Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Кладько Василь Петрович

Васи́ль Петро́вич Кладько́ Член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р., Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2017 р.

Дата та місце народження: 12 січня 1957 р. у с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область.

Освіта:

1964—1974 — Озерська середня школа (золота медаль);
1974—1979 — студент Чернівецького Державного Університету, фізичний факультет (з відзнакою);
1982—1985 — аспірант Інституту Напівпровідників АН УРСР.
1998—2000 — докторант Інституту Фізики Напівпровідників НАН України.

Наукові ступені та звання:

1986 — Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07-фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді К.016.37.01 Інституту металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України (04.06.1986 р.);
1995 — Старший науковий співробітник (01.04.07-фізика твердого тіла);
2000 — Доктор фізико-математичних наук (01.04.07-фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д 26.001.23 Київського Національного Університету імені Тараса Шевченка (22.05.2000 р.);
2007 — Професор (спеціальність 01.04.07-фізика твердого тіла).
2015 — Член-кореспондент НАН України (спеціальність «Кореляційна оптика») (обраний 06.03.2015 р.).

Кар’єра:

1974—1979 — Студент фізичного факультету Чернівецького державного університету;
1979—1982 — Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету;
1982—1985 — Аспірант Інституту Напівпровідників;
1985—1988 — Молодший науковий співробітник;
1988—2000 — Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників;
2000—2004 — Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників;
2004 дотепер — завідувач відділу «Структурного і елементного аналізу матеріалів та систем» Інституту Фізики Напівпровідників НАН, Київ, Україна ;
2013 дотепер — заступник директора Інституту Фізики Напівпровідників НАНУ з наукової роботи, Київ, Україна.

Наукова діяльність

головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів;
інші напрями: фізика напівпровідників, дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів;
поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів.

Стажування за кордоном Університет м. Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)

Нагороди, Членство в Товариствах

Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.;
Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України (За видатні роботи в галузі фізики напівпровідників та напівпровідникового приладобудування) 2017 р.;
Пам'ятна відзнака Національної Академії Наук України (2018 р.);
Подяка Президії НАН України (2010 р.);
Подяка від Київського міського голови (2005 р.);
Винахідник СРСР (1986 р.);
член Українського Фізичного Товариства;
член Міжнародного союзу кристалографів;
заступник головного редактора журналу «Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics»
редактор тематичного розділу журналу «Український фізичний журнал»
член редколегії наукового журналу «Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології»
член редколегії наукового журналу «Фізика і хімія твердого тіла»

Публікації

    Загальна кількість статей в реферованих журналах: 465
    Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 221
    Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 1083 (h-index = 16)
    Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1959 (h-index = 21)
    Кількість конференцій: 217
    Монографії: 9   
    Авторські свідоцтва: 5
    Патенти: 9

Педагогічна діяльність

У вiддiлi пiд керiвництвом член-кор. НАН України, доктора фiз.-мат. наук, професора В.П. Кладька  захищенi 11 дисертацiй кандидата фiз.-мат.наук, з них у 2006 р. аспiрантами А.В. Кучуком та О.М. Єфановим, у 2007 р. - м.н.с. Корчовим А.А., у 2009 р. - наук. співроб. М.В. Слободяном, у 2012 р. - аспіранткою Сафрюк Н.В. та н.с. Гудименком О.Й., 2016 р. - аспірантом Станчу Г.В., 2017 р. - аспірантом Кривим С.Б., а у 2019 р. аспірантом Любченком О.І., н.с. Максименко З.В. та м.н.с. Поліщук Ю.О.



