Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Кладько Василь Петрович

Васи́ль Петро́вич Кладько́ Член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р., Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2017 р.

Дата та місце народження: 12 січня 1957 р. у с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область.

Освіта:

1964—1974 — Озерська середня школа (золота медаль);
1974—1979 — студент Чернівецького Державного Університету, фізичний факультет (з відзнакою);
1982—1985 — аспірант Інституту Напівпровідників АН УРСР.
1998—2000 — докторант Інституту Фізики Напівпровідників НАН України.

Наукові ступені та звання:

1986 — Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07-фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді К.016.37.01 Інституту металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України (04.06.1986 р.);
1995 — Старший науковий співробітник (01.04.07-фізика твердого тіла);
2000 — Доктор фізико-математичних наук (01.04.07-фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д 26.001.23 Київського Національного Університету імені Тараса Шевченка (22.05.2000 р.);
2007 — Професор (спеціальність 01.04.07-фізика твердого тіла).
2015 — Член-кореспондент НАН України (спеціальність «Кореляційна оптика») (обраний 06.03.2015 р.).

Кар’єра:

1974—1979 — Студент фізичного факультету Чернівецького державного університету;
1979—1982 — Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету;
1982—1985 — Аспірант Інституту Напівпровідників;
1985—1988 — Молодший науковий співробітник;
1988—2000 — Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників;
2000—2004 — Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників;
2004 дотепер — завідувач відділу «Структурного і елементного аналізу матеріалів та систем» Інституту Фізики Напівпровідників НАН, Київ, Україна ;
2013 дотепер — заступник директора Інституту Фізики Напівпровідників НАНУ з наукової роботи, Київ, Україна.

Наукова діяльність

головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів;
інші напрями: фізика напівпровідників, дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів;
поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів.

Стажування за кордоном Університет м. Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)

Нагороди, Членство в Товариствах

Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.;
Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України (За видатні роботи в галузі фізики напівпровідників та напівпровідникового приладобудування) 2017 р.;
Пам'ятна відзнака Національної Академії Наук України (2018 р.);
Подяка Президії НАН України (2010 р.);
Подяка від Київського міського голови (2005 р.);
Винахідник СРСР (1986 р.);
член Українського Фізичного Товариства;
член Міжнародного союзу кристалографів;
заступник головного редактора журналу «Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics»
редактор тематичного розділу журналу «Український фізичний журнал»
член редколегії наукового журналу «Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології»
член редколегії наукового журналу «Фізика і хімія твердого тіла»

Публікації

    Загальна кількість статей в реферованих журналах: 465
    Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 221
    Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 1083 (h-index = 16)
    Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1959 (h-index = 21)
    Кількість конференцій: 217
    Монографії: 9   
    Авторські свідоцтва: 5
    Патенти: 9

Педагогічна діяльність

У вiддiлi пiд керiвництвом член-кор. НАН України, доктора фiз.-мат. наук, професора В.П. Кладька  захищенi 11 дисертацiй кандидата фiз.-мат.наук, з них у 2006 р. аспiрантами А.В. Кучуком та О.М. Єфановим, у 2007 р. - м.н.с. Корчовим А.А., у 2009 р. - наук. співроб. М.В. Слободяном, у 2012 р. - аспіранткою Сафрюк Н.В. та н.с. Гудименком О.Й., 2016 р. - аспірантом Станчу Г.В., 2017 р. - аспірантом Кривим С.Б., а у 2019 р. аспірантом Любченком О.І., н.с. Максименко З.В. та м.н.с. Поліщук Ю.О.



Список публікацій:

  1. Dynamical Theory of Triple-Crystal X-ray Diffractometry and Characterization of Microdefects and Strains in Imperfect Single Crystals
    V.B. Molodkin, S.I. Olikhovskii, E.G. Len, Ye.M. Kyslovskyy, O.V. Reshetnyk, T.P. Vladimirova, B.V. Sheludchenko, E.S. Skakunova, V.V. Lizunov, E.V. Kochelab, I.M. Fodchuk, and V.P. Kladko // Metallofizika i Noveishie Tekhnologii, 2016, V.38, No 1, P.99-138.

