Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Кладько Василь Петрович

Васи́ль Петро́вич Кладько́ Член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р., Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2017 р.

Дата та місце народження: 12 січня 1957 р. у с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область.

Освіта:

1964—1974 — Озерська середня школа (золота медаль);
1974—1979 — студент Чернівецького Державного Університету, фізичний факультет (з відзнакою);
1982—1985 — аспірант Інституту Напівпровідників АН УРСР.
1998—2000 — докторант Інституту Фізики Напівпровідників НАН України.

Наукові ступені та звання:

1986 — Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07-фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді К.016.37.01 Інституту металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України (04.06.1986 р.);
1995 — Старший науковий співробітник (01.04.07-фізика твердого тіла);
2000 — Доктор фізико-математичних наук (01.04.07-фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д 26.001.23 Київського Національного Університету імені Тараса Шевченка (22.05.2000 р.);
2007 — Професор (спеціальність 01.04.07-фізика твердого тіла).
2015 — Член-кореспондент НАН України (спеціальність «Кореляційна оптика») (обраний 06.03.2015 р.).

Кар’єра:

1974—1979 — Студент фізичного факультету Чернівецького державного університету;
1979—1982 — Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету;
1982—1985 — Аспірант Інституту Напівпровідників;
1985—1988 — Молодший науковий співробітник;
1988—2000 — Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників;
2000—2004 — Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників;
2004 дотепер — завідувач відділу «Структурного аналізу матеріалів і систем напівпровідників» Інституту Фізики Напівпровідників НАН, Київ, Україна ;
2013 дотепер — заступник директора Інституту Фізики Напівпровідників НАНУ з наукової роботи, Київ, Україна.

Наукова діяльність

головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів;
інші напрями: фізика напівпровідників, дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів;
поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів.

Стажування за кордоном Університет м. Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)

Нагороди, Членство в Товариствах

Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.;
Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України (За видатні роботи в галузі фізики напівпровідників та напівпровідникового приладобудування) 2017 р.;
Пам'ятна відзнака Національної Академії Наук України (2018 р.);
Подяка Президії НАН України (2010 р.);
Подяка від Київського міського голови (2005 р.);
Винахідник СРСР (1986 р.);
член Українського Фізичного Товариства;
член Міжнародного союзу кристалографів;
заступник головного редактора журналу «Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics»
редактор тематичного розділу журналу «Український фізичний журнал»
член редколегії наукового журналу «Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології»

Публікації

    Загальна кількість статей в реферованих журналах: 456
    Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 195
    Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 780 (h-index = 13)
    Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1492 (h-index = 20)
    Кількість конференцій: 211
    Монографії: 8   
    Авторські свідоцтва: 5
    Патенти: 6

Педагогічна діяльність
У вiддiлi пiд керiвництвом доктора фiз.-мат. наук, професора Кладька В.П. у 2006 р. захищенi дисертацiї кандидата фiз.-мат.наук аспiрантами А.В. Кучуком та О.М. Єфановим, у 2007 р. - м.н.с. Корчовим А.А., у 2009 р. - наук. співроб. М.В. Слободяном, у 2012 р. - аспіранткою Сафрюк Н.В. та н.с. Гудименком О.Й., 2016 р. - аспірантом Станчу Г.В. 2017 р. - аспірантом Кривим С.Б., а у 2019 р. аспірантом Любченком О.І., н.с. Максименко З.В. та м.н.с. Поліщук Ю.О.


Список публікацій:

  1. Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n+-nn++-n+++-InP
    AE Belyaev, NA Boltovets, AB Bobyl, VP Kladko, RV Konakova, Ya Kudryk, MU Nasyrov, AV Sachenko, VS Slipokurov, AS Slepova, NV Safryuk, AI Gudymenko, VV Shynkarenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2015, V.18, No4. P.391-395.

    Download: [pdf]

  2. Structural and Photoluminescence Properties of Monocrystals CdTe:V
    A. Kuryk, N. Safriuk, S. Budzulyak, V. Ermakov, V. Kladko, D. Korbutyak // Journal of Physical Studies, 2015, V.19, Issue 4, P.4702-1-4702-5.

    Download: [pdf]

  3. Роль деформационных полей в формировании многослойных структур на основе ІІІ-нитридов
    В.П. Кладько, А.В. Kучук, Н.В. Сафрюк, Г.В. Станчу, A.E. Беляев // В кн.: Наноразмерные системы и наноматериалы: иcследования в Украине, Під редакцією А.Г. Наумовця, Глава 3, С.290-295; НАН України. — К.: Академперіодика, 2015, ISBN: 978-966-360-260-8

    Download: [pdf]

  4. Correlation between luminescent characteristics and phase composition of ZnS:Cu powder prepared by self-propagating high temperature synthesis
    Yu. Bacherikov, A. Kuchuk, A. Zhuk, Yu. Polischuk, V. Kladko, T. Kryshtab, N. Korsunska // Journal of Luminescence, 2014, V.145, P.970-975.

    Download: [pdf]

  5. Comparative Investigation of Structural and Optical Properties of Si-Rich Oxide Films Fabricated by Magnetron Sputtering
    Larysa Khomenkova, M Baran, Oleksandr Kolomys, Victor Strelchuk, Andrian V. Kuchuk, V.P. Kladko, J Jedrzejewski, I Balberg, Y Goldstein, Philippe Marie, Fabrice Gourbilleau, N Korsunska // Advanced Materials Research, 2014. V.854; P.117-124.

    Download: [pdf]

  6. Structure and light emission of Si-rich Al2O3 and Si-rich-SiO2 nanocomposites
    L. Khomenkova, O. Kolomys, M. Baran, A. Kuchuk, V. Strelchuk, Ye. Venger, V. Kladko, J. Jedrzejewski, I. Balberg, N. Korsunska // Microelectronic Engineering, 2014, V.125, P.62-67.

    Download: [pdf]

  7. Effect of stress on defect transformation in B+ and Ag+ implanted HgCdTe/CdZnTe structures
    R.K. Savkina, A.B. Smirnov, A.I. Gudymenko, V.P. Kladko, F.F. Sizov, and C. Frigeri // Acta Physica Polonica A, 2014, V.125, No 4, P.1003-1005.

    Download: [pdf]

  8. Modelling of X-Ray diffraction curves for GaN nanowires on Si(1 1 1)
    V.P. Kladko, А.V. Kuchuk, H.V. Stanchu, N.V. Safriuk, A.E. Belyaev, A. Wierzbicka, M. Sobanska, K. Klosek, Z.R. Zytkiewicz // Journal of Crystal Growth, 2014, V.401. P.347-350.

    Download: [pdf]

  9. Photoluminescence and structural properties of CdSe quantum dot-gelatin composite films
    L. Borkovska, N. Korsunska, T. Stara, O. Gudymenko, V. Kladko, O. Stroyuk, A. Raevskaya, T. Kryshtab // Physica B: Condensed Matter, 2014, V.453, P.86-91.

    Download: [pdf]

  10. Stimulated oxygen impurity gettering under ultra-shallow junction formation in silicon
    O. Oberemok, V. Kladko, V. Litovchenko, B. Romanyuk, V. Popov, V. Melnik, A. Sarikov, O. Gudymenko and J. Vanhellemont // Semiconductor Science and Technology, 2014, V.29, No 5, 055008(7). (cited 3 times)

    Download: [pdf]


 
© 2006-2019