укр
eng
Васи́ль Петро́вич Кладько́ Член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р., Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2017 р.
Дата та місце народження: 12 січня 1957 р. у с. Озеро, Володимирецький район, Рівненська область.
Освіта:
1964—1974 — Озерська середня школа (золота медаль); 1974—1979 — студент Чернівецького Державного Університету, фізичний факультет (з відзнакою); 1982—1985 — аспірант Інституту Напівпровідників АН УРСР. 1998—2000 — докторант Інституту Фізики Напівпровідників НАН України.
Наукові ступені та
звання:
Кар’єра:
1974—1979 — Студент фізичного факультету Чернівецького державного університету; 1979—1982 — Інженер кафедри напівпровідникової мікроелектроніки фізичного факультету Чернівецького державного університету; 1982—1985 — Аспірант Інституту Напівпровідників; 1985—1988 — Молодший науковий співробітник; 1988—2000 — Старший науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників; 2000—2004 — Провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників; 2004 дотепер — завідувач відділу «Структурного і елементного аналізу матеріалів та систем» Інституту Фізики Напівпровідників НАН, Київ, Україна ; 2013 дотепер — заступник директора Інституту Фізики Напівпровідників НАНУ з наукової роботи, Київ, Україна.Наукова діяльність
головний напрям: рентгенооптика і високороздільна Х-променева дифрактометрія, фізика твердого тіла і реальна структура кристалічних матеріалів; інші напрями: фізика напівпровідників, дифракція в області аномальної дисперсії рентгенівських променів; поточний дослідницький інтерес: квазізаборонені відбиття і стехіометрія, багатошарові структури з квантовими ямами і точками, фізика і реальна структура ІІІ-нітридних сполук, високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційних і релаксаційних процесів.Стажування за кордоном Університет м. Гельсінкі (Фінляндія), 2000 р. (2 місяці)
Нагороди, Членство в Товариствах
Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 р.; Лауреат Премії імені В.Є. Лашкарьова НАН України (За видатні роботи в галузі фізики напівпровідників та напівпровідникового приладобудування) 2017 р.; Пам'ятна відзнака Національної Академії Наук України (2018 р.); Подяка Президії НАН України (2010 р.); Подяка від Київського міського голови (2005 р.); Винахідник СРСР (1986 р.); член Українського Фізичного Товариства; член Міжнародного союзу кристалографів; заступник головного редактора журналу «Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics» редактор тематичного розділу журналу «Український фізичний журнал» член редколегії наукового журналу «Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології»член редколегії наукового журналу «Фізика і хімія твердого тіла»
Публікації
Загальна кількість статей в реферованих журналах: 465 Кількість статей в пошуковій системі Scopus: 221 Кількість цитувань статей в пошуковій системі Scopus: 1083 (h-index = 16) Кількість цитувань статей в пошуковій системі Google Scholar: 1959 (h-index = 21) Кількість конференцій: 217 Монографії: 9Авторські свідоцтва: 5
Патенти: 9
Педагогічна діяльність
У вiддiлi пiд керiвництвом член-кор. НАН України, доктора фiз.-мат. наук, професора В.П. Кладька захищенi 11 дисертацiй кандидата фiз.-мат.наук, з них у 2006 р. аспiрантами А.В. Кучуком та О.М. Єфановим, у 2007 р. - м.н.с. Корчовим А.А., у 2009 р. - наук. співроб. М.В. Слободяном, у 2012 р. - аспіранткою Сафрюк Н.В. та н.с. Гудименком О.Й., 2016 р. - аспірантом Станчу Г.В., 2017 р. - аспірантом Кривим С.Б., а у 2019 р. аспірантом Любченком О.І., н.с. Максименко З.В. та м.н.с. Поліщук Ю.О.Список публікацій:
[<< попередня] ----- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 ----- [наступна >>]
- Структурные дефекты на гетерограницах и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaN и AlGaN/GaN, выращенных на сапфире.