    Download: [pdf]

  2. Ni-Based Ohmic Contacts to n-Type 4H-SiC: The Formation Mechanism and Thermal Stability
    A.V. Kuchuk, P. Borowicz, M. Wzorek, M. Borysiewicz, R. Ratajczak, K. Golaszewska, E. Kaminska, V. Kladko, and A. Piotrowska // Advances in Condensed Matter Physics, Volume 2016 (2016), Article ID 9273702, 26 pages. http://dx.doi.org/10.1155/2016/9273702

    Download: [pdf]

  3. Silicon Substrate Strained and Structured via Cavitation Effect for Photovoltaic and Biomedical Application
    Rada K. Savkina, Aleksandr I. Gudymenko, Vasyl P. Kladko, Andrii A. Korchovyi, Andrii S. Nikolenko, Aleksey B. Smirnov, Tatyana R. Stara and Viktor V. Strelchuk // Nanoscale Research Letters, 2016, V.11:183

    Download: [pdf]

  4. The Peculiarities of Strain Relaxation in GaN/AlN Superlattices Grown on Vicinal GaN (0001) Substrate: Comparative XRD and AFM Study
    Andrian V. Kuchuk, Serhii Kryvyi, Petro M. Lytvyn, Shibin Li, Vasyl Kladko, Morgan E. Ware, Yuriy I. Mazur, Nadiia Safryuk, Hryhorii Stanchu, Alexander E. Belyaev and Gregory J. Salamo // Nanoscale Research Letters, 2016, V11, 252

    Download: [pdf]

  5. Influence of strain relaxation on the relative orientation of ZnO and ZnMnO wurtzite lattice with respect to sapphire substrates
    KA Avramenko, VP Bryksa, TL Petrenko, VP Kladko, HV Stanchu, AE Belyaev, C Deparis, J Zuñiga-Pérez and C Morhain // Materials Research Express, 2016, V.3, N9, 095902.

    Download: [pdf]

  6. The Crystal Structure of Micro- and Nanopowders of ZnS Studied by EPR of Mn2+ and XRD
    Valentyna Nosenko, Igor Vorona, Valentyn Grachev, Stanislav Ishchenko, Nikolai Baran, Yurii Becherikov, Anton Zhuk, Yuliya Polishchuk, Vasyl Kladko and Alexander Selishchev // Nanoscale Research Letters, 2016 V.11:517.

    Download: [pdf]

  7. Спосіб нанесення контактів до InN.
    Шеремет В.М., Виноградов А.О., Сай П.О., Саченко А.В., Болтовець М.С., Сафрюк Н.В., Шинкаренко В.В., Бєляєв О.Є., Кладько В.П., Конакова Р.В.  // Патент України на корисну модель №108190, (11.07.2016).

  8. Роль деформаційних полів у формуванні властивостей нанорозмірних структур на основі ІІІ-нітридів
    Кладько В.П., Кучук А.В., Бєляєв О.Є. // VII Українська наукова конференція з фізики напівпровідників УНКФН-7, Наукове видання. Матеріали конференції, 2016, С.21-22. Дніпропетровський національний університет імені Олеся Гончара (м. Дніпро)

    Download: [pdf]

  9. Composition, structure and dielectric properties of multifunctional single-phase Bi1-xLaxFeO3 ceramics
    Aleksey Pashchenko, Dmitriy Tatarchuk, Nikita Liedienov, Aleksandr Gudimenko, Valeriy Burchovetskii, Yuriy Didenko, Vasyl Prokopenko, Vasyl Kladko and Georgiy Levchenko // Journal of Material Sci Eng, 2016, V.5, 3: P.103. http://dx.doi.org/10.4172/2169-0022.C1.038

  10. Температурные зависимости удельного контактного сопротивления в омических контактах к n+-InN
    А.В. Саченко, А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, П.Н. Брунков, В.Н. Жмерик, С.В. Иванов, Л.М. Капитанчук, Р.В. Конакова, В.П. Кладько, Р.В. Романец, П.О. Сай, Н.В. Сафрюк, В.Н. Шеремет // Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, вып.4, C.472-482.

    Download: [pdf]


 
© 2006-2024