Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Кладько Василь Петрович


Кладько Василь - доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки

Адреса:
Інститут Фізики Напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, Національна Академія Наук України.
03028 Київ, пр. Науки 45, УКРАЇНА

Дата і місце народження: 12  січня 1957 р., с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область
Національність: Українець

Освіта:
1974 – 1979 – студент Чернівецького Державного Університету, фізичний факультет
1982 – 1985 – аспірант Інституту Напівпровідників АН УРСР

Наукові ступені та звання: 
1986 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді К.016.37.01 Інституту металофізики ім. Г.В.Курдюмова НАН України (04.06.1986 р.). 
1995 – Старший науковий співробітник (01.04.07–фізика твердого тіла)
2000 – Доктор фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д 26.001.23 Київського Національного Університету імені Тараса Шевченка (22.05.2000 р.).
2007– Професор (зі спеціальності 01.04.07–фізика твердого тіла)

Кар’єра:
1979-1982 - Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету
1982-1985 - Аспірант Інституту Напівпровідників
1985-1988 – Молодший науковий співробітник
1988-2000 – Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників,
2000-2004 – Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників
2004 дотепер – завідувач відділу "Дифракційних досліджень структури напівпровідників" Інституту Фізики Напівпровідників НАН, Київ, Україна

Наукова спеціалізація:
(i) головний напрям: фізика твердого тіла, резонансне розсіяння випромінювань, фізика і реальна структура кристалічних матеріалів
(іі) інші напрями: фізика напівпровідників,  розсіювання вторинних випромінювань
(iii) поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, надгратки і квантові ями (точки), фізика і реальна структура кристалічних матеріалів, рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія

Стажування за кордоном:
Університет м.Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)

Нагороди, Членство в Товариствах
- Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.
- Подяка від Київського міського голови (2005 р.)
- Винахідник СРСР (1986 р.)
- член Українського Фізичного Товариства
- член Міжнародного союзу кристалографів
- заступник головного редактора журналу "Semiconductor Physics, Quantum   Electronics&Optoelectronics"
- член редколегії наукового журналу "Складні системи і процеси"

Публікації:
-
Загальна кількість статей в реферованих журналах: 260
- Кількість статей в реферованих міжнародних журналах: 80 (h-index = 5)
- Кількість конференцій: 107
- Кількість монографій: 4 (див. в розділі публікації)
- Авторські свідоцтва: 5

Педагогічна діяльність:

Підготував 4 кандидатів фіз.-мат. наук (Кучук А.В., Єфанов О.М., Корчовий А.А., Слободян М.В. - спеціальність 01.04.07 – фізика твердого тіла).
Керівник 2 дисертаційних робіт: аспірантка Сафрюк Н.В., м.н.с. Гудименко О.Й.


Список публікацій:

  1. Thermal degradation of Au/Ni2Si/n-SiC ohmic contacts under different conditions.
    A.V. Kuchuk, M. Guziewicz, R. Ratajczak, M. Wzorek, V.P. Kladko, A. Piotrowska.  // Materials Science and Engineering – B 2009. V.165, Issue 1-2. P.38-41.

    Download: [pdf]

  2. Internal strains and crystal structure of the layers in AlGaN/GaN heterostructures grown on sapphire substrate
    Kladko V.P., Kolomys O.F., Slobodian M.V., Strelchuk V.V., Raycheva V.G., Belyaev O.Ye., Bukalov S.S., Hardtdegen H., Sydoruk V.A., Klein N. and Vitusevich S.A.  // Journal of Applied Physics, 2009. V.105. Issue 6. P.063515(9). DOI: 10.1063/1.3094022 (Cited 6 times)

    Download: [pdf]

  3. Self-organized three-dimensional spatial ordering of quantum dot arrays in InGaAs/GaAs
    V.P. Kladko, М.V. Slobodian, P.M. Lytvyn, V.V. Strelchuk, Yu.I. Mazur, E. Marega, M. Hussein and G.J. Salamo // Phys. Stat. Solidi (a), 2009. V.206. No 8. P.1748-1751. DOI 10.1002/pssa.200881593

    Download: [pdf]

  4. Межфазные взаимодействия и механизм токопереноса в омических контактах Au-TiBx-AuGe-n-GаP
    Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Иванов В.Н., Камалов А.Б., Капитанчук Л.М., Кладько В.П., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Миленин В.В., Насыров М.У., Неволин П.В.  // Физика и Техника Полупроводников, 2009, Т.43, вып.11. C.1468-1472.

    Download: [pdf]

  5. Sensitivity of triple-crystal X-ray diffractometers to microdefects in silicon
    V.B. Molodkin, S.I. Olikhovskii, E.G. Len, E.N. Kislovskii, V.P. Kladko, O.V. Reshetnyk, T.P. Vladimirova, B.V. Sheludchenko // Phys. Stat. Sol.(A), 2009. V.206. N8, p.1761-1765. DOI: 10.1002/pssa.200881588

    Download: [pdf]

  6. Свойства контактов GaN(SiC)-(Ti,Zr)Bx, подвергнутых быстрым термоотжигам.
    А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, Р.В. Конакова, В.П. Кладько, Я.Я. Кудрик, А.А. Лебедев, В.В. Миленин, В.Н. Шеремет  // Физика и Техника Полупроводников. 2009. Т.43. вып.8. с.1125-1130.

    Download: [pdf]

  7. Вплив дислокаційної структури на деформаційні процеси в AlGaN/GaN/(0001)Al2O3 (Influence of Dislocation Structure on Deformation Processes in AlGaN/GaN/(0001)Al2O3 Heterostructures)
    Кладько В.П., Сафрюк Н.В., Кучук А.В., Бєляєв О.Є., Мачулін В.Ф. // Український Фізичний Журнал, 2009, Т.54, №10. С.1014-1020. Ukrainian Journal of Physics 2009, Vol.54, 10, p.1014-1020. (Cited 2 times)

    Download: [pdf]

  8. Дифракційна характеризація мікродефектної структури ізохронно відпалених кристалів кремнію
    В.Б. Молодкін, В.П. Кладько, С.Й. Оліховський, Є.М. Кисловський, Т.П. Владімірова, Є.В. Кочелаб, Р.Ф. Середенко, М.В. Слободян, О.В. Решетник // Металофізика і новітні технології, 2009. Т.31, №9. С.1205-1222.

    Download: [pdf]

  9. Влияние БТО на межфазные взаимодействия и механизмы токопереноса в омических контактах Au-TiBx-AuGe-n-GaP
    Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Иванов В.Н., Камалов А.Б., Капитанчук Л.М., Кладько В.П., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Миленин В.В., Насыров М.У., Неволин П.В.  // Труды Международной конференции «Научно-технический прогресс и современная авиация». Т.1. Баку, 2009. С.283-287.

    Download: [pdf]

  10. Modification of properties of the glass Si3N4 Si SiO2 structure at laser treatment.
    R.V. Konakova, V.P. Kladko, O.S. Lytvyn, O.B. Okhrimenko, B.G. Konoplev, A.M. Svetlichnyi, V.N. Lissotschenko  // Semiconductor Physics, Quantum Electronics, Optoelectronics, 2009. V.12, No 3. P.284-286.

    Download: [pdf]


 
© 2006-2010. Розробка сайту: Веб-студiя "DreamArts"