укр
eng
Васи́ль Петро́вич Кладько́ Член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р., Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2017 р.
Дата та місце народження: 12 січня 1957 р. у с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область.
Освіта:
1964—1974 — Озерська середня школа (золота медаль); 1974—1979 — студент Чернівецького Державного Університету, фізичний факультет (з відзнакою); 1982—1985 — аспірант Інституту Напівпровідників АН УРСР. 1998—2000 — докторант Інституту Фізики Напівпровідників НАН України.
Наукові ступені та
звання:
Кар’єра:
1974—1979 — Студент фізичного факультету Чернівецького державного університету; 1979—1982 — Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету; 1982—1985 — Аспірант Інституту Напівпровідників; 1985—1988 — Молодший науковий співробітник; 1988—2000 — Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників; 2000—2004 — Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників; 2004 дотепер — завідувач відділу «Структурного і елементного аналізу матеріалів та систем» Інституту Фізики Напівпровідників НАН, Київ, Україна ; 2013 дотепер — заступник директора Інституту Фізики Напівпровідників НАНУ з наукової роботи, Київ, Україна.Наукова діяльність
головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів; інші напрями: фізика напівпровідників, дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів; поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів.Стажування за кордоном Університет м. Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)
Нагороди, Членство в Товариствах
Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.; Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України (За видатні роботи в галузі фізики напівпровідників та напівпровідникового приладобудування) 2017 р.; Пам'ятна відзнака Національної Академії Наук України (2018 р.); Подяка Президії НАН України (2010 р.); Подяка від Київського міського голови (2005 р.); Винахідник СРСР (1986 р.); член Українського Фізичного Товариства; член Міжнародного союзу кристалографів; заступник головного редактора журналу «Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics» редактор тематичного розділу журналу «Український фізичний журнал» член редколегії наукового журналу «Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології»член редколегії наукового журналу «Фізика і хімія твердого тіла»
Публікації
Загальна кількість статей в реферованих журналах: 465 Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 221 Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 1083 (h-index = 16) Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1959 (h-index = 21) Кількість конференцій: 217 Монографії: 9Авторські свідоцтва: 5
Патенти: 9
Педагогічна діяльність
У вiддiлi пiд керiвництвом член-кор. НАН України, доктора фiз.-мат. наук, професора В.П. Кладька захищенi 11 дисертацiй кандидата фiз.-мат.наук, з них у 2006 р. аспiрантами А.В. Кучуком та О.М. Єфановим, у 2007 р. - м.н.с. Корчовим А.А., у 2009 р. - наук. співроб. М.В. Слободяном, у 2012 р. - аспіранткою Сафрюк Н.В. та н.с. Гудименком О.Й., 2016 р. - аспірантом Станчу Г.В., 2017 р. - аспірантом Кривим С.Б., а у 2019 р. аспірантом Любченком О.І., н.с. Максименко З.В. та м.н.с. Поліщук Ю.О.Список публікацій:
[<< попередня] ----- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 ----- [наступна >>]
- Новые диагностические возможности деформационных зависимостей интегральной интенсивности рассеяния кристаллами с дефектами для лауэ-дифракции в условиях нарушения закона Фриделя.
А.П. Шпак, В.Б. Молодкин, М.В. Ковальчук, В.Л. Носик, А.И. Низкова, В.Ф. Мачулин, И.В. Прокопенко, Е.Н. Кисловский, В.П. Кладько, С.В. Дмитриев, Е.В. Первак, Е.Г. Лень, А.А. Белоцкая, Я.В. Василик, А.И. Гранкина, И.Н. Заболотный, А.А. Катасонова, М.Т. Когут, О.С. Кононенко, А.В. Мельник, В.В. Молодкин, Л.И. Ниничук, И.И. Рудницкая. // Металлофизика и новейшие технологии, 2009, Т.31. №8, С.1041-1049.Download: [pdf] - Вплив опромінення іонами Не+ на дефектну структуру монокристалів ГГГ.
С.І. Яремій, В.Д. Федорів, І.П. Яремій, І.М. Фодчук, Р.А. Заплітний, В.П. Кладько // Науковий вісник Чернівецького національного університету. Фізика, електроніка, 2009, вип.438, С.89-94.Download: [pdf] - Influence of the Curvature Radius of Multilayer Structures on X-Ray Diffraction Spectra
V.P. Kladko, M.V. Slobodyan, V.F. Machulin // Ukrainian Journal of Physics, 2008, T.53. №2. C.167-171. (cited 2 times)Download: [pdf] - Особливості дефектоутворення в приповерхневих шарах монокристалів кремнію при акустостимульованій імплантації іонів бору та миш'яку
О.Й. Гудименко, В.П. Кладько, В.П. Мельник, Я.М. Оліх, В.Г. Попов, Б.М. Романюк, М.В. Слободян, П.П. Когутюк // Український фізичний журнал, 2008, т.53, №2. C.140-145. cited 2 timesDownload: [pdf] - A new type of structural defects in CdZnSe/ZnSe heterostructures.
L.Borkovska, N.Korsunska, V.Kladko, M.Slobodyan, O.Yefanov, Ye.Venger, T.Kryshtab, Yu.Sadofyev, I.Kazakov // Microelectronics Journal. 2008. V. 39, Issue 3-4, P.589-593.Download: [pdf] - Mechanism of dislocation-governed charge transport in schottky diodes based on gallium nitride.
A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, V.N. Ivanov, V.P. Kladko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudrik, A.V. Kuchuk, V.V. Milenin, Yu.N. Sveshnikov, V.N. Sheremet // Semiconductors, 2008, Vol.42, No 6, P.689-694. (cited 20 times)Download: [pdf] - Effect of Growth Defects on the Structure of Oxygen Precipitates in Cz-Si Crystals of Different Diameter.
Litovchenko V.G., Lisovskyy I.P., Claeys C., Kladko V.P., Zlobin S.O., Muravska M.V., Efremov O.O., Slobodian M.V. // Solid State Phenomena. 2008. V.131-133, P.405-412. (cited 1 times)Download: [pdf] - Дослідження внутрішніх механічних напружень в кристалах Si, вирощених методом безтигельної зонної плавки
Асніс Ю.А., Баранський П.І., Бабич В.М., Заболотін С.П., Кладько В.П., Слободян М.В. // Металлофизика и новейшие технологии. 2008, Т.30, № 9. С.1229-1238.Download: [pdf] - Fabrication and characterization of nickel silicide ohmic contacts to n-type 4H Silicon Carbide
A. Kuchuk, V. Kladko, M.Guziewicz, A.Piotrowska, R.Minikayev, A.Stonert, R.Ratajczak. // Journal of Physics: Conference Series 2008. V.100. Issue 4. (042003). (cited 20 times)Download: [pdf] - XVis: educational open source program for demonstration of reciprocal space construction and diffraction principles
O. Yefanov, V. Kladko, M. Slobodyan, Yu. Polischuk // Journal of Applied Crystallography, 2008. V.41. Part 3. P.647-652. doi:10.1107/S0021889808008625Download: [pdf]
[<< попередня] ----- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 ----- [наступна >>]
