НАН України.

Наукові ступені та звання:

1986 — Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07-фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді К.016.37.01 Інституту металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України (04.06.1986 р.);
1995 — Старший науковий співробітник (01.04.07-фізика твердого тіла);
2000 — Доктор фізико-математичних наук (01.04.07-фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д 26.001.23 Київського Національного Університету імені Тараса Шевченка (22.05.2000 р.);
2007 — Професор (спеціальність 01.04.07-фізика твердого тіла).
2015 — Член-кореспондент НАН України (спеціальність «Кореляційна оптика») (обраний 06.03.2015 р.).

Кар’єра:

1974—1979 — Студент фізичного факультету Чернівецького державного університету;
1979—1982 — Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету;
1982—1985 — Аспірант Інституту Напівпровідників;
1985—1988 — Молодший науковий співробітник;
1988—2000 — Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників;
2000—2004 — Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників;
2004 дотепер — завідувач відділу «Структурного аналізу матеріалів і систем напівпровідників» Інституту Фізики Напівпровідників НАН, Київ, Україна ;
2013 дотепер — заступник директора Інституту Фізики Напівпровідників НАНУ з наукової роботи, Київ, Україна.

Наукова діяльність

головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів;
інші напрями: фізика напівпровідників, дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів;
поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів.

Стажування за кордоном Університет м. Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)

Нагороди, Членство в Товариствах

Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.;
Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України (За видатні роботи в галузі фізики напівпровідників та напівпровідникового приладобудування) 2017 р.;
Пам'ятна відзнака Національної Академії Наук України (2018 р.);
Подяка Президії НАН України (2010 р.);
Подяка від Київського міського голови (2005 р.);
Винахідник СРСР (1986 р.);
член Українського Фізичного Товариства;
член Міжнародного союзу кристалографів;
заступник головного редактора журналу «Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics»
редактор тематичного розділу журналу «Український фізичний журнал»
член редколегії наукового журналу «Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології»

Публікації

    Загальна кількість статей в реферованих журналах: 453
    Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 191
    Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 748 (h-index = 13)
    Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1388 (h-index = 19)
    Кількість конференцій: 201
    Монографії: 8

Нагороди, Членство в Товариствах
Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.;
Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України (За видатні роботи в галузі фізики напівпровідників та напівпровідникового приладобудування) 2017 р.;
Пам'ятна відзнака Національної Академії Наук України (2018 р.);
Подяка Президії НАН України (2010 р.);
Подяка від Київського міського голови (2005 р.);
Винахідник СРСР (1986 р.);
член Українського Фізичного Товариства;
член Міжнародного союзу кристалографів;
заступник головного редактора журналу «Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics»
редактор тематичного розділу журналу «Український фізичний журнал»
член редколегії наукового журналу «Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології»

Педагогічна діяльність
У вiддiлi пiд керiвництвом доктора фiз.-мат. наук, професора В.П. Кладька у 2006 р. захищенi дисертацiї кандидата фiз.-мат.наук аспiрантами А.В. Кучуком та О.М. Єфановим, у 2007 р. - м.н.с. Корчовим А.А., у 2009 р. - наук. співроб. М.В. Слободяном, у 2012 р. - аспіранткою Сафрюк Н.В. та н.с. Гудименком О.Й., 2016 р. - аспірантом Станчу Г.В. 2017 р. - аспірантом Кривим С.Б., а у 2019 р. аспірантом  Любченком О.І., н.с. Максименко З.В. та м.н.с. Поліщук Ю.О.


Список публікацій:

  1. Microdefects and nonstoichiometry level in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy method
    V.P. Kladko, L.I. Datsenko, Z. Zytkiewicz, J. Bak-Misiuk, Z.V. Maksimenko // Journal of Alloys and Compounds, 2001, V.328, P.218–221. (cited 3 times)

    Download: [pdf]

  2. Effect of Structure Perfection of Polar Crystals on Friedel Intensity Ratio for X-Ray Reflections in the Region of Resonant Frequencies
    Kladko V.P., Datsenko L.I., Manninen S., Galambosi Sz., Molodkin V.B., Machulin V.F. // Металлофизика и новейшие технологии. 2001, V.23, №12. С.1595-1605.

    Download: [pdf]

  3. Complex diffractometrical investigstion of structural and compositional irregularities in GaAs:Si/GaAs films heavily doped with silicon
    L.I. Datsenko, V.P. Kladko, P.M. Lytvyn, J. Domogala, V.F. Machulin, I.V. Prokopenko, V.B. Molodkin, Z.V. Maksimenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2001. V.4, No 3, P. 146-151

    Download: [pdf]

  4. Структурні властивості імплантованих шарів арсеніду галію в полях пружних деформацій.
    Кладько В.П., Даценко Л.І., Максименко З.В., Кладько І.В. // Український Фізичний Журнал, 2001. Т.46, №7. С.749-751. (cited 3 times)

    Download: [pdf]

  5. Изучение структуры тонких пленок арсенида галлия с помощью трехкристальной рентгеновской дифрактометрии.
    Кладько В.П., Домагала Я., Даценко Л.И., Молодкин В.Б., Олиховский С.И., Маннинен С., Максименко З.В.  // Металлофизика и новейшие технологии, 2001, Т.23, №2, C.241-254.

    Download: [pdf]

  6. Дефектна структура бездислокаційного кремнію після імплантації водню та відпалу в умовах гідростатичного стискування.
    Даценко Л.І., Кладько В.П., Мельник В.М., Мачулін В.Ф.  // Український Фізичний Журнал, 2001. Т.46, №3. С.328-332.

    Download: [pdf]

  7. Дослідження параметрів структурної досконалості надтонких епітаксійних шарів SiGex методом високороздільної рентгенівської дифрактометрії
    Політанський Р.Л., Кладько В.П., Клюй М.І. // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика. Електроніка. 2001, Вип.112, С.48-50.

    Download: [pdf]

  8. Излучение, связанное с протяженными дефектами в эпитаксиальных слоях ZnTe/GaAs и многослойных структурах
    Е.Ф. Венгер, Ю.Г. Садофьев, Г.Н. Семенова, Н.Е. Корсунская, В.П. Кладько, М.П. Семцив, Л.В. Борковская // Физика и техника полупроводников, 2000, T.34, вып. 1

    Download: [pdf]

  9. Emission Associated with Extended Defects in Epitaxial ZnTe/GaAs Layers and Multilayer Structures
    E.F. Venger, Yu.G. Sadof'ev, G.N. Semenova, N.E. Korsunskaya, V.P. Kladko, M.P. Semtsiv, and L.V. Borkovskaya // Semiconductors, 2000, Vol. 34, No.1, p.11–16.

    Download: [pdf]

  10. Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
    V.P. Kladko, L.I. Datsenko, Z.V. Maksimenko, O.S. Lytvyn, I.V. Prokopenko, Z. Zytkiewicz // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2000. V.3, N.3, P.343-348

    Download: [pdf]


 
© 2006-2019