укр
eng
Васи́ль Петро́вич Кладько́ Член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р., Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2017 р.
Дата та місце народження: 12 січня 1957 р. у с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область.
Освіта:
1964—1974 — Озерська середня школа (золота медаль); 1974—1979 — студент Чернівецького Державного Університету, фізичний факультет (з відзнакою); 1982—1985 — аспірант Інституту Напівпровідників АН УРСР. 1998—2000 — докторант Інституту Фізики Напівпровідників НАН України.
Наукові ступені та
звання:
Кар’єра:
1974—1979 — Студент фізичного факультету Чернівецького державного університету; 1979—1982 — Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету; 1982—1985 — Аспірант Інституту Напівпровідників; 1985—1988 — Молодший науковий співробітник; 1988—2000 — Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників; 2000—2004 — Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників; 2004 дотепер — завідувач відділу «Структурного і елементного аналізу матеріалів та систем» Інституту Фізики Напівпровідників НАН, Київ, Україна ; 2013 дотепер — заступник директора Інституту Фізики Напівпровідників НАНУ з наукової роботи, Київ, Україна.Наукова діяльність
головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів; інші напрями: фізика напівпровідників, дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів; поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів.Стажування за кордоном Університет м. Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)
Нагороди, Членство в Товариствах
Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.; Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України (За видатні роботи в галузі фізики напівпровідників та напівпровідникового приладобудування) 2017 р.; Пам'ятна відзнака Національної Академії Наук України (2018 р.); Подяка Президії НАН України (2010 р.); Подяка від Київського міського голови (2005 р.); Винахідник СРСР (1986 р.); член Українського Фізичного Товариства; член Міжнародного союзу кристалографів; заступник головного редактора журналу «Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics» редактор тематичного розділу журналу «Український фізичний журнал» член редколегії наукового журналу «Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології»член редколегії наукового журналу «Фізика і хімія твердого тіла»
Публікації
Загальна кількість статей в реферованих журналах: 465 Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 221 Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 1083 (h-index = 16) Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1959 (h-index = 21) Кількість конференцій: 217 Монографії: 9Авторські свідоцтва: 5
Патенти: 9
Педагогічна діяльність
У вiддiлi пiд керiвництвом член-кор. НАН України, доктора фiз.-мат. наук, професора В.П. Кладька захищенi 11 дисертацiй кандидата фiз.-мат.наук, з них у 2006 р. аспiрантами А.В. Кучуком та О.М. Єфановим, у 2007 р. - м.н.с. Корчовим А.А., у 2009 р. - наук. співроб. М.В. Слободяном, у 2012 р. - аспіранткою Сафрюк Н.В. та н.с. Гудименком О.Й., 2016 р. - аспірантом Станчу Г.В., 2017 р. - аспірантом Кривим С.Б., а у 2019 р. аспірантом Любченком О.І., н.с. Максименко З.В. та м.н.с. Поліщук Ю.О.Список публікацій:
[<< попередня] ----- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 ----- [наступна >>]
- Свойства контактов GaN(SiC)-(Ti,Zr)Bx, подвергнутых быстрым термоотжигам.
А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, Р.В. Конакова, В.П. Кладько, Я.Я. Кудрик, А.А. Лебедев, В.В. Миленин, В.Н. Шеремет // Физика и Техника Полупроводников. 2009. Т.43. вып.8. с.1125-1130.Download: [pdf] - Вплив дислокаційної структури на деформаційні процеси в AlGaN/GaN/(0001)Al2O3 (Influence of Dislocation Structure on Deformation Processes in AlGaN/GaN/(0001)Al2O3 Heterostructures)
Кладько В.П., Сафрюк Н.В., Кучук А.В., Бєляєв О.Є., Мачулін В.Ф. // Український Фізичний Журнал, 2009, Т.54, №10. С.1014-1020. Ukrainian Journal of Physics 2009, Vol.54, 10, p.1014-1020. (Cited 6 times)Download: [pdf] - Дифракційна характеризація мікродефектної структури ізохронно відпалених кристалів кремнію
В.Б. Молодкін, В.П. Кладько, С.Й. Оліховський, Є.М. Кисловський, Т.П. Владімірова, Є.В. Кочелаб, Р.Ф. Середенко, М.В. Слободян, О.В. Решетник // Металофізика і новітні технології, 2009. Т.31, №9. С.1205-1222. (Cited 2 times)Download: [pdf] - Влияние БТО на межфазные взаимодействия и механизмы токопереноса в омических контактах Au-TiBx-AuGe-n-GaP
Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Иванов В.Н., Камалов А.Б., Капитанчук Л.М., Кладько В.П., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Миленин В.В., Насыров М.У., Неволин П.В. // Труды Международной конференции «Научно-технический прогресс и современная авиация». Т.1. Баку, 2009. С.283-287.Download: [pdf] - Modification of properties of the glass Si3N4 Si SiO2 structure at laser treatment.
R.V. Konakova, V.P. Kladko, O.S. Lytvyn, O.B. Okhrimenko, B.G. Konoplev, A.M. Svetlichnyi, V.N. Lissotschenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics, Optoelectronics, 2009. V.12, No 3. P.284-286.Download: [pdf] - Properties of GaN(SiC)–(Ti, Zr)Bx Contacts Subjected to Rapid Thermal Annealing.
A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, V.N. Ivanov, R.V. Konakova, V.P. Kladko, Ya.Ya. Kudryk, A.A. Lebedev, V.V. Milenin, and V.N. Sheremet // Semiconductors, 2009, Vol.43, No.8, P.1086–1091.Download: [pdf] - Mechanism of strain relaxation by twisted nanocolumns revealed in AlGaN/GaN heterostructures
V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, N.V. Safryuk, V.F. Machulin, A.E. Belyaev, H. Hardtdegen, and S.A. Vitusevich // Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology (August 3), 2009 Vol.20, Issue 5. - Interactions between phases and mechanism of current flow in the Au−TiBx−AuGe−n-GaP ohmic contacts.
A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, V.N. Ivanov, A.B. Kamalov, L.M. Kapitanchuk, V.P. Kladko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, V.V. Milenin, M.U. Nasyrov, P.V. Nevolin // Semiconductors, 2009, V.43, No 11. P.1428-1432.Download: [pdf] - Омические контакты Au-Ti-n+Si, Au-Ti-Pd2Si-n+Si к кремниевым СВЧ диодам
А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, А.М. Капитанчук, В.П. Кладько, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, А.В. Кучук, Т.В. Коростинская, О.С. Литвин, В.В. Миленин, П.В. Неволин, А.Б. Атаубаева // Техника и приборы СВЧ, 2009. №2. С.31-34.Download: [pdf] - Новые диагностические возможности деформационных зависимостей интегральной интенсивности рассеяния кристаллами с дефектами для лауэ-дифракции в области К-края поглощения.
А.П. Шпак, В.Б. Молодкин, М.В. Ковальчук, В.Л. Носик, А.И. Низкова, В.Ф. Мачулин, И.В. Прокопенко, Е.Н. Кисловский, В.П. Кладько, С.В. Дмитриев, Е.В. Первак, Е.Г. Лень, А.А. Белоцкая, Я.В. Василик, А.И. Гранкина, И.Н. Заболотный, А.А. Катасонова, М.Т. Когут, О.С. Кононенко, А.В. Мельник, В.В. Молодкин, Л.И. Ниничук, И.И. Рудницкая. // Металлофизика и новейшие технологии, 2009, Т.31. №7, С.927-945. (cited 2 times)Download: [pdf]
[<< попередня] ----- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 ----- [наступна >>]
