Відділ дифракційних досліджень структури напівпровідників - IФН ISP
На першу сторінку Додати сторiнку до Вибраного Написати нам листа укр укр eng eng
Головна сторiнка
Iсторiя вiддiлу
Структура вiддiлу
Обладнання
Наукова дiяльнiсть
Публiкацiї
Програмнi розробки
Контакти
Аспiрантура
 
Кладько Василь Петрович

Васи́ль Петро́вич Кладько́ Член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р., Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2017 р.

Дата та місце народження: 12 січня 1957 р. у с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область.

Освіта:

1964—1974 — Озерська середня школа (золота медаль);
1974—1979 — студент Чернівецького Державного Університету, фізичний факультет (з відзнакою);
1982—1985 — аспірант Інституту Напівпровідників АН УРСР.
1998—2000 — докторант Інституту Фізики Напівпровідників НАН України.

Наукові ступені та звання:

1986 — Кандидат фізико-математичних наук (01.04.07-фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді К.016.37.01 Інституту металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України (04.06.1986 р.);
1995 — Старший науковий співробітник (01.04.07-фізика твердого тіла);
2000 — Доктор фізико-математичних наук (01.04.07-фізика твердого тіла). Дисертацію захистив у спеціалізованій раді Д 26.001.23 Київського Національного Університету імені Тараса Шевченка (22.05.2000 р.);
2007 — Професор (спеціальність 01.04.07-фізика твердого тіла).
2015 — Член-кореспондент НАН України (спеціальність «Кореляційна оптика») (обраний 06.03.2015 р.).

Кар’єра:

1974—1979 — Студент фізичного факультету Чернівецького державного університету;
1979—1982 — Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету;
1982—1985 — Аспірант Інституту Напівпровідників;
1985—1988 — Молодший науковий співробітник;
1988—2000 — Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників;
2000—2004 — Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників;
2004 дотепер — завідувач відділу «Структурного аналізу матеріалів і систем напівпровідників» Інституту Фізики Напівпровідників НАН, Київ, Україна ;
2013 дотепер — заступник директора Інституту Фізики Напівпровідників НАНУ з наукової роботи, Київ, Україна.

Наукова діяльність

головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів;
інші напрями: фізика напівпровідників, дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів;
поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів.

Стажування за кордоном Університет м. Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)

Нагороди, Членство в Товариствах

Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.;
Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України (За видатні роботи в галузі фізики напівпровідників та напівпровідникового приладобудування) 2017 р.;
Пам'ятна відзнака Національної Академії Наук України (2018 р.);
Подяка Президії НАН України (2010 р.);
Подяка від Київського міського голови (2005 р.);
Винахідник СРСР (1986 р.);
член Українського Фізичного Товариства;
член Міжнародного союзу кристалографів;
заступник головного редактора журналу «Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics»
редактор тематичного розділу журналу «Український фізичний журнал»
член редколегії наукового журналу «Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології»

Публікації

    Загальна кількість статей в реферованих журналах: 456
    Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 194
    Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 764 (h-index = 13)
    Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1426 (h-index = 20)
    Кількість конференцій: 201
    Монографії: 8  ;

Педагогічна діяльність
У вiддiлi пiд керiвництвом доктора фiз.-мат. наук, професора Кладька В.П. у 2006 р. захищенi дисертацiї кандидата фiз.-мат.наук аспiрантами А.В. Кучуком та О.М. Єфановим, у 2007 р. - м.н.с. Корчовим А.А., у 2009 р. - наук. співроб. М.В. Слободяном, у 2012 р. - аспіранткою Сафрюк Н.В. та н.с. Гудименком О.Й., 2016 р. - аспірантом Станчу Г.В. 2017 р. - аспірантом Кривим С.Б., а у 2019 р. аспірантом Любченком О.І., н.с. Максименко З.В. та м.н.с. Поліщук Ю.О.


