Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Кладько Василь Петрович

Васи́ль Петро́вич Кладько́ Член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р., Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2017 р.

Дата та місце народження: 12 січня 1957 р. у с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область.

Освіта:

1964—1974 — Озерська середня школа (золота медаль);
1974—1979 — студент Чернівецького Державного Університету, фізичний факультет (з відзнакою);
1982—1985 — аспірант Інституту Напівпровідників АН УРСР.
1998—2000 — докторант Інституту Фізики Напівпровідників НАН України.

Наукові ступені та звання:

1986 — Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07-фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді К.016.37.01 Інституту металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України (04.06.1986 р.);
1995 — Старший науковий співробітник (01.04.07-фізика твердого тіла);
2000 — Доктор фізико-математичних наук (01.04.07-фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д 26.001.23 Київського Національного Університету імені Тараса Шевченка (22.05.2000 р.);
2007 — Професор (спеціальність 01.04.07-фізика твердого тіла).
2015 — Член-кореспондент НАН України (спеціальність «Кореляційна оптика») (обраний 06.03.2015 р.).

Кар’єра:

1974—1979 — Студент фізичного факультету Чернівецького державного університету;
1979—1982 — Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету;
1982—1985 — Аспірант Інституту Напівпровідників;
1985—1988 — Молодший науковий співробітник;
1988—2000 — Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників;
2000—2004 — Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників;
2004 дотепер — завідувач відділу «Структурного і елементного аналізу матеріалів та систем» Інституту Фізики Напівпровідників НАН, Київ, Україна ;
2013 дотепер — заступник директора Інституту Фізики Напівпровідників НАНУ з наукової роботи, Київ, Україна.

Наукова діяльність

головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів;
інші напрями: фізика напівпровідників, дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів;
поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів.

Стажування за кордоном Університет м. Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)

Нагороди, Членство в Товариствах

Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.;
Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України (За видатні роботи в галузі фізики напівпровідників та напівпровідникового приладобудування) 2017 р.;
Пам'ятна відзнака Національної Академії Наук України (2018 р.);
Подяка Президії НАН України (2010 р.);
Подяка від Київського міського голови (2005 р.);
Винахідник СРСР (1986 р.);
член Українського Фізичного Товариства;
член Міжнародного союзу кристалографів;
заступник головного редактора журналу «Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics»
редактор тематичного розділу журналу «Український фізичний журнал»
член редколегії наукового журналу «Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології»
член редколегії наукового журналу «Фізика і хімія твердого тіла»

Публікації

    Загальна кількість статей в реферованих журналах: 465
    Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 221
    Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 1083 (h-index = 16)
    Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1959 (h-index = 21)
    Кількість конференцій: 217
    Монографії: 9   
    Авторські свідоцтва: 5
    Патенти: 9

Педагогічна діяльність

У вiддiлi пiд керiвництвом член-кор. НАН України, доктора фiз.-мат. наук, професора В.П. Кладька  захищенi 11 дисертацiй кандидата фiз.-мат.наук, з них у 2006 р. аспiрантами А.В. Кучуком та О.М. Єфановим, у 2007 р. - м.н.с. Корчовим А.А., у 2009 р. - наук. співроб. М.В. Слободяном, у 2012 р. - аспіранткою Сафрюк Н.В. та н.с. Гудименком О.Й., 2016 р. - аспірантом Станчу Г.В., 2017 р. - аспірантом Кривим С.Б., а у 2019 р. аспірантом Любченком О.І., н.с. Максименко З.В. та м.н.с. Поліщук Ю.О.



Список публікацій:

  1. X-Ray diffraction studies of growth defect in III-V single crystals.
    Datsenko L.I., Kladko V.P., Kryshtab T.G. // In.: “Defects in Crystals”. Proc. of the 8th Inter. School on Defects in Crystals”. 1988. Р.59-67.

  2. Особенности динамического рассеяния рентгеновских лучей в реальных кристаллах при использовании квазизапрещенных отражений (случай Лауэ)
    Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Даценко Л.И. // В кн.: Мат. IV Всес. совещан. по когерентному взаимодействию излучений с веществом. М.:1988. C.44-45.

  3. Особенности рассеяния рентгеновских лучей в бинарных кристаллах при использовании квазизапрещенных отражений (случай Брэгга)
    Кладько В.П., Крыштаб Т.Г. // В кн.: Мат. IV Всес. совещан. по когерентному взаимодействию излучений с веществом. М.:1988. C.46-47.

  4. Способ контроля структурного совершенства монокристаллов.
    Кладько В.П., Крыштаб Т.Г., Фомин А.В., Горшков Ю.А.  // Авторське свідоцтво на винахід №1626860 (ДСК)

  5. Динамическое рассеяние рентгеновских лучей в кристаллах CdTe с макровыделениями фаз теллура и кадмия.
    Кладько В.П., Гуреев А.Н., Даценко Л.И., Курбанов К.Р., Фомин А.В.  // Кристаллография 1987, Т.32, №5, С.1202-1205. (cited 3 times)

    Download: [pdf]

  6. Особенности динамического рассеяния рентгеновских лучей с длинами волн вблизи К-краев поглощения компонентов бинарными кристаллами
    Кладько В.П., Крыштаб Т.Г. // В кн.: Матер. 2 Всес. совещ. по компл. программе “Рентген”, Черновцы 1987.

  7. Исследование типа доминирующих микродефектов в “бездислокационном” теллуриде кадмия.
    Гуреев А.Н., Кладько В.П. Даценко Л.И., Скороход М.Я.  // Український Фізичний Журнал, 1986. Т.31, №1 С.101-104

    Download: [pdf]

  8. Интегральные характеристики структурного совершенства монокристаллов, содержащих ростовые "декорированные" дислокации.
    Даценко Л.И., Хрупа В.И., Кладько В.П., Николаев В.В.  // В кн.: ”Свойства и структура дислокаций в полупроводниках”. М.:1986. C.87-89.

  9. Простой рентгенодифракционный метод контроля глубины нарушенного слоя в реальных кристаллах.
    Хрупа В.И., Кладько В.П., Кисловский Е.Н., Когут И.В.  // Ред. журн. ”Элект. техника”, 1986. 6 с. Деп. в ЦНИИ “Электроника” – №4225.

  10. Способ контроля структурного совершенства монокристаллов
    Даценко Л.И., Гуреев А.Н., Хрупа В.И., Кисловский Е.Н., Кладько В.П,, Низкова А.И., Прокопенко И.В., Скороход М.Я. // Авторське свідоцтво на винахід №1255906


 
© 2006-2024