Список публікацій:

  1. Structure and Electrical Resistance of the Passivating ZnSe Layer on Ge
    Volodymyr Maslov, Artem Fedorenko, Vasyl Kladko, Alexandr Gudymenko, Nataliia Zashchepkina, Kostiantin Bozhko // Nano Express, 2021, Research Square. https://doi.org/10.21203/rs.3.rs-415311/v1

    Download: [pdf]

  2. The effect of small addition of copper on the growth process, structure, surface charge and adsorption properties of ZnO films in the pyrolysis of dithiocarbamates
    Boris A Snopok, Lyudmila V Zavialova, Nikolaj Tatyanenko, Aleksandr Gudimenko, George S. Svechnikov, Vasyl Kladko and Alexander Belyaev  // Materials Advances, 2021, V.2, Issue 11, P.3637-3654. https://doi.org/10.1039/D1MA00199J

    Download: [pdf]

  3. Optical and structural properties of Mn-doped magnesium titanates fabricated with excess MgO
    L. Borkovska, L. Khomenkova, T. Stara, I. Vorona, V. Nosenko, O. Gudymenko, V. Kladko, K. Kozoriz, C. Labbé, J. Cardin, J.-L. Doualan, T. Kryshtab // Materials Today Communications, 2021, V.27, 102373.

  4. Structure, Optical and Electrical Properties of the High Doped ZnO Thin Films Deposited By RF Magnetron Sputtering of Powder Target in Methane Ambient
    Alexei N Nazarov, Andriy V Vasin, Andriy V Rusavsky, Yuri V Gomeniuk, Igor P Tyagulskii, Roman Yatskiv, Jan Grym, J Lorinčik, V Vorliček, Sergii V Mamykin, O.I. Gudymenko, Vasil P Kladko // 239th ECS Meeting with the 18th International Meeting on Chemical Sensors (IMCS)(May 30-June 03, 2021)

  5. Structure and electrical resistance of the passivating ZnSe layer on Ge
    V.P. Maslov, A.V. Fedorenko, V.P. Kladko, O.Yo. Gudymenko, K.M. Bozhko, N.M. Zashchepkina  // Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics, 2021, V.24, Issue 4, P. 425-430.

    Download: [pdf]

  6. Peculiarities of specular infrared reflection spectra of ZnO-based ceramics
    O.V. Melnichuk, N.O. Korsunska, I.V. Markevich, V.V. Boyko, Yu.O. Polishchuk, Z.F. Tsybrii, L.Yu. Melnichuk, Ye.F. Venger, V.P. Kladko, L.Yu. Khomenkova  // Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics, 2021, V.24, Issue 4, P.390-398.

    Download: [pdf]

  7. Phase transition in vanadium oxide films formed by multistep deposition
    V.P. Kladko, V.P. Melnik, О.I. Liubchenko, B.M. Romanyuk, О.Yo. Gudymenko, Т.M. Sabov, О.V. Dubikovskyi, Z.V. Maksimenko, О.V. Kosulya, O.A. Kulbachynskyi, P.M. Lytvyn, О.O. Efremov  // Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics, 2021, V.24, Issue 4, P.362-371.

    Download: [pdf]

  8. Значення DX–центрів для акустоіндукованих процесів перебудови дефектів в GaN/AlGaN
    Я.М. Оліх, М.Д. Тимочко, В.П. Кладько, О.І. Любченко, О.Є. Бєляєв, В.В. Калюжний // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2021, вип.56, С.61-70.

    Download: [pdf]

  9. Investigation of Traps in AlGaN/GaN Heterostructures by Ultrasonic Vibrations
    Kaliuzhnyi V., Liubchenko O., Tymochko M., Olikh Y., Kladko V., Belyaev A. // Ukrainian Journal of Physics, 2021, V.66, No12, P.1058-1062.

    Download: [pdf]

  10. High-Resolution X-Ray Diffractometry of Crystalline Compounds with Developed Dislocation Structure
    I.M. Fodchuk, A.R. Kuzmin, I.I. Gutsuliak, M.S. Solodkyi, O.L. Maslyanchuk, Yu.T. Roman, V.P. Kladko, O.Yo. Gudymenko, V.B. Molodkin, V.V. Lizunov // Metallofiz. Noveishie Tekhnol., 2021, V.43, Issue 10, P.1289–1304.

    Download: [pdf]


 
© 2006-2022