Список публікацій:

  1. Влияние анизотропии полей деформации в многослойных структурах на спектры отражения рентгеновских лучей
    А.Н. Ефанов, В.П. Кладько, А.И. Гудыменко, В.В. Стрельчук, Ю. Мазур, Чж. Ванг, Г. Саламо // Металлофизика новейшие технологии. /Metall. phys. and Adv. Technol. 2006, т.28, №4, с.441—448

    Download: [pdf]

  2. Моделирование дифракции рентгеновских лучей от многослойной структуры с различным градиентом состава на границах слоев
    А.Н. Ефанов, В.П. Кладько // Металлофизика и новейшие технологии. / Metallofiz. Noveishie Tekhnol. 2006, т. 28, № 5, сс. 619—629

    Download: [pdf]

  3. Fields of deformation anisotropy exploration in multilayered (In,Ga)As/GaAs structures by high-resolution X-ray scattering
    O. Yefanov, V. Kladko, O. Gudymenko, V.Strelchuk, Yu.Mazur, Zh.Wang, G.Salamo // Phys. Stat. Sol. (a) 203, No. 1, 154–157 (2006) (cited 7 times)

    Download: [pdf]

  4. Interface Structural Defects and Photoluminescence Properties of Epitaxial GaN and AlGaN/GaN Layers Grown on Sapphire
    V. P. Kladko, S. V. Chornen’kii, A. V. Naumov, A. V. Komarov, M. Tacano, Yu. N. Sveshnikov, S. A. Vitusevich, and A. E. Belyaev // Semiconductors, 2006, Vol. 40, No. 9, pp. 1060–1065. (Cited 7 times)

    Download: [pdf]

  5. Photovoltaic Converters Based on GaAs and AlGaAs Epitaxial Layers on GaAs Substrates with Developed Surface Area
    I.N. Arsent’ev, A.V. Bobyl’, O.Yu. Borkovskaya, D.A. Vinokurov, N.L. Dmitruk, A.V. Karimov, V.P. Kladko, R.V. Konakova, S.G. Konnikov, I.B. Mamontova // Semiconductors, 2006, Vol. 40, No. 7, pp. 854–859. (Cited 2 times)

    Download: [pdf]

  6. Thermal Stability of Thin Amorphous Ta–Si–N Films Used in Au/GaN Metallization
    A.V. Kuchuk, V.P. Kladko, V.F. Machulin, and A. Piotrowska // Technical Physics, 2006, Vol. 51, No. 10, pp. 1383–1385. (Cited 3 times)

    Download: [pdf]

  7. Effect of growth temperature on the luminescent and structural properties of InGaAsSbN/GaAs quantum wells for 1.3 mkm telecom application
    L. Borkovska, O. Yefanov, O. Gudymenko, S. Johnson, V. Kladko, N. Korsunska, T. Kryshtab, Yu. Sadofyev, Y.-H. Zhang // Thin Solid Films, (2006). 515, P.786 – 789. (Cited 3 times)

    Download: [pdf]

  8. Dynamical theory of coplanar n-beam X-ray diffraction in multilayered structures
    O.M. Yefanov, V.P. Kladko, V.F. Machulin // Ukr. J. Phys. 2006. V.51, N 9. C.895-901. (Cited 3 times)

    Download: [pdf]

  9. Компланарна багатопроменева динамічна теорія дифракції Х-променів у шаруватих структурах
    О.М. Єфанов, В.П. Кладько, [machulin]В.Ф. Мачулін[/machulin] // Укр. фіз. журн. 2006. Т.51, №9. C.895-901. (Cited 3 times)

    Download: [pdf]

  10. Динамический расчет карт обратного пространства частично релаксированных многослойных структур некомпланарным многоволновым методом
    А.Н. Ефанов, В.П. Кладько, И.С. Савельева // Материалы третьего международного научного семинара "Современные методы анализа дифракционных данных (торография, дифрактометрия, электронная микроскопия)" (22-25 мая, 2006, Великий Новгород, Россия)

    Download: [pdf]


 
© 2006-2019