Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Кладько Василь Петрович


Кладько Василь - член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки, Лауреат премії ім. В.Є. Лашкарьова НАН України

Адреса:
Інститут Фізики Напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова, Національна Академія Наук України.
03028 Київ, пр. Науки 45, УКРАЇНА

Дата і місце народження: 12  січня 1957 р., с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область
Національність: Українець

Освіта:
1964 – 1974 – Озерська середня школа (з золотою медаллю);
1974 – 1979 – Чернівецький Державний Університет, фізичний факультет (з відзнакою);
1982 – 1985 – аспірантура Інституту Напівпровідників АН УРСР

Наукові ступені та звання: 
1986 – Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді К.016.37.01 Інституту металофізики ім. Г.В.Курдюмова НАН України (04.06.1986 р.). 
1995 – Старший науковий співробітник (01.04.07–фізика твердого тіла)
2000 – Доктор фізико-математичних наук (01.04.07–фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д26.001.23 Київського Національного Університету імені Тараса Шевченка (22.05.2000 р.).
2007– Професор (зі спеціальності 01.04.07–фізика твердого тіла)
2015 – Член-кореспондент НАН України (зі спеціальності "Кореляційна оптика") (обраний 06.03.2015).

Кар’єра:
1979-1982 - Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету
1982-1985 - Аспірант Інституту Напівпровідників
1985-1988 – Молодший науковий співробітник
1988-2000 – Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників,
2000-2004 – Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників
2004 дотепер – завідувач відділу cтруктурного аналізу матеріалів і систем Інституту фізики напівпровідників НАН України, Київ, Україна                                                                 
2013 дотепер – заступник директора з наукової роботи в Інституті Фізики Напівпровідників НАН України, Київ, Україна

Наукова спеціалізація:
(i) головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів
(іі) інші напрями: фізика напівпровідників,  дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів
(iii) поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів

Стажування за кордоном:
Університет м.Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці) 

Нагороди, Членство в Товариствах:

- Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.
- Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України (За видатні роботи в галузі фізики напівпровідників та напівпровідникового приладобудування) 2017 р.
- Подяка Президії НАН України (2010 р.)
- Подяка від Київського міського голови (2005 р.)
- Винахідник СРСР (1986 р.)
- член Українського Фізичного Товариства
- член Міжнародного союзу кристалографів

Науково-організаційна робота:

- заступник головного редактора журналу "Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics";
- асоційований редактор журналу "Nanotechnology and Nanomaterials" (Хорватія) (2014 Impact Factor: 0.857);
- головний редактор тематичного розділу "Українського фізичного журналу";
- член редколегії наукового журналу "Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології";
- член редколегії наукового журналу "Складні системи і процеси".
- член спеціалізованої вченої ради Д26.199.02 при Інституті фізики напівпровідників НАН України.
- член експертної ради ДАК МОН України,
- керівник секції "Напівпровідникове матеріалознавство" Наукової ради з проблеми "Фізика напівпровідників і напівпровідникових пристроїв" при ВФА НАН України,
- член секції "Фізичні основи діагностики матеріалів" Наукової ради з проблеми "Фізика металічного стану" при ВФА НАН України

Публікації:

- Загальна кількість статей в реферованих журналах: 436
- Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 184
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 660 (h-index = 11)
- Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1256  (h-index = 18)
- Кількість конференцій: 152
- Кількість монографій: 8 (див. в розділі публікації)
- Авторські свідоцтва: 5
- Патенти: 5

Педагогічна діяльність:
Підготував 8 кандидатів фізико-математичних наук (Кучук А.В., Єфанов О.М., Корчовий А.А., Слободян М.В., Сафрюк Н.В., Гудименко О.Й.,  Станчу Г.В., Кривий С.Б. - спеціальність 01.04.07 – фізика твердого тіла). Керівник дисертаційних робіт: аспіранта Любченка О.І., м.н.с. Поліщук Ю.С. та Максименко З.В.


