Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Кладько Василь Петрович

Васи́ль Петро́вич Кладько́ Член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р., Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2017 р.

Дата та місце народження: 12 січня 1957 р. у с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область.

Освіта:

1964—1974 — Озерська середня школа (золота медаль);
1974—1979 — студент Чернівецького Державного Університету, фізичний факультет (з відзнакою);
1982—1985 — аспірант Інституту Напівпровідників АН УРСР.
1998—2000 — докторант Інституту Фізики Напівпровідників НАН України.

Наукові ступені та звання:

1986 — Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07-фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді К.016.37.01 Інституту металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України (04.06.1986 р.);
1995 — Старший науковий співробітник (01.04.07-фізика твердого тіла);
2000 — Доктор фізико-математичних наук (01.04.07-фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д 26.001.23 Київського Національного Університету імені Тараса Шевченка (22.05.2000 р.);
2007 — Професор (спеціальність 01.04.07-фізика твердого тіла).
2015 — Член-кореспондент НАН України (спеціальність «Кореляційна оптика») (обраний 06.03.2015 р.).

Кар’єра:

1974—1979 — Студент фізичного факультету Чернівецького державного університету;
1979—1982 — Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету;
1982—1985 — Аспірант Інституту Напівпровідників;
1985—1988 — Молодший науковий співробітник;
1988—2000 — Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників;
2000—2004 — Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників;
2004 дотепер — завідувач відділу «Структурного аналізу матеріалів і систем напівпровідників» Інституту Фізики Напівпровідників НАН, Київ, Україна ;
2013 дотепер — заступник директора Інституту Фізики Напівпровідників НАНУ з наукової роботи, Київ, Україна.

Наукова діяльність

головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів;
інші напрями: фізика напівпровідників, дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів;
поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів.

Стажування за кордоном Університет м. Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)

Нагороди, Членство в Товариствах

Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.;
Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України (За видатні роботи в галузі фізики напівпровідників та напівпровідникового приладобудування) 2017 р.;
Пам'ятна відзнака Національної Академії Наук України (2018 р.);
Подяка Президії НАН України (2010 р.);
Подяка від Київського міського голови (2005 р.);
Винахідник СРСР (1986 р.);
член Українського Фізичного Товариства;
член Міжнародного союзу кристалографів;
заступник головного редактора журналу «Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics»
редактор тематичного розділу журналу «Український фізичний журнал»
член редколегії наукового журналу «Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології»

Публікації

    Загальна кількість статей в реферованих журналах: 456
    Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 194
    Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 764 (h-index = 13)
    Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1426 (h-index = 20)
    Кількість конференцій: 201
    Монографії: 8  ;

Педагогічна діяльність
У вiддiлi пiд керiвництвом доктора фiз.-мат. наук, професора Кладька В.П. у 2006 р. захищенi дисертацiї кандидата фiз.-мат.наук аспiрантами А.В. Кучуком та О.М. Єфановим, у 2007 р. - м.н.с. Корчовим А.А., у 2009 р. - наук. співроб. М.В. Слободяном, у 2012 р. - аспіранткою Сафрюк Н.В. та н.с. Гудименком О.Й., 2016 р. - аспірантом Станчу Г.В. 2017 р. - аспірантом Кривим С.Б., а у 2019 р. аспірантом Любченком О.І., н.с. Максименко З.В. та м.н.с. Поліщук Ю.О.


Список публікацій:

  1. Нанокомпозитные нк-TaN/а-Si3N4 “Mictamict” пленки в схемах металлизации нитрида галлия для приборов высокотемпературной электроники.
    Kuchuk A.V., Kladko V.P., Piotrowska A., Lytvyn O.S., Guziewicz M., Minikaev R.  // Харьковская нанотехнологическая ассамблея – 2007 "Тонкие пленки", Харків. 2007. – Т.2. С.43-48.

