укр
eng
Васи́ль Петро́вич Кладько́ Член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р., Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2017 р.
Дата та місце народження: 12 січня 1957 р. у с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область.
Освіта:
1964—1974 — Озерська середня школа (золота медаль); 1974—1979 — студент Чернівецького Державного Університету, фізичний факультет (з відзнакою); 1982—1985 — аспірант Інституту Напівпровідників АН УРСР. 1998—2000 — докторант Інституту Фізики Напівпровідників НАН України.
Наукові ступені та
звання:
Кар’єра:
1974—1979 — Студент фізичного факультету Чернівецького державного університету; 1979—1982 — Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету; 1982—1985 — Аспірант Інституту Напівпровідників; 1985—1988 — Молодший науковий співробітник; 1988—2000 — Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників; 2000—2004 — Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників; 2004 дотепер — завідувач відділу «Структурного аналізу матеріалів і систем напівпровідників» Інституту Фізики Напівпровідників НАН, Київ, Україна ; 2013 дотепер — заступник директора Інституту Фізики Напівпровідників НАНУ з наукової роботи, Київ, Україна.Наукова діяльність
головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів; інші напрями: фізика напівпровідників, дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів; поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів.Стажування за кордоном Університет м. Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)
Нагороди, Членство в Товариствах
Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.; Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України (За видатні роботи в галузі фізики напівпровідників та напівпровідникового приладобудування) 2017 р.; Пам'ятна відзнака Національної Академії Наук України (2018 р.); Подяка Президії НАН України (2010 р.); Подяка від Київського міського голови (2005 р.); Винахідник СРСР (1986 р.); член Українського Фізичного Товариства; член Міжнародного союзу кристалографів; заступник головного редактора журналу «Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics» редактор тематичного розділу журналу «Український фізичний журнал» член редколегії наукового журналу «Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології»член редколегії наукового журналу «Фізика і хімія твердого тіла»
Публікації
Загальна кількість статей в реферованих журналах: 461 Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 211 Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 949 (h-index = 15) Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1747 (h-index = 22) Кількість конференцій: 213 Монографії: 9Авторські свідоцтва: 5
Патенти: 6
Педагогічна діяльність
У вiддiлi пiд керiвництвом член-кор. НАН України, доктора фiз.-мат. наук, професора В.П. Кладька захищенi 11 дисертацiй кандидата фiз.-мат.наук, з них у 2006 р. аспiрантами А.В. Кучуком та О.М. Єфановим, у 2007 р. - м.н.с. Корчовим А.А., у 2009 р. - наук. співроб. М.В. Слободяном, у 2012 р. - аспіранткою Сафрюк Н.В. та н.с. Гудименком О.Й., 2016 р. - аспірантом Станчу Г.В., 2017 р. - аспірантом Кривим С.Б., а у 2019 р. аспірантом Любченком О.І., н.с. Максименко З.В. та м.н.с. Поліщук Ю.О.Список публікацій:
[<< попередня] ----- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 ----- [наступна >>]
- Особенности динамического рассеяния рентгеновских лучей с длинами волн вблизи К-краев поглощения компонентов бинарными кристаллами
Кладько В.П., Крыштаб Т.Г. // В кн.: Матер. 2 Всес. совещ. по компл. программе “Рентген”, Черновцы 1987. - Исследование типа доминирующих микродефектов в “бездислокационном” теллуриде кадмия.
Гуреев А.Н., Кладько В.П. Даценко Л.И., Скороход М.Я. // Український Фізичний Журнал, 1986. Т.31, №1 С.101-104Download: [pdf] - Интегральные характеристики структурного совершенства монокристаллов, содержащих ростовые "декорированные" дислокации.
Даценко Л.И., Хрупа В.И., Кладько В.П., Николаев В.В. // В кн.: ”Свойства и структура дислокаций в полупроводниках”. М.:1986. C.87-89. - Простой рентгенодифракционный метод контроля глубины нарушенного слоя в реальных кристаллах.
Хрупа В.И., Кладько В.П., Кисловский Е.Н., Когут И.В. // Ред. журн. ”Элект. техника”, 1986. 6 с. Деп. в ЦНИИ “Электроника” – №4225. - Способ контроля структурного совершенства монокристаллов
Даценко Л.И., Гуреев А.Н., Хрупа В.И., Кисловский Е.Н., Кладько В.П,, Низкова А.И., Прокопенко И.В., Скороход М.Я. // Авторське свідоцтво на винахід №1255906 - Контроль толщины нарушенных слоев, образующихся при резке и шлифовке несовершенных кристаллов.
Кисловский Е.Н., Кладько В.П., Фомин А.В., Хрупа В.И. // Заводская лаборатория, 1985, Т.51, №7, С.30-31Download: [pdf] - Рассеяние рентгеновских лучей вблизи К-краев поглощения в тонких монокристаллах бинарных полупроводников.
Даценко Л.И., Кладько В.П., Кисловский Е.Н., Хрупа В.И. // Кристаллография, 1984, Т.29,№6, С.1066-1070.Download: [pdf] - Изучение динамических искажений подрешеток In и Sb в антимониде индия при дифракции рентгеновских лучей вблизи K-края поглощения компонентов.
Молодкин В.Б., Кладько В.П., Гуреев А.Н., Гудзенко Г.И., Даценко Л.И. // Металлофизика, 1984, Т.6, №5, С.103-106.Download: [pdf] - Рентгенодифрактометрические исследования структурного совершенства сильнопоглощающих кристаллов.
Даценко Л.И., Крыштаб Т.Г., Кладько В.П., Кисловский Е.Н., Хрупа В.И. // Український Фізичний Журнал, 1984, Т.29, №5. С.743-747Download: [pdf] - Интегральные характеристики структурного совершенства, определяемые из экспериментов по лауэ-дифракции в тонком кристалле.
Даценко Л.И., Молодкин В.Б., Кисловский Е.Н., Кладько В.П., Хрупа В.И. // В сб.: ”Дефекты структуры в полупроводниках” Новосибирск, 1984. C.102-105.
[<< попередня] ----- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 ----- [наступна >>]