Список публікацій:

  1. Correction to: Generation and Auto-Revealing of Dislocations in Si During Macropore Etching (Journal of Electronic Materials, (2018), 47, 9, (5113-5117)
    KP Konin, OY Gudymenko, VP Klad’ko, OO Lytvynenko, DV Morozovs’ka // Journal of Electronic Materials, 2018, V.47, Issue 10, P.6334–6334.

    Download: [pdf]

  2. X-ray analysis for micro-structure of AlN/GaN multiple quantum well systems
    Oleksii I. Liubchenko, Vasyl P. Kladko, Tomash M. Sabov, Oleksandr V. Dubikovskyi // Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2018, V.29, https://doi.org/10.1007/s10854-018-0315-3

  3. Методи Х-променевої дифракційної діагностики напівпровідникових кристалів та гетероструктур
    Кладько В.П., Фодчук І.М. // Навчальний посібник, Чернівці, 2017, „Рута”, 154 c.

  4. Thermo-stimulated evolution of crystalline structure and dopant distribution in Cu-doped Y-stabilized ZrO2 nanopowders
    N. Korsunska, Yu. Polishchuk, V. Kladko, X. Portier and L. Khomenkova // Materials Research Express, 2017, V.4, No3, 035024.

    Download: [pdf]

  5. Structural and optical properties of ZnS:Mn micro-powders, synthesized from the charge with a different Zn/S ratio
    Yu.Yu. Bacherikov, N.P. Baran, I.P. Vorona, A.V. Gilchuk, A.G. Zhuk, Yu.O. Polishchuk, S.R. Lavorik, V.P. Kladko, S.V. Kozitskii, E.F. Venger, N.E. Korsunska // Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2017, V.28, Issue 12, P.8569-8578. doi:10.1007/s10854-017-6580-8

    Download: [pdf]

  6. Effect of Ge Content on the Formation of Ge Nanoclusters in Magnetron-Sputtered GeZrOx-Based Structures
    L. Khomenkova, D. Lehninger, O. Kondratenko, S. Ponomaryov, O. Gudymenko, Z. Tsybrii, V. Yukhymchuk, V. Kladko, J. von Borany and J. Heitmann // Nanoscale Research Letters, 2017, V.12: 196.

    Download: [pdf]

  7. Ion Beam Nanostructuring of HgCdTe Ternary Compound
    Aleksey B.Smirnov, Rada K.Savkina, Ruslana S.Udovytska, Oleksandr I.Gudymenko, Vasyl P.Kladko and Andrii A.Korchovyi // Nanoscale Research Letters, 2017, V.12:320

    Download: [pdf]

  8. Asymmetrical reciprocal space mapping using X-ray diffraction: a technique for structural characterization of GaN/AlN superlattices
    H.V. Stanchu, A.V. Kuchuk, M. Barchuk, Yu.I. Mazur, V.P. Kladko, Zh.M. Wang, D. Rafaja, G.J. Salamo // CrystEngComm, 2017, V19, Issue 22, P.2977-2982. DOI:10.1039/C7CE00584A

  9. Спосіб виготовлення фото-діодів на антимоніді індію
    Кладько В.П., Голтвянський Ю.В., Романюк А.Б., Мельник В.П., Оберемок О.С., Федулов В.В., Сабов Т.М., Сафрюк Н.В.  // Патент України на корисну модель №115174, (10.04.2017).

  10. Oxygen Ion-beam modification of vanadium oxide films for the formation of high value of resistance temperature coefficient.
    T.M. Sabov, O.S. Oberemok, O.V. Dubikovskyi, V.P. Melnik, V.P. Kladko, B.M. Romanyuk, V.G. Popov, O.Yo. Gudymenko, N.V. Safriuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics@Optoelectronics, 2017. V.20, No 2. P.153-158.

    Download: [pdf]


 
© 2006-2018