  2. Microstructural aspects of nucleation and growth of (In,Ga) As/GaAs(001) islands with low indium content.
    Kladko V.P., Strelchuk V.V., Kolomys А.F., Slobodian M.V., Mazur Yu.I., Wang Z.M., Kunets Vas.P., Salamo G.J.  // Journal of Electronic Materials. 2007. V.36, No 12. P.1555-1561. (Cited 5 times)

    Download: [pdf]

  3. On the current flow mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al2O3 Schottky barrier diodes.
    Belyaev A.E., Boltovets N.S., Ivanov V.N., Kladko V.P., Konakova R.V., Kudryk Ya.Ya., Kuchuk A.V., Milenin V.V., Sveshnikov Yu.N., Sheremet V.N.  // Semiconductor Physics, Quantum Electronics@Optoelectronics, 2007. V.10, No 3. P.1-5. (cited 6 times)

    Download: [pdf]

  4. Development of high-stable contact systems to gallium nitride microwave diodes
    A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, V.N. Ivanov, L.M. Kapitanchuk, V.P. Kladko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Kuchuk, O.S. Lytvyn, V.V. Milenin, V.N. Sheremet, Yu.N. Sveshnikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics Optoelectronics, 2007. V.10, No 4. P.1-8. (cited 4 times)

    Download: [pdf]

  5. Relationship between Condition of Deposition and Properties of W-Ti-N Thin Films Prepared by Reactive Magnetron Sputtering
    By Andrian V. Kuchuk, Vasyl P. Kladko, Oksana S. Lytvyn, Anna Piotrowska, Roman A. Minikayev, and Renata Ratajczak // Advanced engineering materials. 2006, 8, No3. P.209-212. (Cited 4 times)

    Download: [pdf]

  6. Фотопреобразователи на основе эпитаксиальных слоев GaAs и AlGaAs на подложках GaAs с развитой площадью поверхности
    И.Н. Арсентьев, А.В. Бобыль, О.Ю. Борковская, Д.А. Винокуров, Н.Л. Дмитрук, А.В. Каримов, В.П. Кладько, Р.В. Конакова, С.Г. Конников, И.Б. Мамонтова // Физика и техника полупроводников, 2006, T.40, вып.7. C.876-881. (Cited 1 times)

    Download: [pdf]

  7. Структурные дефекты на гетерограницах и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaN и AlGaN/GaN, выращенных на сапфире.
    В.П. Кладько, С.В. Чорненький, А.В. Наумов, А.В. Комаров, М. Tacano, Ю.Н. Свешников, С.В. Витусевич, А.Е. Беляев  // Физика и техника полупроводников, 2006. T.40, вып.9. C.1087-1093. (Cited 7 times)

    Download: [pdf]

  8. Investigation of indium distribution in InGaAs/GaAs quantum dot stacks using high-resolution x-ray diffraction and Raman scattering
    Yu. I. Mazur, Zh. M. Wang, and G. J. Salamo, V. V. Strelchuk, V. P. Kladko, V. F. Machulin, and M. Ya. Valakh, M. O. Manasreh // Journal of Applied Physics, 2006, V. 99, Issue 2, P.023517(1-10). DOI: 10.1063/1.2163009 (cited 13 times)

    Download: [pdf]

  9. Термическая стабильность аморфных тонких Ta-Si-N пленок в системе металлизации Au/GaN
    А.В. Кучук, В.П. Кладько, В.Ф. Мачулин, A. Piotrowska // Журнал технической физики, 2006, T.76, вып.10. C.132-135. (cited 3 times)

    Download: [pdf]

  10. Решение дисперсионного уравнения в явном виде для случая двух сильных волн (The solution of the dispersion equation in an explicit format for a case of two strong waves)
    А.Н. Ефанов, В.П. Кладько // Металлофиз. новейшие технологии. / Metallofiz. Noveishie Tekhnol. 2006, т.28, Issue 2, с.227—244. (Cited 6 times)

    Download: [pdf]


 
© 2006-2019