Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Кладько Василь Петрович

Васи́ль Петро́вич Кладько́ Член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р., Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2017 р.

Дата та місце народження: 12 січня 1957 р. у с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область.

Освіта:

1964—1974 — Озерська середня школа (золота медаль);
1974—1979 — студент Чернівецького Державного Університету, фізичний факультет (з відзнакою);
1982—1985 — аспірант Інституту Напівпровідників АН УРСР.
1998—2000 — докторант Інституту Фізики Напівпровідників НАН України.

Наукові ступені та звання:

1986 — Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07-фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді К.016.37.01 Інституту металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України (04.06.1986 р.);
1995 — Старший науковий співробітник (01.04.07-фізика твердого тіла);
2000 — Доктор фізико-математичних наук (01.04.07-фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д 26.001.23 Київського Національного Університету імені Тараса Шевченка (22.05.2000 р.);
2007 — Професор (спеціальність 01.04.07-фізика твердого тіла).
2015 — Член-кореспондент НАН України (спеціальність «Кореляційна оптика») (обраний 06.03.2015 р.).

Кар’єра:

1974—1979 — Студент фізичного факультету Чернівецького державного університету;
1979—1982 — Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету;
1982—1985 — Аспірант Інституту Напівпровідників;
1985—1988 — Молодший науковий співробітник;
1988—2000 — Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників;
2000—2004 — Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників;
2004 дотепер — завідувач відділу «Структурного аналізу матеріалів і систем напівпровідників» Інституту Фізики Напівпровідників НАН, Київ, Україна ;
2013 дотепер — заступник директора Інституту Фізики Напівпровідників НАНУ з наукової роботи, Київ, Україна.

Наукова діяльність

головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів;
інші напрями: фізика напівпровідників, дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів;
поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів.

Стажування за кордоном Університет м. Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)

Нагороди, Членство в Товариствах

Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.;
Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України (За видатні роботи в галузі фізики напівпровідників та напівпровідникового приладобудування) 2017 р.;
Пам'ятна відзнака Національної Академії Наук України (2018 р.);
Подяка Президії НАН України (2010 р.);
Подяка від Київського міського голови (2005 р.);
Винахідник СРСР (1986 р.);
член Українського Фізичного Товариства;
член Міжнародного союзу кристалографів;
заступник головного редактора журналу «Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics»
редактор тематичного розділу журналу «Український фізичний журнал»
член редколегії наукового журналу «Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології»

Публікації

    Загальна кількість статей в реферованих журналах: 456
    Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 194
    Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 764 (h-index = 13)
    Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1426 (h-index = 20)
    Кількість конференцій: 201
    Монографії: 8  ;

Педагогічна діяльність
У вiддiлi пiд керiвництвом доктора фiз.-мат. наук, професора Кладька В.П. у 2006 р. захищенi дисертацiї кандидата фiз.-мат.наук аспiрантами А.В. Кучуком та О.М. Єфановим, у 2007 р. - м.н.с. Корчовим А.А., у 2009 р. - наук. співроб. М.В. Слободяном, у 2012 р. - аспіранткою Сафрюк Н.В. та н.с. Гудименком О.Й., 2016 р. - аспірантом Станчу Г.В. 2017 р. - аспірантом Кривим С.Б., а у 2019 р. аспірантом Любченком О.І., н.с. Максименко З.В. та м.н.с. Поліщук Ю.О.


Список публікацій:

  1. Generation and Auto-Revealing of Dislocations in Si During Macropore Etching
    K.P. Konin, O.Y. Gudymenko, V.P. Kladko, O.O. Lytvynenko, D.V. Morozovs’ka // Journal of Electronic Materials, 2018, V.47, Issue 9, P.5113–5117.

  2. Спосіб отримання високодисперсних порошків неорганічних матеріалів.
    Дремлюженко Ксенія Сергіївна, Капуш Ольга Анатоліївна, Борук Олена Сергіївна, Борук Сергій Дмитрович, Дремлюженко Сергій Григорович, Будзуляк Сергій Іванович, Корбутяк Дмитро Васильович, Демчина Любомир Андрійович, Єрмаков Валерій Миколайович, Косінов Олександр Генріхович, Кульчицький Богдан Несторович, Кладько Василь Петрович, Гудименко Олександр Йосипович // ПАТЕНТ НА КОРИСНУ МОДЕЛЬ, 10.09.2018, Бюл.No17.

    Download: [pdf]

  3. Correction to: Generation and Auto-Revealing of Dislocations in Si During Macropore Etching (Journal of Electronic Materials, (2018), 47, 9, (5113-5117)
    KP Konin, OY Gudymenko, VP Klad’ko, OO Lytvynenko, DV Morozovs’ka // Journal of Electronic Materials, 2018, V.47, Issue 10, P.6334–6334.

    Download: [pdf]

  4. Методи Х-променевої дифракційної діагностики напівпровідникових кристалів та гетероструктур
    Кладько В.П., Фодчук І.М. // Навчальний посібник, Чернівці, 2017, „Рута”, 154 c.

  5. Thermo-stimulated evolution of crystalline structure and dopant distribution in Cu-doped Y-stabilized ZrO2 nanopowders
    N. Korsunska, Yu. Polishchuk, V. Kladko, X. Portier and L. Khomenkova // Materials Research Express, 2017, V.4, No3, 035024.

    Download: [pdf]

  6. Structural and optical properties of ZnS:Mn micro-powders, synthesized from the charge with a different Zn/S ratio
    Yu.Yu. Bacherikov, N.P. Baran, I.P. Vorona, A.V. Gilchuk, A.G. Zhuk, Yu.O. Polishchuk, S.R. Lavorik, V.P. Kladko, S.V. Kozitskii, E.F. Venger, N.E. Korsunska // Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2017, V.28, Issue 12, P.8569-8578. doi:10.1007/s10854-017-6580-8

    Download: [pdf]

  7. Effect of Ge Content on the Formation of Ge Nanoclusters in Magnetron-Sputtered GeZrOx-Based Structures
    L. Khomenkova, D. Lehninger, O. Kondratenko, S. Ponomaryov, O. Gudymenko, Z. Tsybrii, V. Yukhymchuk, V. Kladko, J. von Borany and J. Heitmann // Nanoscale Research Letters, 2017, V.12: 196.

    Download: [pdf]

  8. Ion Beam Nanostructuring of HgCdTe Ternary Compound
    Aleksey B.Smirnov, Rada K.Savkina, Ruslana S.Udovytska, Oleksandr I.Gudymenko, Vasyl P.Kladko and Andrii A.Korchovyi // Nanoscale Research Letters, 2017, V.12:320

    Download: [pdf]

  9. Asymmetrical reciprocal space mapping using X-ray diffraction: a technique for structural characterization of GaN/AlN superlattices
    H.V. Stanchu, A.V. Kuchuk, M. Barchuk, Yu.I. Mazur, V.P. Kladko, Zh.M. Wang, D. Rafaja, G.J. Salamo // CrystEngComm, 2017, V19, Issue 22, P.2977-2982. DOI:10.1039/C7CE00584A

  10. Спосіб виготовлення фото-діодів на антимоніді індію
    Кладько В.П., Голтвянський Ю.В., Романюк А.Б., Мельник В.П., Оберемок О.С., Федулов В.В., Сабов Т.М., Сафрюк Н.В.  // Патент України на корисну модель №115174, (10.04.2017).


 
© 2006-2019