укр
eng
Васи́ль Петро́вич Кладько́ Член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р., Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2017 р.
Дата та місце народження: 12 січня 1957 р. у с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область.
Освіта:
1964—1974 — Озерська середня школа (золота медаль); 1974—1979 — студент Чернівецького Державного Університету, фізичний факультет (з відзнакою); 1982—1985 — аспірант Інституту Напівпровідників АН УРСР. 1998—2000 — докторант Інституту Фізики Напівпровідників НАН України.
Наукові ступені та
звання:
Кар’єра:
1974—1979 — Студент фізичного факультету Чернівецького державного університету; 1979—1982 — Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету; 1982—1985 — Аспірант Інституту Напівпровідників; 1985—1988 — Молодший науковий співробітник; 1988—2000 — Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників; 2000—2004 — Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників; 2004 дотепер — завідувач відділу «Структурного і елементного аналізу матеріалів та систем» Інституту Фізики Напівпровідників НАН, Київ, Україна ; 2013 дотепер — заступник директора Інституту Фізики Напівпровідників НАНУ з наукової роботи, Київ, Україна.Наукова діяльність
головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів; інші напрями: фізика напівпровідників, дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів; поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів.Стажування за кордоном Університет м. Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)
Нагороди, Членство в Товариствах
Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.; Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України (За видатні роботи в галузі фізики напівпровідників та напівпровідникового приладобудування) 2017 р.; Пам'ятна відзнака Національної Академії Наук України (2018 р.); Подяка Президії НАН України (2010 р.); Подяка від Київського міського голови (2005 р.); Винахідник СРСР (1986 р.); член Українського Фізичного Товариства; член Міжнародного союзу кристалографів; заступник головного редактора журналу «Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics» редактор тематичного розділу журналу «Український фізичний журнал» член редколегії наукового журналу «Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології»член редколегії наукового журналу «Фізика і хімія твердого тіла»
Публікації
Загальна кількість статей в реферованих журналах: 465 Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 221 Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 1083 (h-index = 16) Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1959 (h-index = 21) Кількість конференцій: 217 Монографії: 9Авторські свідоцтва: 5
Патенти: 9
Педагогічна діяльність
У вiддiлi пiд керiвництвом член-кор. НАН України, доктора фiз.-мат. наук, професора В.П. Кладька захищенi 11 дисертацiй кандидата фiз.-мат.наук, з них у 2006 р. аспiрантами А.В. Кучуком та О.М. Єфановим, у 2007 р. - м.н.с. Корчовим А.А., у 2009 р. - наук. співроб. М.В. Слободяном, у 2012 р. - аспіранткою Сафрюк Н.В. та н.с. Гудименком О.Й., 2016 р. - аспірантом Станчу Г.В., 2017 р. - аспірантом Кривим С.Б., а у 2019 р. аспірантом Любченком О.І., н.с. Максименко З.В. та м.н.с. Поліщук Ю.О.Список публікацій:
[<< попередня] ----- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 ----- [наступна >>]
- Influence of Defects on the Structure of Oxygen Precipitates in Silicon Crystals.
Litovchenko V.G., Lisovs'kyy I.P., Klad'ko V.P., Zlobin S.O., Muravs'ka M.V., Efremov A.A., Slobodyan M.V. // Ukrainian Journal of Physics 2007, Vol.52, N 10, p.958-966Download: [pdf] - Исследование структурно–деформационного состояния InGaAs(Sb,N)/GaAs гетероструктур с квантовыми ямами (X-Ray diffractometric investigations of a strain state of InGaAsSbN/GaAs heterostructures with quantum wells).
Кладько В.П., Слободян Н.В., Борковская Л.В., Ефанов А.Н. // Металлофизика и новейшие технологии. 2007, Т. 29, №10. С.1323-1332.Download: [pdf] - Влияние латеральных модуляций состава на зарождение и упорядочение массива квантовых островков в многослойных периодических структурах InхGa1-хAs/ GaAs.
В.П. Кладько, В.В.Стрельчук, Н.В.Слободян, А.Н.Ефанов, В.Ф.Мачулин, Yu. I. Mazur, Zh. M. Wang, G. J. Salamo // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2007, Т.5, вип.3, C.729-738.Download: [pdf] - Исследования процессов интеркалирования водорода в слоистые кристаллы InSe и GaSe
Ю.И. Жирко, З.Д. Ковалюк, В.П. Кладько, В.В. Трачевский, И.П. Шаповалова, А.Л. Ворсовский // Proc. 15Intern.Conf.“HTM-2007”, Донецьк, 2007, V.2. P.606-610.Download: [pdf] - Нанокомпозитные нк-TaN/а-Si3N4 “Mictamict” пленки в схемах металлизации нитрида галлия для приборов высокотемпературной электроники.
Kuchuk A.V., Kladko V.P., Piotrowska A., Lytvyn O.S., Guziewicz M., Minikaev R. // Харьковская нанотехнологическая ассамблея – 2007 "Тонкие пленки", Харків. 2007. – Т.2. С.43-48. - Microstructural aspects of nucleation and growth of (In,Ga) As/GaAs(001) islands with low indium content.
Kladko V.P., Strelchuk V.V., Kolomys А.F., Slobodian M.V., Mazur Yu.I., Wang Z.M., Kunets Vas.P., Salamo G.J. // Journal of Electronic Materials. 2007. V.36, No 12. P.1555-1561. (Cited 5 times)Download: [pdf] - On the current flow mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al2O3 Schottky barrier diodes.
Belyaev A.E., Boltovets N.S., Ivanov V.N., Kladko V.P., Konakova R.V., Kudryk Ya.Ya., Kuchuk A.V., Milenin V.V., Sveshnikov Yu.N., Sheremet V.N. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics@Optoelectronics, 2007. V.10, No 3. P.1-5. (cited 6 times)Download: [pdf] - Development of high-stable contact systems to gallium nitride microwave diodes
A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, V.N. Ivanov, L.M. Kapitanchuk, V.P. Kladko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Kuchuk, O.S. Lytvyn, V.V. Milenin, V.N. Sheremet, Yu.N. Sveshnikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics Optoelectronics, 2007. V.10, No 4. P.1-8. (cited 4 times)Download: [pdf] - Relationship between Condition of Deposition and Properties of W-Ti-N Thin Films Prepared by Reactive Magnetron Sputtering
By Andrian V. Kuchuk, Vasyl P. Kladko, Oksana S. Lytvyn, Anna Piotrowska, Roman A. Minikayev, and Renata Ratajczak // Advanced engineering materials. 2006, 8, No3. P.209-212. (Cited 4 times)Download: [pdf] - Фотопреобразователи на основе эпитаксиальных слоев GaAs и AlGaAs на подложках GaAs с развитой площадью поверхности
И.Н. Арсентьев, А.В. Бобыль, О.Ю. Борковская, Д.А. Винокуров, Н.Л. Дмитрук, А.В. Каримов, В.П. Кладько, Р.В. Конакова, С.Г. Конников, И.Б. Мамонтова // Физика и техника полупроводников, 2006, T.40, вып.7. C.876-881. (Cited 1 times)Download: [pdf]
[<< попередня] ----- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 ----- [наступна >>]