В.П. Кладько, С.В. Чорненький, А.В. Наумов, А.В. Комаров, М. Tacano, Ю.Н. Свешников, С.В. Витусевич, А.Е. Беляев // Физика и техника полупроводников, 2006. T.40, вып.9. C.1087-1093. (Cited 7 times)Download: [pdf] - Investigation of indium distribution in InGaAs/GaAs quantum dot stacks using high-resolution x-ray diffraction and Raman scattering
Yu. I. Mazur, Zh. M. Wang, and G. J. Salamo, V. V. Strelchuk, V. P. Kladko, V. F. Machulin, and M. Ya. Valakh, M. O. Manasreh // Journal of Applied Physics, 2006, V. 99, Issue 2, P.023517(1-10). DOI: 10.1063/1.2163009 (cited 13 times)Download: [pdf] - Термическая стабильность аморфных тонких Ta-Si-N пленок в системе металлизации Au/GaN
А.В. Кучук, В.П. Кладько, В.Ф. Мачулин, A. Piotrowska // Журнал технической физики, 2006, T.76, вып.10. C.132-135. (cited 3 times)Download: [pdf] - Решение дисперсионного уравнения в явном виде для случая двух сильных волн (The solution of the dispersion equation in an explicit format for a case of two strong waves)
А.Н. Ефанов, В.П. Кладько // Металлофиз. новейшие технологии. / Metallofiz. Noveishie Tekhnol. 2006, т.28, Issue 2, с.227—244. (Cited 6 times)Download: [pdf] - Влияние анизотропии полей деформации в многослойных структурах на спектры отражения рентгеновских лучей
А.Н. Ефанов, В.П. Кладько, А.И. Гудыменко, В.В. Стрельчук, Ю. Мазур, Чж. Ванг, Г. Саламо // Металлофизика новейшие технологии. /Metall. phys. and Adv. Technol. 2006, т.28, №4, с.441—448Download: [pdf] - Моделирование дифракции рентгеновских лучей от многослойной структуры с различным градиентом состава на границах слоев
А.Н. Ефанов, В.П. Кладько // Металлофизика и новейшие технологии. / Metallofiz. Noveishie Tekhnol. 2006, т. 28, № 5, сс. 619—629Download: [pdf] - Fields of deformation anisotropy exploration in multilayered (In,Ga)As/GaAs structures by high-resolution X-ray scattering
O. Yefanov, V. Kladko, O. Gudymenko, V.Strelchuk, Yu.Mazur, Zh.Wang, G.Salamo // Phys. Stat. Sol. (a) 203, No. 1, 154–157 (2006) (cited 7 times)Download: [pdf] - Interface Structural Defects and Photoluminescence Properties of Epitaxial GaN and AlGaN/GaN Layers Grown on Sapphire
V. P. Kladko, S. V. Chornen’kii, A. V. Naumov, A. V. Komarov, M. Tacano, Yu. N. Sveshnikov, S. A. Vitusevich, and A. E. Belyaev // Semiconductors, 2006, Vol. 40, No. 9, pp. 1060–1065. (Cited 7 times)Download: [pdf] - Photovoltaic Converters Based on GaAs and AlGaAs Epitaxial Layers on GaAs Substrates with Developed Surface Area
I.N. Arsent’ev, A.V. Bobyl’, O.Yu. Borkovskaya, D.A. Vinokurov, N.L. Dmitruk, A.V. Karimov, V.P. Kladko, R.V. Konakova, S.G. Konnikov, I.B. Mamontova // Semiconductors, 2006, Vol. 40, No. 7, pp. 854–859. (Cited 2 times)Download: [pdf] - Thermal Stability of Thin Amorphous Ta–Si–N Films Used in Au/GaN Metallization
A.V. Kuchuk, V.P. Kladko, V.F. Machulin, and A. Piotrowska // Technical Physics, 2006, Vol. 51, No. 10, pp. 1383–1385. (Cited 3 times)Download: [pdf]
[<< попередня] ----- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 ----- [наступна >>]
